Yaguchi

発表 1997


  • MOVPE Growth of GaPAsN Quaternary Alloys Lattice-Matched to GaP
    G. Biwa, H. Yaguchi, K. Onabe and Y. Shiraki
    Materials Research Society 1997 Fall Meeting (Boston, USA) 1997. 12.
  • GaAs(100)基板上にMOVPE成長した立方晶GaNのフォトルミネッセンス特性
    呉軍, 矢口裕之, 尾鍋研太郎, 白木靖寛, 伊藤良一
    SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第６回講演会(p-45) (東京) 1997. 11.
  • 顕微ラマン分光を用いた3C-SiC基板上に成長したGaNの結晶構造解析
    矢口裕之, 呉軍, 長沢広幸, 山口洋一, 尾鍋研太郎, 白木靖寛, 伊藤良一
    SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第６回講演会(p-46) (東京) 1997. 11.
  • Metalorganic Vapor Phase Epitaxy of GaP1-x-yAsyNx Alloys on GaP
    G. Biwa, H. Yaguchi, K. Onabe and Y. Shiraki
    The Second International Conference on Nitride Semiconductors (Tokushima) 1997. 10.
  • Temperature Dependence of Photoluminescence of GaP1-xNx Alloys
    H. Yaguchi, G. Biwa, S. Miyoshi, D. Aoki, K. Arimoto, K. Onabe, R. Ito and Y. Shiraki
    The Second International Conference on Nitride Semiconductors (Tokushima) 1997. 10.
  • Theoretical Study of Conduction Band Edge Formation in GaP1-xNx Alloys Using a Tight-Binding Approximation
    H. Yaguchi
    The Second International Conference on Nitride Semiconductors (Tokushima) 1997. 10.
  • Optical Transitions in Cubic GaN Grown on GaAs(100) Substrates by Metalorgnaic Vapor Phase Epitaxy
    J. Wu, H. Yaguchi, K. Onabe, Y. Shiraki and R. Ito
    The Second International Conference on Nitride Semiconductors (Tokushima) 1997. 10.
  • Investigation of Luminescence Properties of GaN Single Crystals Grown on 3C-SiC Substrates
    J. Wu, H. Yaguchi, H. Nagasawa, Y. Yamaguchi, K. Onabe, Y. Shiraki and R. Ito
    The Second International Conference on Nitride Semiconductors (Tokushima) 1997. 10.
  • Fabrication of Pb(Zr, Ti)O3/MgO/GaN/GaAs Structure for Optoelectronic Device Applications
    A. Masuda, S. Morita, H, Shigeno, A. Morimoto, T. Shimizu, J. Wu, H. Yaguchi and K. Onabe
    The Second International Conference on Nitride Semiconductors (Tokushima) 1997. 10.
  • 立方晶GaN上へのエピタキシャルMgOバッファ層ならびにPZT薄膜の作製
    増田 淳, 森田 真矢, 重野 英樹, 森本 章治, 清水 立生, 呉 軍, 矢口 裕之, 尾鍋 研太郎
    第58回応用物理学会学術講演会 (2pPA18) (秋田) 1997. 9. 2
  • 正四面体型リセス内にMOVPE成長したGaAs低次元構造II. 成長温度の違いによるMigrationの効果
    辻川 智子, 入沢 寿史, 工藤 真大, 矢口 裕之, 尾鍋 研太郎, 白木 靖寛, 伊藤 良一
    第58回応用物理学会学術講演会 (2pZN7) (秋田) 1997. 9. 2
  • MOVPE法によるGaP(111)面上のGaP/AlP DBRミラーの作製とその評価
    佐藤 基之, 矢口 裕之, 尾鍋 研太郎, 白木 靖寛, 中川 茂, 山田 範秀
    第58回応用物理学会学術講演会 (3pT7) (秋田) 1997. 9. 3
  • GaP基板に格子整合したGaP1-x-yAsyNx 四元混晶のMOVPE成長
    琵琶 剛志, 矢口 裕之, 尾鍋 研太郎, 白木 靖寛
    第58回応用物理学会学術講演会 (3pT16) (秋田) 1997. 9. 3
  • GaAs(001)基板上の立方晶GaNのフォトルミネッセンス特性
    呉軍, 矢口裕之, 尾鍋研太郎, 白木靖寛, 伊藤良一
    第58回応用物理学会学術講演会 (3pQ17) (秋田) 1997. 9. 3
  • 顕微ラマン分光による3C-SiC基板上に成長したGaNの結晶構造の検討
    矢口 裕之, 呉 軍, 長沢 広幸, 山口 洋一, 尾鍋 研太郎, 白木 靖寛, 伊藤 良一
    第58回応用物理学会学術講演会 (3pQ19) (秋田) 1997. 9. 3
  • Temperature Dependence of Photoluminescence Intensities in GaP1-xNx Alloys
    G. Biwa, H. Yaguchi, S, Miyoshi, D. Aoki, K. Arimoto, K. Onabe, Y. Shiraki and R. Ito
    16th Electronic Materials Symposium (Minoo) 1997. 7.
