発表 1992


  • Realization of SiGe/Si Heterostructures with Abrupt Interfaces and Their Optical Properties
    Y. Shiraki, S. Fukatsu, K. Fujita, N. Usami, H. Yaguchi, H. Yoshida and R. Ito
    2nd International Symposium on New Phenomena in Mesoscopic Structures (Hawaii) 1992. 12.
  • MOVPE法によるGaAs上への立方晶GaNの作製と評価
    尾鍋 研太郎, 三吉 靖郎, 矢口 裕之, 白木 靖寛
    日本学術振興会光電相互変換第125委員会第141回委員会 1992. 10.
  • Highly Conductive p-type Cubic GaN Epitaxial Films on GaAs
    S. Miyoshi, N. Ohkouchi, H. Yaguchi, K. Onabe, Y. Shiraki and R. Ito
    19th International Symposium on Gallium Arsenide and Related Compounds (Karuizawa) 1992. 9.
  • Surface Segregation and Heterostructures
    Y. Shiraki, S. Fukatsu, K. Fujita, K. Muraki, H. Yaguchi and R. Ito
    3rd China-Japan Symposium on Thin Films (Huangshan) 1992. 9.
  • Ge(100)基板上に作製したGe/SiGe歪量子井戸のフォトリフレクタンス法による評価
    矢口 裕之, 田井 香織, 武政 敬三, 尾鍋 研太郎, 白木 靖寛, 伊藤 良一
    応用物理学会第53回講演会 (17pZG8) (吹田) 1992. 9. 17
  • Si/Ge超格子からの第2高調波発生
    大橋 真, 矢口 裕之, 深津 晋, 近藤 高志, 白木 靖寛, 伊藤 良一, 狩野 覚
    応用物理学会第53回講演会 (16pW17) (吹田) 1992. 9. 16
  • 立方晶GaN薄膜のp型電気伝導
    三吉 靖郎, 大河内 直紀, 矢口 裕之, 尾鍋 研太郎, 白木 靖寛, 伊藤 良一
    応用物理学会第53回講演会 (17aZF7) (吹田) 1992. 9. 17
  • MOVPE法によるGaAsN混晶の成長
    大河内 直紀, 三吉 靖郎, 矢口 裕之, 尾鍋 研太郎, 白木 靖寛, 伊藤 良一
    応用物理学会第53回講演会 (17aZF10) (吹田) 1992. 9. 17
  • GaAs/GaAsP歪障壁量子井戸の円偏光PLEによる評価
    太田 和伸, 矢口 裕之, 高橋 豊, 村木 康二, 尾鍋 研太郎, 白木 靖寛, 伊藤 良一
    応用物理学会第53回講演会 (18pZB10) (吹田) 1992. 9. 18
  • Intersubband Light Absorption in n-Type Si/SiGe Multiple Quantum Well Structures Formed by Sb Segregant-Assisted Growth
    Y. Shiraki, K. Fujita, S. Fukatsu, H. Yaguchi and R. Ito
    7th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (Schwäbisch-Gmünd, Germany) 1992. 8.
  • Is Low Temperature Growth the Solution to Abrupt Si/Si1-xGex Interface Formation?
    S. Fukatsu, N. Usami, K. Fujita, H. Yaguchi, Y. Shiraki and R. Ito
    7th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (Schwäbisch-Gmünd, Germany) 1992. 8.
  • Self-Modulating Incorporation of Sb in Si/SiGe Superlattices during Molecular Beam Epitaxy
    K. Fujita, S. Fukatsu, N. Usami, H. Yaguchi, Y. Shiraki and R. Ito
    International Symposium on Shallow Impurities in Semiconductors (Kobe) 1992. 8.
  • Photoreflectance Study of GaAs/GaAsP Strained-Barrier Quantum Well Structures
    H. Yaguchi, X. Zhang, K. Onabe, Y. Shiraki and R. Ito
    1992 International Conference on Solid Sated Devices and Materials (B-4-5) (Tsukuba) 1992. 8.
  • MOVPE Growth of Cubic GaN on GaAs Using Dimethylhydrazine
    S. Miyoshi, K. Onabe, N. Ohkouchi, H. Yaguchi, Y. Shiraki and R. Ito
    Eleventh Alloy Semiconductor Physics and Electronics Symposium (VII-13) (Kyoto) 1992. 7. 10
  • Determination of the Band Offsets in GaAsP Strained-Layer Quantum Well Structures Using Photoreflectance Spectroscopy
    H. Yaguchi, Y. Hara, X. Zhang, K. Ota, M. Nagahara, K. Onabe, Y. Shiraki and R. Ito
    Eleventh Alloy Semiconductor Physics and Electronics Symposium (VII-11) (Kyoto) 1992. 7. 10
  • MOVPE Growth of Cubic GaN on GaAs Using Dimethylhydrazine
    S. Miyoshi, K. Onabe, N. Ohkouchi, H. Yaguchi, R. Ito, S. Fukatsu and Y. Shiraki
    6th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (Cambridge, USA) 1992. 6.
  • フォトリフレクタンス法によるGaAs/GaAsP歪障壁量子井戸の評価
    矢口 裕之, 張 雄, 太田 和伸, 長原 正樹, 尾鍋 研太郎, 深津 晋, 白木 靖寛, 伊藤 良一
    応用物理学会第39回連合講演会 (29aST17) (習志野) 1992. 3. 29
  • フォトリフレクタンス法によるGaAsP/GaP歪量子井戸の評価
    原 雄二郎, 張 雄, 矢口 裕之, 尾鍋 研太郎, 深津 晋, 白木 靖寛, 伊藤 良一
    応用物理学会第39回連合講演会 (29aST18) (習志野) 1992. 3. 29
  • ジメチルヒドラジンを用いた立方晶GaNのMOVPE成長
    三吉 靖郎, 大河内 直紀, 矢口 裕之, 尾鍋 研太郎, 深津 晋, 白木 靖寛, 伊藤 良一
    応用物理学会第39回連合講演会 (28pZB3) (習志野) 1992. 3. 28
  • SiGe超格子における電子のサブバンド間光吸収
    藤田 研, 深津 晋, 矢口 裕之, 白木 靖寛, 伊藤 良一
    応用物理学会第39回連合講演会 (30aZC11) (習志野) 1992. 3. 30
  • Gaを利用したSi/Geヘテロ構造の表面制御エピタキシー(SAG)
    宇佐美 徳隆, 深津 晋, 藤田 研, 矢口 裕之, 白木 靖寛, 伊藤 良一
    応用物理学会第39回連合講演会 (30pZC11) (習志野) 1992. 3. 30
  • 低温成長(LTG)と表面制御エピタキシー(SAG)によるSi/Ge界面の形成
    深津 晋, 宇佐美 徳隆, 藤田 研, 矢口 裕之, 白木 靖寛, 伊藤 良一
    応用物理学会第39回連合講演会 (30pZC12) (習志野) 1992. 3. 30