発表 1995


  • 3C-SiC(001)上立方晶GaNのMOVPE成長
    橋本 茂樹, 矢口 裕之, 秋山 傑, 長澤 弘幸, 山口 洋一, 尾鍋 研太郎, 白木 靖寛, 伊藤 良一
    SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第4回講演会 (東京) 1995. 12.
  • Temperature dependent excitonic absorption in ZnCdSe/ZnSe single quantum wells
    B. P. Zhang, T. Yasui, Y. Yasuda, Y. Segawa, H. Yaguchi, and Y. Shiraki
    Asia Symposium on Solid State Photophysics (Nara) 1995. 11.
  • Nitrogen Concentration Dependence of Photoluminescene Decay Time in GaP1-xNx Alloys
    H. Yaguchi, S. Miyoshi, H. Arimoto, S. Saito, H. Akiyama, K. Onabe, Y. Shiraki, R. Ito
    Topical Workshop on III-V Nitrides (Nagoya) 1995. 9.
  • MOVPE Growth of Cubic GaN on 3C-SiC (001) Substrates Using 1,1-Dimethylhydrazine
    S. Hashimoto, H. Yaguchi, S. Akiyama, K. Onabe, Y. Shiraki, R. Ito, H. Nagasawa, Y. Yamaguchi
    Topical Workshop on III-V Nitrides (Nagoya) 1995. 9.
  • MOVPE Growth and Characterization of Cubic GaN on GaAs
    K. Onabe, S. Miyoshi, M. Nagahara, H. Yaguchi, Y. Shiraki, R. Ito, N. Kuwano, Y. Nagatomo, K. Kobayashi and K. Oki
    Topical Workshop on III-V Nitrides (Nagoya) 1995. 9.
  • The in Situ Growth of Lateral Confinement Enhanced Rectangular AlGaAs/AlAs Quantum Wires by Utilizing the Spontaneous Vertical Quantum Wells
    W. Pan, H. Yaguchi, K. Onabe, R. Ito, N. Usami and R. Ito
    1995 International Conference on Solid State Devices and Materials (PD-3-6) (Osaka) 1995. 8.
  • Time-Resolved Photoluminescence Study of Radiative Transition Processes in GaP1-xNx Alloys
    H. Yaguchi, S. Miyoshi, H. Arimoto, S. Saito, H. Akiyama, K. Onabe, Y. Shiraki, R. Ito
    22nd International Symposium on Compound Semiconductors (WeA1-2) (Cheju Island, Korea) 1995. 8. 30
  • Strain Effect on Direct and Indirect-Gap Band Lineups of GaAsP/GaP Quantum Wells
    A. Shima, H. Yaguchi, K. Onabe, Y. Shiraki, R. Ito
    22nd International Symposium on Compound Semiconductors (FrA1-2) (Cheju Island, Korea) 1995. 9. 2
  • Polarization Properties of GaAsP/AlGaAs Tensilely Strained Quantum Wire Structures on V-Grooved GaAs Substrates
    W. Pan, H. Yaguchi, K. Onabe, R. Ito, N. Usami and Y. Shiraki
    22nd International Symposium on Compound Semiconductors (WeA3-4) (Cheju Island, Korea) 1995. 8. 30
  • GaP1-xNx混晶の時間分解フォトルミネッセンス
    矢口 裕之, 三吉 靖郎, 有本 英生, 斎藤 志郎, 秋山 英文, 尾鍋 研太郎, 白木 靖寛, 伊藤 良一
    応用物理学会第56回講演会 (28pZE8) (金沢) 1995. 8. 28
  • GaAs1-xPx/GaP歪量子井戸におけるバンドラインアップの P組成依存性
    島 明生, 矢口 裕之, 尾鍋 研太郎, 白木 靖寛, 伊藤 良一
    応用物理学会第56回講演会 (26pZM4) (金沢) 1995. 8. 26
  • AlGaAs/GaAsPヘテロ構造のバンドラインアップの Al組成依存性
    武政 敬三, 太田 和伸, 矢口 裕之, 尾鍋 研太郎, 白木 靖寛, 伊藤 良一
    応用物理学会第56回講演会 (26pZM3) (金沢) 1995. 8. 26
  • 3C-SiC(001)上立方晶GaNのMOVPE成長
    橋本 茂樹, 矢口 裕之, 秋山 傑, 長澤 弘幸, 山口 洋一, 尾鍋 研太郎, 白木 靖寛, 伊藤 良一
    応用物理学会第56回講演会 (27pZE12) (金沢) 1995. 8. 27
  • V溝基板上へのAlGaAs自然量子井戸のMOVPE成長
    潘 伍根, 石川 光映, 矢口 裕之, 尾鍋 研太郎, 白木 靖寛, 伊藤 良一
    応用物理学会第56回講演会 (26pZE1) (金沢) 1995. 8. 26
  • 自然量子井戸を用いた矩形AlGaAs/AlAs量子細線
    潘 伍根, 矢口 裕之, 尾鍋 研太郎, 白木 靖寛, 伊藤 良一
    応用物理学会第56回講演会 (26pZM6) (金沢) 1995. 8. 26
  • Time-resolved photoluminescence study of GaP1-xNx alloys
    H. Yaguchi, S. Miyoshi, H. Arimoto, S. Saito, H. Akiyama, K. Onabe, Y. Shiraki and R. Ito
    14th Electronic Materials Symposium (B17) (Izu-Nagaoka) 1995. 7. 5
  • Strain effect on direct- and indirect-gap band lineups of GaAs1-xPx/GaP quantum wells
    A. Shima, H. Yaguchi, K. Onabe, Y. Shiraki and R. Ito
    14th Electronic Materials Symposium (D2) (Izu-Nagaoka) 1995. 7. 6
  • Aluminum Composition Dependence of the Band Lineup of AlGaAs/GaAsP Heterostructures
    K. Takemasa, K. Ota, H. Yaguchi, K. Onabe, Y. Shiraki and R. Ito
    14th Electronic Materials Symposium (D6) (Izu-Nagaoka) 1995. 7. 6
  • Metalorganic vapor phase epitaxial growth and polarization properties of tensile-strained GaAsP/AlGaAs quantum wires
    W. Pan, M. Ishikawa, T. Hasegawa, H. Yaguchi, K. Onabe, R. Ito and Y. Shiraki
    14th Electronic Materials Symposium (F13) (Izu-Nagaoka) 1995. 7. 6
  • The in situ growth of lateral confinement enhanced rectangular AlGaAs/AlAs quantum wires by utilizing the spontaneous vertical quantum wells
    W. Pan, H. Yaguchi, K. Onabe, R. Ito, N. Usami and Y. Shiraki
    14th Electronic Materials Symposium (S7) (Izu-Nagaoka) 1995. 7. 7
  • 光反射法によるZnCdSe/ZnSe単一量子井戸の光学評価
    張 保平, 安田 隆, 安井 隆成, 矢口 裕之, 瀬川 勇三郎, 白木 靖寛
    応用物理学会第42回連合講演会(28aZM10) (伊勢原) 1995. 3. 28
  • Tight-Binding 法によるGaP1-xNx (x=0.25, 0.5, 0.75) のバンド構造
    三吉 靖郎, 矢口 裕之, 尾鍋 研太郎, 白木 靖寛, 伊藤 良一
    応用物理学会第42回連合講演会 (30pZH16) (伊勢原) 1995. 3. 30