発表 2009

In-situ分光エリプソメータによる低酸素分圧下におけるSiC酸化過程の観察
甲田景子, 土方泰斗, 矢口裕之吉田貞史
SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第18回講演会(P-26) (神戸) 2009. 12. 17
4H-SiC/酸化膜界面の光学的および電気的評価
若林敬浩, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史
SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第18回講演会(P-32) (神戸) 2009. 12. 17
SiおよびC原子放出モデルに基づく様々な酸化温度におけるSiC 酸化速度のモデル計算
土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史
SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第18回講演会(P-74) (神戸) 2009. 12. 17
RF-MBE Growth of InN on 4H-SiC(0001) with Off-angles
M. Orihara, S. Takizawa, T. Sato, Y. Ishida, S. Yoshida, Y. Hijikata, H. Yaguchi
8th International Conference on Nitride Semiconductors (ThP13) (Jeju, Korea) 2009. 10. 22
In-situ Spectroscopic Ellipsometry Study of SiC Oxidation at Low Oxygen-Partial-Pressures
K. Kouda, Y. Hijikata, H. Yaguchi, S. Yoshida
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2009 (Tu-P-40) (Nurnberg, Germany) 2009. 10. 13
Model calculation of SiC oxide growth rate at various oxidation temperatures based on the silicon and carbon emission model
Y. Hijikata, H. Yaguchi, S. Yoshida
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2009 (Th-3B-5) (Nurnberg, Germany) 2009. 10. 15
1H,1H,2H,2H-ヘンイコサフルオロ-1-ドデカノールと1-ヘキサデカノールの固体からの自発的展開による単分子膜形成についての研究
藤田やすか, ヴィレヌーヴ真澄美, 矢口裕之, 中原弘雄
第62回コロイドおよび界面化学討論会 (P065) (岡山) 2009. 9. 19
フォトリフレクタンスによるGaAsNの電子構造に関する研究
大久保航, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史, 片山竜二, 尾鍋研太郎
第70回応用物理学会学術講演会 (9p-C-6) (富山) 2009. 9. 9
極低窒素濃度GaAsNのフォトルミネッセンス励起分光測定
石川　輝, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史, 岡野真人, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二
第70回応用物理学会学術講演会 (9p-C-11) (富山) 2009. 9. 9
窒素δドープGaAs/AlGaAsヘテロ構造における等電子トラップからの発光
高宮健吾, 遠藤雄太, 福島俊之, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史, 岡野真人, 秋山英文, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二
第70回応用物理学会学術講演会 (9p-C-12) (富山) 2009. 9. 9
RF-MBE法による4H-SiC(0001)オフ基板上へのInN直接成長
折原　操, 瀧澤　伸, 佐藤貴紀, 石田夕起, 吉田貞史, 土方泰斗, 矢口裕之
第70回応用物理学会学術講演会 (10p-E-2) (富山) 2009. 9. 10
In-situ分光エリプソメ−タによる低酸素分圧下におけるSiC酸化過程の観察
甲田景子, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史
第70回応用物理学会学術講演会 (10p-M-11) (富山) 2009. 9. 10
Polarization properties of photoluminescence from individual isoelectronic traps in nitrogen delta-doped semiconductors: effect of host crystals
H. Yaguchi
The Second International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures (O-16) (Anan) 2009. 8. 11
GaAs(001)および(111)面基板上に作製した窒素δドープGaAs中の等電子トラップからの発光
福島俊之, 矢口裕之
第５回量子ナノ材料セミナー（さいたま）2009. 7. 29
Photoluminescence from single isoelectronic traps in nitrogen delta-doped GaAs grown on GaAs(111)A
T. Fukushima, M. Ito, Y. Hijikata, H. Yaguchi, S. Yoshida, M. Okano, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, R. Katayama, K. Onabe
The 14th International Conference on Modulated Semiconductor Structures (Tu-mP5) (Kobe) 2009. 7. 21
厚い酸化膜領域におけるSiCの酸化速度の測定
若林敬浩, 柴崎俊哉, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史
第56回応用物理学関係連合講演会 (30p-F-1) (つくば) 2009. 3. 30
界面Si及びC原子放出現象に基づくSiC酸化モデル
土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史
第56回応用物理学関係連合講演会 (30p-F-2) (つくば) 2009. 3. 30
In-situ 分光エリプソメ−タによるSiC 酸化速度の酸素分圧依存性測定(II)
甲田景子, 高久英之, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史
第56回応用物理学関係連合講演会 (30p-F-3) (つくば) 2009. 3. 30
InP(001)基板上へのInPN薄膜のMOVPE成長
関　裕紀, 窪谷茂幸, クァントゥティユ, 片山竜二, 矢口裕之, 尾鍋研太郎
第56回応用物理学関係連合講演会 (31p-J-6) (つくば) 2009. 3. 31
様々な面方位基板上に作製した窒素δドープGaAs中の等電子トラップからの発光(II)
福島俊之, 伊藤正俊, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史, 岡野真人, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 片山竜二, 尾鍋研太郎
第56回応用物理学関係連合講演会 (31p-J-16) (つくば) 2009. 3. 31
窒素をδドープしたGaP中の等電子トラップからの発光（III）
伊藤正俊, 福島俊之, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史, 岡野真人, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 片山竜二, 尾鍋研太郎
第56回応用物理学関係連合講演会 (31p-J-17) (つくば) 2009. 3. 31
Photoluminescence study of hexagonal InN/InGaN multiple quantum well structures grown on 3C-SiC (001) substrates by RF-MBE
H. Yaguchi, S. Hirano, M. Orihara, Y. Hijikata, and S. Yoshida
The 1st International Forum on Frontier Photonics (O-2) (Saitama) 2009. 3. 5
Characterization of 4H-SiC/SiO₂ interfaces using a deep ultraviolet spectroscopic ellipsometer
T. Wakabayashi, H. Seki, Y. Hijikata, H. Yaguchi and S. Yoshida
The 1st International Forum on Frontier Photonics (P-14) (Saitama) 2009. 3. 6
Photoluminescence from isoelectronic traps in nitrogen delta-doped GaAs grown on variously oriented GaAs surfaces
T. Fukushima, M. Ito, Y. Hijikata, H. Yaguchi, S. Yoshida, M. Okano, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, R. Katayama and K. Onabe
The 1st International Forum on Frontier Photonics (P-15) (Saitama) 2009. 3. 6