発表 2010

In-situ 分光エリプソメ−タによるSiC 酸化過程の酸素分圧依存性測定
Oxygen Partial Pressure Dependence of SiC Oxidation Process Observed by In-situ Spectroscopic Ellipsometry
甲田景子, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史
SiC 及び関連ワイドギャップ半導体研究会第19回講演会 (P-47) (つくば) 2010. 10. 21
極低窒素濃度GaAsNのフォトリフレクタンススペクトル
大久保航, 石川　輝, 八木修平, 土方泰斗, 吉田貞史, 片山竜二, 尾鍋研太郎, 矢口裕之
第71回応用物理学会学術講演会 (14p-ZV-1) (長崎) 2010. 9. 14
極低窒素濃度GaAsN中の等電子トラップからの発光に対する一軸応力の影響
新井佑也, 遠藤雄太, 八木修平, 土方泰斗, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二, 矢口裕之
第71回応用物理学会学術講演会 (14p-ZV-2) (長崎) 2010. 9. 14
極低窒素濃度GaAsNにおける窒素ペアからの発光の窒素濃度依存性
石川　輝, 八木修平, 土方泰斗, 吉田貞史, 岡野真人, 望月敏光, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二, 矢口裕之
第71回応用物理学会学術講演会 (14p-ZV-3) (長崎) 2010. 9. 14
窒素δドープGaAs中の等電子トラップを形成する窒素原子対配列に関する研究
星野真也, 遠藤雄太, 福島俊之, 高宮健吾, 八木修平, 土方泰斗, 望月敏光, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二, 矢口裕之
第71回応用物理学会学術講演会 (14p-ZV-5) (長崎) 2010. 9. 14
窒素δドープGaAs/AlGaAsヘテロ構造における等電子トラップからの発光特性評価
高宮健吾, 遠藤雄太, 福島俊之, 星野真也, 八木修平, 土方泰斗, 望月敏光, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二, サノーピンサクンタム, 矢口裕之
第71回応用物理学会学術講演会 (14p-ZV-6) (長崎) 2010. 9. 14
酸化中のSiC層へのSiおよびC原子放出についての理論的検討
土方泰斗, 八木修平, 矢口裕之, 吉田貞史
第71回応用物理学会学術講演会 (15a-ZS-10) (長崎) 2010. 9. 15
Theoretical studies for Si and C emission into SiC layer during oxidation
Y. Hijikata, H. Yaguchi, and S. Yoshida
8th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (Mo3-6) (Oslo, Norway) 2010. 8. 30
High cubic-phase purity InN on MgO (001) using cubic-phase GaN as buffer layer
S. Sanorpim, S. Kuntharin, H. Yaguchi, Y. Iwahashi, M. Orihara, Y. Hijakata, S. Yoshida
30th International Conference on the Physics of Semiconductors (ThE3-5) (Seoul, Korea) 2010. 7. 29
様々な面方位基板上に作製した窒素δドープGaAs中の等電子トラップからの発光(III)
福島俊之, 高宮健吾, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史, 岡野真人, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二
第57回応用物理学関係連合講演会(18p-TW-7)(平塚)2010. 3. 18