発表 2007
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In-situ 分光エリプソメータによるSiC の極薄膜厚領域における酸化過程の観察
高久 英之, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第16回講演会 P-42 (名古屋)
2007. 11. 29
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分光エリプソメータによるSiO2/SiC界面の光学的評価 -酸化法, 面方位依存性-(2)
橋本 英樹, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第16回講演会 P-43 (名古屋)
2007. 11. 29
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In-situ 分光エリプソメータによるSiC 酸化速度の酸素分圧依存性測定
山本健史, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史
SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第16回講演会 P-44 (名古屋)
2007. 11. 29
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SiC 酸化速度の極薄膜厚領域におけるモデル計算
土方泰斗, 山本健史, 矢口裕之, 吉田貞史
SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第16回講演会 P-45 (名古屋)
2007. 11. 29
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Model Calculation of SiC Oxidation Rates in the Thin Oxide
Regime
Y. Hijikata, T. Yamamoto, H. Yaguchi, and S. Yoshida
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2007, Mo-P-63 (Otsu, Japan)
2007. 10. 15
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Oxygen-Partial-Pressure Dependence of SiC Oxidation Rate Studied
by In-situ Spectroscopic Ellipsometry
T. Yamamoto, Y. Hijikata, H. Yaguchi, and S. Yoshida
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2007, Mo-P-64 (Otsu, Japan)
2007. 10. 15
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Improvement of the Surface Morphology of a-Plane InN Using
Low-Temperature InN Buffer Layers
G. Shikata, S. Hirano, T. Inoue, M. Orihara, Y. Hijikata, H. Yaguchi, S. Yoshida
7th International Conference on Nitride Semiconductors, BB3 (Las Vegas, USA) 2007. 9. 20
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Lattice Polarity Determination for GaN by Modulation Spectroscopy
R. Katayama, H. Yaguchi, K. Onabe
7th International Conference on Nitride Semiconductors, JJ3 (Las Vegas, USA) 2007. 9. 20
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Photoluminescence of Cubic InN Films on MgO(001) Substrates
T. Inoue, Y. Iwahashi, S. Oishi, M. Orihara, Y. Hijikata, H. Yaguchi, S. Yoshida
7th International Conference on Nitride Semiconductors, WP59 (Las Vegas, USA) 2007. 9. 19
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Photoluminescence Study of Hexagonal InN/InGaN Quantum Well
Structures Grown on 3C-SiC (001) Substrates by Molecular Beam
Epitaxy
S. Hirano, T. Inoue, G. Shikata, M. Orihara, Y. Hijikata, H. Yaguchi, S. Yoshida
7th International Conference on Nitride Semiconductors, WP60 (Las Vegas, USA) 2007. 9. 19
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分光エリプソメトリによるInGaN混晶の光学的特性評価
塚越裕介, 折原操, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史, 崔成伯, 石谷善博, 吉川明彦
第68回応用物理学会学術講演会 (5a-ZR-3)（札幌）2007. 9. 5
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RF-MBE法を用いた4H-SiC基板(0001)面および(000-1)面上へのInGaN成長
折原操, 四方剛, 井上赳, 塚越裕介, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史
第68回応用物理学会学術講演会 (6a-ZS-11)（札幌）2007. 9. 6
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分光エリプソメータによるSiO2/SiC界面の光学的評価〜酸化法, 面方位依存性〜
橋本英樹, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史
第68回応用物理学会学術講演会 (6p-ZN-2)（札幌）2007. 9. 6
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In-situ分光エリプソメ-タによるSiC酸化速度の酸素分圧依存性測定
山本健史, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史
第68回応用物理学会学術講演会 (6p-ZN-3)（札幌）2007. 9. 6
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SiC酸化速度の極薄膜厚領域におけるモデル計算
土方泰斗, 山本健史, 矢口裕之, 吉田貞史
第68回応用物理学会学術講演会 (6p-ZN-4)（札幌）2007. 9. 6
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窒素をデルタドープしたGaAsにおける単一の等電子トラップからの発光の偏光特性
遠藤雄太, 伊藤正俊, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史, 吉田正裕, 秋山英文, 中島史博, 片山竜二, 尾鍋研太郎
第68回応用物理学会学術講演会 (7a-E-6)（札幌）2007. 9. 7
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窒素をデルタドープしたGaP中の等電子トラップからの発光
伊藤正俊, 遠藤雄太, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史, 吉田正裕, 秋山英文, 中島史博, 片山竜二, 尾鍋研太郎
第68回応用物理学会学術講演会 (7a-E-7)（札幌）2007. 9. 7
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光照射によるGaInAsN混晶の発光効率向上に関する研究
谷岡健太郎, 遠藤雄太, 伊藤正俊, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史, 片山竜二, 尾鍋研太郎, 吉田正裕, 秋山英文
第68回応用物理学会学術講演会 (7p-E-2)（札幌）2007. 9. 7
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変調分光法によるGaNの極性評価
片山竜二, 矢口裕之, 尾鍋研太郎
第68回応用物理学会学術講演会 (8a-ZQ-8)（札幌）2007. 9. 8
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Twin photoluminescence peaks from single isoelectronic traps in nitrogen delta-doped GaAs
Y. Endo, Y. Hijikata, H. Yaguchi, S. Yoshida, M. Yoshita, H. Akiyama, F. Nakajima, R. Katayama and K. Onabe
13th International Conference on Modulated Semiconductor Structures (PM11) (Genova, Italy) 2007. 7. 17
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Modulation spectroscopic investigation on lattice polarity of GaN
R. Katayama, H. Yaguchi, and K. Onabe
26th Electronic Materials Symposium (E9) (Moriyama) 2007. 7. 5
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窒素をデルタドープしたGaAsにおける等電子トラップからの発光
遠藤雄太, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史, 吉田正裕, 秋山英文, 中島史博, 片山竜二, 尾鍋研太郎
第54回応用物理学連合学術講演会(29p-Q-14) p. 358（相模原）2007. 3. 29
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RF-MBE法によるGaNバッファー層を用いたサファイアR面基板上へのA面InNの成長
四方剛, 平野茂, ファリズ・アブドウルラーシッド, 平山秀樹, 折原操, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史
第54回応用物理学連合学術講演会(30a-ZG-5) p. 408（相模原）2007.3.30
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RF-MBE法を用いた3C-SiC基板上へのInN/InGaN量子井戸構造の作製
平野茂, 四方剛, 井上赳, 塚越裕介, 折原操, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史
第54回応用物理学連合学術講演会(30p-ZG-2) p. 411（相模原）2007. 3. 30
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RF-MBE法を用いた4H-SiC基板上へのInN/InGaN量子井戸構造の作製(III)
折原操, 平野茂, 四方剛, 井上赳, 塚越裕介, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史
第54回応用物理学連合学術講演会(30p-ZG-3) p. 412（相模原）2007. 3. 30