  • Molecular Beam Epitaxy of SiGe Strained Heterostructures Using a Si Effusion Cell
    H. Yaguchi, T. Yamamoto and Y. Shiraki
    16th Electronic Materials Symposium (Minoo) 1997. 7.
  • Temperature and V/III Ratio Dependence of GaN Crystal Structure Grown on 3C-SiC Substrates
    J. Wu, H. Yaguchi, H. Nagasawa, Y. Yamaguchi, K. Onabe, Y. Shiraki and R. Ito
    16th Electronic Materials Symposium (Minoo) 1997. 7.
  • GaAs Low-Dimensional Structures Grown in Tetrahedral -Shaped Recesses on GaAs (111)B Substrates by MOVPE
    T. Tsujikawa, K. Momma, M. Kudo, K. Tanaka, H. Yaguchi, K. Onabe, Y. Shiraki and R. Ito
    16th Electronic Materials Symposium (Minoo) 1997. 7.
  • Characterization of SiGe Strained Heterostructures Grown by Molecular Beam Epitaxy Using a Si Effusion Cell
    H. Yaguchi, T. Yamamoto, Y. Shiraki
    The Seventh International Symposium on Silicon Molecular Beam Epitaxy (Banff, Canada) 1997. 7.
  • Photoluminescence from Ge thin films on Si(110) grown by solid-source molecular beam epitaxy
    N. Usami, J. Arai, A. Ohga, H. Yaguchi, T. Hattori and Y. Shiraki
    The Seventh International Symposium on Silicon Molecular Beam Epitaxy (Banff, Canada) 1997. 7.
  • High Quality Cubic GaN Growth on GaAs (100) Substrates by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
    J. Wu, H. Yaguchi, K. Onabe, Y. Shiraki and R. Ito
    1997 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM'97) (C-5-4) (Hamamatsu) 1997. 7.
  • GaAs/AlGaAs Quantum Structures Grown in Tetrahedral -Shaped Recesses on GaAs (111)B Substrates by MOVPE
    T. Tsujikawa, K. Momma, H. Yaguchi, K. Onabe, Y. Shiraki and R. Ito
    1997 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM'97) (B-1-3) (Hamamatsu) 1997. 7.
  • Polarization Characteristics of Crescent-Shaped Tensile-Strained GaAsP/AlGaAs Quantum Wire Lasers
    M. Ishikawa, W. Pan, Y. Kaneko, H. Yaguchi, K. Onabe, R. Ito and Y. Shiraki
    1997 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM'97) (B-11-5) (Hamamatsu) 1997. 7.
  • GaPN混晶半導体のMOVPEと光学評価
    矢口 裕之
    電子情報通信学会(LQE97-22) (東京)1997. 6.
  • Molecular beam epitaxy of SiGe strained heterostructures using effusion cell
    H. Yaguchi, T. Yamamoto and Y. Shiraki
    The Second International Conference on Low Dimensional Structures and Devices (Lisbon, Portugal) 1997. 5.
