発表 2014


  • Taming Spins in a Band-gap Engineered Germanium by Light Touch
    S. Hayashi, T. Tayagaki, Y. Okawa, Y. Yasutake, H. Yaguchi, Y. Kanemitsu, and S. Fukatsu
    2014 Workshop on Innovative Nanoscale Devices and Systems (Hawaii, USA) 2014. 12. 3
  • Molecular Beam Epitaxy Growth of Intermediate Band Materials Based on GaAs:N δ-Doped Superlattices
    T. Suzuki, K. Osada, S. Yagi, S. Naito, Y. Hijikata, Y. Okada, and H. Yaguchi
    6th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (1TuO.7.4) (Kyoto) 2014. 11. 25
  • Control of Intermediate Band Configuration in GaAs:N δ-doped Superlattice
    K. Osada, T, Suzuki, S. Yagi, S. Naito, Y. Shoji, Y. Okada, Y. Hijikata, and H. Yaguchi
    6th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (1WePo.1.9) (Kyoto) 2014. 11. 26
  • In -situ 分光エリプソメータによるSiC酸化過程の面方位依存性測定 (II)
    後藤大祐, 八木修平, 土方泰斗, 矢口裕之
    先進パワー半導体分科会 第 1回講演会 (P-53) (名古屋) 2014. 11. 19
  • フォトルミネッセンス法による4H -SiCエピ層中の酸化誘因欠陥観察 宮野祐太郎, 八木修平, 土方泰斗, 矢口裕之
    先進パワー半導体分科会 第 1回講演会 (P-89) (名古屋) 2014. 11. 19
  • Photoluminescence Study of Oxidation-Induced Stacking Faults in 4H-SiC Epilayers
    Y. Miyano, S. Yagi, Y. Hijikata, H. Yaguchi
    10th Europian Concerence on Silicon Carbide and Related Materilas (We-P-44) (Grenoble, France) 2014. 9. 24
  • Surface orientation dependence of SiC oxidation process studied by in-situ spectroscopic ellipsometry
    D. Goto, S. Yagi, Y. Hijikata, H. Yaguchi
    10th Europian Concerence on Silicon Carbide and Related Materilas (We-P-58) (Grenoble, France) 2014. 9. 24
  • Geの磁場中時間分解円偏光フォトルミネッセンス
    安武裕輔, 矢口裕之, 深津 晋
    第75回応用物理学会秋季学術講演会 (17p-PA3-7) (札幌) 2014. 9. 17
  • 中間バンド型太陽電池に向けたGaAs:Nδドープ超格子のMBE成長
    鈴木智也, 長田一輝, 八木修平, 内藤俊弥, 土方泰斗, 岡田至崇, 矢口裕之
    第75回応用物理学会秋季学術講演会 (19p-PB3-10) (札幌) 2014. 9. 19
  • SiC酸化へのArアニール導入による酸化膜成長速度の変化
    今野良太郎, 八木修平, 土方泰斗, 矢口裕之
    第75回応用物理学会秋季学術講演会 (19a-PB5-11) (札幌) 2014. 9. 19
  • GaAs:N δドープ超格子による中間バンド構造のエネルギー制御
    長田一輝, 鈴木智也, 八木修平, 内藤駿弥, 庄司 靖, 岡田至崇, 土方泰斗, 矢口裕之
    第75回応用物理学会秋季学術講演会 (19a-S1-6) (札幌) 2014. 9. 19
  • Parallel-Antiparallel Spin Orientation Control In The Conduction Band Valleys Of Ge
    S. Hayashi, T. Tayagaki, Y. Okawa, Y. Yasutake, H. Yaguchi, Y. Kanemitsu, S. Fukatsu
    Europian Materials Research Society 2014 Fall Meeting (8 2) (Warsaw, Poland) 2014. 9. 16
  • 二波長励起PLによるGaPN混晶の光学特性評価
    末次 麻希子, A. Z. M. Touhidul Islam, 花岡 司, 福田 武司, 鎌田 憲彦, 八木 修平, 矢口 裕之
    平成26年度(第47回)照明学会全国大会 (10-3) (さいたま) 2014. 9. 5
  • Luminescence and Quenching Properties in GaPN Revealed by Below-Gap Excitation
    M. Suetsugu, A. Z. M. Touhidul Islam, T. Hanaoka, T. Fukuda, N. Kamata, S. Yagi, and H. Yaguchi
    The 14th International Symposium on the Science and Technology of Lighting (CP16) (Como, Italy) 2014. 6. 23
  • Resonant tunneling of electrons through cubic-InN quantum dots embedded in GaN
    S. Yagi, J. Suzuki, M. Orihara, Y. Hijikata, H. Yaguchi
    The 41st International Symposium on Compound Semiconductors (P45) (Montpellier, France) 2014. 5. 12
  • Anomalous excitation power dependence of the luminescence from GaAsN/GaAs quantum well
    Y. Yamazaki, S. Yagi, Y. Hijikata, K. Onabe, H. Yaguchi
    The 41st International Symposium on Compound Semiconductors (P48) (Montpellier, France) 2014. 5. 12
  • 二波長PL測定によるGaPN混晶の中間バンドの観測
    末次麻希子, トウヒドル イスラム, 村越尚輝, 花岡 司, 鎌田憲彦, 矢口裕之
    第61回応用物理学会春季学術講演会 (18p-E11-2) (相模原) 2014. 3. 18
  • RF-MBE法によるGaAs(110)基板上へのGaNの成長
    五十嵐健, 折原 操, 八木修平, 土方泰斗, 窪谷茂幸, 片山竜二, 矢口裕之
    第61回応用物理学会春季学術講演会 (20a-PG1-15) (相模原) 2014. 3. 20