Yaguchi

発表 2003


  • 分光エリプソメータによるSiC上の初期酸化過程観察
    関口聡, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史
    応用物理学会SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第12回講演会 (奈良) 2003. 11.
  • 光電子分光法による酸化膜/SiC 界面の評価
    土方泰斗, 矢口裕之, 石田夕起, 吉川正人, 神谷富裕, 吉田貞史
    応用物理学会SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第12回講演会 (奈良) 2003. 11.
  • 赤外反射分光による4H-SiCのイオン注入層の結晶性及び電気特性の評価
    成田勝俊, 土方泰斗, 矢口裕之, 中嶋信一, 先崎純寿, 吉田貞史
    応用物理学会SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第12回講演会 (奈良) 2003. 11.
  • Photoemission Spectroscopic Studies on Oxide/SiC Interfaces Formed by Dry and Pyrogenic Oxidation
    Y. Hijikata, H. Yaguchi, Y. Ishida, M. Yoshikawa, T. Kamiya, and S. Yoshida
    10th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 (Lyon) 2003. 10.
  • Characterization of electrical properties in high-dose implanted and post-implanted-annealed 4H-SiC wafers using infrared reflectance spectroscopy
    K. Narita, Y. Hijikata, H. Yaguchi, S. Yoshida, S. Senzaki, and S. Nakashima
    10th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 (Lyon) 2003. 10.
  • 希薄GaAsN混晶のフォトルミネッセンス
    青木貴嗣, 森桶利和, 呉 智元, 秋山英文, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史, 青木大一郎, 尾鍋研太郎
    第64回応用物理学会学術講演会 (1p-K-7) (福岡) 2003. 9. 1
  • GaAs基板上に成長したGaAsN混晶のフォトルミネッセンス
    森桶利和, 青木貴嗣, 呉 智元, 馬場基芳, 秋山英文, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史, 青木大一郎, 尾鍋研太郎
    第64回応用物理学会学術講演会 (1p-K-8) (福岡) 2003. 9. 1
  • ラマン分光によるGaInNAs混晶の結晶構造の評価
    本村寛, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史, 飛田　聡, 尾鍋研太郎
    第64回応用物理学会学術講演会 (1p-K-15) (福岡) 2003. 9. 1
  • 窒素プラズマ及びNH3を組み合わせた3C-SiC(001)基板上への立方晶GaNのMBE成長
    三浦輝人, 西田謙二, 北村芳広, 折原 操, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史
    第64回応用物理学会学術講演会 (1p-G-18) (福岡) 2003. 9. 1
  • RF-MBE法を用いた立方晶InNの結晶成長
    西田謙二, 三浦輝人, 北村芳広, 岩橋洋平, 折原 操, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史
    第64回応用物理学会学術講演会 (31p-G-8) (福岡) 2003. 8. 31
  • 分光エリプソメータによるSiC上の初期酸化過程観察(II)
    関口聡, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史
    第64回応用物理学会学術講演会 (2a-B-3) (福岡) 2003. 9. 2
  • Spring-8, 分光エリプソメトリ, C-V法による4H-SiC及び6H-SiC上酸化膜の評価
    土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史, 高田恭孝, 小林啓介, 辛埴, 野平博司, 服部健雄
    第64回応用物理学会学術講演会 (2a-B-4) (福岡) 2003. 9. 2
  • Improvement in the luminescence efficiency of GaAsN alloys by photoexcitation
    H. Yaguchi, T. Morioke, T. Aoki, Y. Hijikata, S. Yoshida, H. Akiyama , N. Usami, D. Aoki, and K. Onabe
    5th International Conference on Nitride Semiconductors (Nara) 2003. 5.
  • Spectroscopic ellipsometry study on the dielectric functions of GaPN alloys
    H. Kanaya, H. Yaguchi, Y. Hijikata, S. Yoshida, S. Miyoshi, and K. Onabe
    5th International Conference on Nitride Semiconductors (Nara) 2003. 5.
  • Raman study of the strain and homogeneity in GaAsN alloys
    M. Nishihara, H. Yaguchi, Y. Hijikata, S. Yoshida, D. Aoki, A. Hida A, and K. Onabe
    5th International Conference on Nitride Semiconductors (Nara) 2003. 5.
  • GaPN混晶の誘電関数の温度依存
    金谷大, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史, 三吉 靖郎, 尾鍋研太郎
    第50回応用物理学関係連合講演会 (30a-YA-12) (横浜) 2003. 3. 30
  • レーザ照射によるGaAsN混晶の発光効率の向上
    矢口裕之, 森桶利和, 青木貴嗣, 土方泰斗, 吉田貞史, 宇佐美徳隆, 秋山英文, 青木大一郎, 尾鍋研太郎
    第50回応用物理学関係連合講演会 (30a-YA-1) (横浜) 2003. 3. 30
  • NH3を窒素源とした3C-SiC(001)基板上への立方晶GaNのMBE成長
    三浦輝人, 佐々木哲哉, 中田智成, 西田謙二, 折原操, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史
    第50回応用物理学関係連合講演会 (30a-V-4) (横浜) 2003. 3. 30
  • 酸化膜/SiC界面層に対する酸化後処理のUPS評価
    土方泰斗, 矢口裕之 , 石田夕起, 吉川正人, 神谷富裕, 吉田貞史
    第50回応用物理学関係連合講演会 (29p-ZB-1) (横浜) 2003. 3. 29
  • 赤外反射分光による4H-SiCのイオン注入層の厚さ及び電気特性の評価
    成田勝俊, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史, 中嶋信一, 先崎純寿, 山本武継
    第50回応用物理学関係連合講演会 (29a-ZB-5) (横浜) 2003. 3. 29
  • in situ分光エリプソメータによるSiC/酸化膜界面の光学評価
    関口聡, 川戸郷史, 吉田 聡, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史
    第50回応用物理学関係連合講演会 (29p-ZB-2) (横浜) 2003. 3. 29
  • Photoemission Spectroscopy and In-Situ Spectroscopic Ellipsometry Studies on the Ar Post-Oxidation-Annealing Effects
    Y. Hijikata, S. Kawato, S. Sekiguchi, H. Yaguchi, Y. Ishida, M. Yoshikawa, T. Kamiya and S. Yoshida
    1st Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (Awajishima) 2003. 3.