Yaguchi

発表 2002


  • 分光エリプソメータによるSiO2/SiC界面の光学的評価(II)
    緑川正彦, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉川正人, 神谷富裕, 吉田貞史
    応用物理学会SiCおよび関連ワイドギャップ半導体研究会第11回講演会 (東京) 2002. 11.
  • 分光エリプソメータによるSiC上酸化膜の酸化初期過程観察
    関口聡, 川戸郷史, 吉田聡, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史
    応用物理学会SiCおよび関連ワイドギャップ半導体研究会第11回講演会 (東京) 2002. 11.
  • 紫外線光電子分光法によるドライ酸化膜/SiC界面層の評価
    土方泰斗, 矢口裕之, 石田夕起, 吉川正人, 神谷富裕, 吉田貞史
    応用物理学会SiCおよび関連ワイドギャップ半導体研究会第11回講演会 (東京) 2002. 11.
  • 赤外反射分光による6H-SiCウエハのキャリヤ濃度及び移動度の評価
    成田勝俊, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史, 中島信一
    応用物理学会SiCおよび関連ワイドギャップ半導体研究会第11回講演会 (東京) 2002. 11.
  • 分光手法によるSiC結晶の伝導性評価
    中島信一, 播磨弘, 成田勝俊, 吉田貞史, 矢口裕之
    応用物理学会SiCおよび関連ワイドギャップ半導体研究会第11回講演会 (東京) 2002. 11.
  • NH3を窒素源とした3C-SiC(001)基板上への立方晶GaNのMBE成長(VI)
    佐々木哲哉, 三浦輝人, 中田智成, 西田謙二, 折原操, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史
    第63回応用物理学会学術講演会 (25p-YG-5) (新潟) 2002. 9. 25
  • 赤外反射分光によるSiCウエハのキャリヤ濃度および移動度の評価(II)
    成田勝俊, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史, 中島信一
    第63回応用物理学会学術講演会 (24p-P3-7) (新潟) 2002. 9. 24
  • 分光エリプソメータによるSiC上酸化膜の酸化初期過程観察
    土方泰斗, 関口聡, 成田勝俊, 矢口裕之, 吉田貞史
    第63回応用物理学会学術講演会 (25a-P7-22) (新潟) 2002. 9. 25
  • 分光エリプソメータによるSiO2/SiC界面の光学的評価(III)
    緑川正彦, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉川正人, 伊藤久義, 吉田貞史
    第63回応用物理学会学術講演会 (25a-P7-23) (新潟) 2002. 9. 25
  • 酸化膜/SiC界面層に対する酸化後処理のXPS評価 (II)
    土方泰斗, 矢口裕之, 石田夕起, 吉川正人, 伊藤久義, 吉田貞史
    第63回応用物理学会学術講演会 (25a-p7-24) (新潟) 2002. 9. 25
  • 分光偏光解析によるGaP1-xNx混晶半導体の光学定数の評価
    金谷大, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史, 三吉靖郎, 尾鍋研太郎
    第63回応用物理学会学術講演会 (24a-YD-11) (新潟) 2002. 9. 24
  • GaAsN混晶のラマン測定
    西原信, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史, 青木大一郎, 飛田聡, 尾鍋研太郎
    第63回応用物理学会学術講演会 (24p-YD-3) (新潟) 2002. 9. 24
  • Time-Resolved Photoluminescence Study of GaAsN Alloys
    H. Yaguchi, M. Baba, H. Akiyama, D. Aoki, K. Onabe, Y. Hijikata and S. Yoshida
    International Workshop on Nitride Semiconductors (Aachen, Germany) 2002. 7.
  • Microstructure and absorption coefficient of Si-rich multicrystalline-SiGe bulk crystal with microscopic compositional distribution for solar cell applications
    T. Takahashi, K. Fujiwara, N. Usami, T. Ujihara, G. Sazaki, Y. Murakami, H. Yaguchi, K. Obara, T. Shishido and K. Nakajima
    21st Electronic Materials Symposium (H10) (Izu-Nagaoka) 2002. 6.
  • Time-resolved photoluminescence of GaAsN alloys grown by metalorganic vapor phase epitaxy
    H. Yaguchi, Y. Hijikata, S. Yoshida, M. Baba, H. Akiyama, D. Aoki and K. Onabe
    21st Electronic Materials Symposium (I6) (Izu-Nagaoka) 2002. 6.
  • ミクロ分散的組成分布を有するSiGe多結晶の光学特性
    高橋達也, 藤原航三, 宇佐美徳隆, 宇治原徹, 佐崎元, 村上義弘, 矢口裕之, 小原和夫, 宍戸統悦, 中嶋一雄
    第49回応用物理学関係連合講演会 (27a-ZR-4)（平塚） 2002. 3. 27
  • GaAsN混晶のフォトリフレクタンス
    西原信, 松本一男, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史, 青木大一郎, 片山竜二, 尾鍋研太郎
    第49回応用物理学関係連合講演会 (28p-ZQ-6)（平塚） 2002. 3. 28
  • GaAsN混晶の時間分解フォトルミネッセンス(II)
    矢口裕之, 秋山英文, 馬場基芳, 青木大一郎, 尾鍋研太郎, 土方泰斗, 吉田貞史
    第49回応用物理学関係連合講演会 (28p-ZQ-13)（平塚） 2002. 3. 28
  • NH3を窒素源とした3C-SiC(001)基板上への立方晶GaNのMBE成長(V)
    佐々木哲哉, 渡邊英之, 中田智成, 小川大輔, 折原操, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史
    第49回応用物理学関係連合講演会 (28p-ZM-26)（平塚） 2002. 3. 28
  • 赤外反射分光によるSiCウエハのキャリア濃度および移動度の評価
    成田勝俊, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史, 中島信一, 中武泰啓
    第49回応用物理学関係連合講演会 (29a-ZR-4)（平塚） 2002. 3. 29
  • 酸化膜/SiC界面層に対する酸化後処理の影響についてのXPS評価
    土方泰斗, 矢口裕之, 吉川正人, 伊藤久義, 吉田貞史
    第49回応用物理学関係連合講演会 (29a-ZR-9)（平塚） 2002. 3. 29
  • 分光エリプソメータによるSi02/SiC界面の光学的評価(II)
    緑川正彦, 富岡雄一, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉川正人, 伊藤久義, 石田夕起, 吉田貞史
    第49回応用物理学関係連合講演会 (29a-ZR-10)（平塚） 2002. 3. 29
  • ガスソースMBE法によるSi (111)基板上へのGaN膜の成長
    中田智成, 松原弘高, 佐々木哲哉, 渡邊英之, 折原操, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史
    第49回応用物理学関係連合講演会 (30a-ZM-16)（平塚） 2002. 3. 30
  • Characterization of Oxide/SiC Interfaces by Spectroscopic Ellipsometry and XPS
    S. Yoshida, Y. Tomioka, M. Midorikawa, Y. Hijikata, and H. Yaguchi
    Japanese-Spanish-German Workshop 2002 on Recent Progress in Advanced Materials, Devices, Processing and Characterization (Cordoba, Spain) 2002. 3.