  • Si分子線セルを用いたSiGeヘテロ構造の作製
    矢口 裕之, 山本 高稔, 白木 靖寛
    応用物理学会第44回連合講演会(28aSS19) (船橋) 1997. 3. 28
  • 強結合近似法によるGaP1-xNx混晶におけるバンド端形成の検討
    矢口 裕之
    応用物理学会第44回連合講演会(28aM10) (船橋) 1997. 3. 28
  • 分極反転エピタクシーによって成長したGaAs薄膜からの反射第2高調波発生
    黄 晋二, 松浦 裕, 近藤 高志, 森田 馨, 庄司 一郎, 矢口 裕之, 宇佐美 徳隆, 白木 靖寛, 伊藤 良一
    応用物理学会第44回連合講演会(30pNE11) (船橋) 1997. 3. 30
  • 正四面体リセス内にMOVPE成長したGaAs低次元構造
    辻川 智子, 門馬 圭嗣, 工藤 真大, 田中 邦男, 矢口 裕之, 尾鍋 研太郎, 白木 靖寛, 伊藤 良一
    応用物理学会第44回連合講演会(28pT5) (船橋) 1997. 3. 28
  • GaNの成長形態と発光特性の相関
    秋山 傑, 矢口 裕之, 尾鍋 研太郎, 白木 靖寛, 伊藤 良一
    応用物理学会第44回連合講演会(29aK10) (船橋) 1997. 3. 29
  • MOVPE法によるGaP(111)面上のホモエピタキシャル成長
    佐藤 基之, 矢口 裕之, 尾鍋 研太郎, 白木 靖寛, 伊藤 良一
    応用物理学会第44回連合講演会(28aM3) (船橋) 1997. 3. 28
  • GaP1-xNx混晶におけるフォトルミネッセンス強度 の温度依存性
    琵琶 剛志, 矢口 裕之, 三吉 靖郎, 青木 大一郎, 有本 圭介, 尾鍋 研太郎, 白木 靖寛, 伊藤 良一
    応用物理学会第44回連合講演会(28aM9) (船橋) 1997. 3. 28
  • GaAs(001)基板上の立方晶GaNのMOVPE成長温度依存性
    呉 軍, 矢口 裕之, 尾鍋 研太郎, 白木 靖寛, 伊藤 良一
    応用物理学会第44回連合講演会(29pK8) (船橋) 1997. 3. 29
  • 3C-SiC上のGaN結晶構造のMOVPE成長条件依存性
    呉 軍, 矢口 裕之, 秋山 傑, 長沢 広幸, 山口 洋一, 尾鍋 研太郎, 白木 靖寛, 伊藤 良一
    応用物理学会第44回連合講演会(29pK13) (船橋) 1997. 3. 29
  • ZnSe(110)面上へのZnCdSe量子ドットの自然形成
    張 保平, 安田 隆, 王 文新, 瀬川 勇三郎, 枝松 圭一, 伊藤 正, 矢口 裕之, 尾鍋 研太郎
    応用物理学会第44回連合講演会(28pT1) (船橋) 1997. 3. 28
  • 自己組織化したZn(Cd)Se量子細線の作製
    張 保平, 王 文新, 安田 隆, 瀬川 勇三郎, 矢口 裕之, 尾鍋 研太郎, 枝松 圭一, 伊藤 正
    応用物理学会第44回連合講演会(29pT3) (船橋) 1997. 3. 29
  • 分光エリプソメトリーとフォトリフレクタンスによるSiO2/GaAs界面 構造の評価
    望月 麻帆, 斎藤 忠, 紀川 健, 矢口 裕之
    応用物理学会第44回連合講演会(29pZG3) (船橋) 1997. 3. 29
  • Self Formation and Photoluminescence of II-VI Quantum Wires on GaAs(110) Surfaces
    B. P. Zhang, W. X. Wang, G. Isoya, T. Yasuda, Y. Segawa, H. Yaguchi, K. Onabe, K. Edamatsu and T. Itoh
    International Symposium on Quantum Structures for Photonic Applications (Sendai) 1997. 3.