発表 2015


  • 円偏光PLEによるGe直接遷移端への光スピン注入
    安武 裕輔, 太野垣 健, 大川 洋平, 矢口 裕之, 金光 義彦, 深津 晋
    第76回応用物理学会秋季学術講演会 (14a-2N-8) (名古屋) 2015. 9. 14
  • 第一原理計算によるInAsN混晶の伝導帯の解析
    宮崎 貴史, 八木 修平, 矢口 裕之
    第76回応用物理学会秋季学術講演会 (13p-PB2-1) (名古屋) 2015. 9. 13
  • 第一原理計算によるGaAs:N δドープ超格子における光学遷移に関する研究
    吉川 洋生, 八木 修平, 矢口 裕之
    第76回応用物理学会秋季学術講演会 (13p-PB2-2) (名古屋) 2015. 9. 13
  • GaAs MBE成長におけるEr原子の表面偏析の温度依存性
    金 日国, 高宮 健吾, 八木 修平, 土方 泰斗, 矢口 裕之
    第76回応用物理学会秋季学術講演会 (13p-PB2-3) (名古屋) 2015. 9. 13
  • Er ドープGaAsからの発光に対する低温成長の影響
    飯村 啓泰, 金 日国, 高宮 健吾, 八木 修平, 矢口 裕之
    第76回応用物理学会秋季学術講演会 (13p-PB2-4) (名古屋) 2015. 9. 13
  • AlAs/GaAs分布ブラッグ反射鏡を有するEr δ ドープGaAsの発光特性
    須藤 真樹, 金 日国, 高宮 健吾, 八木 修平, 矢口 裕之
    第76回応用物理学会秋季学術講演会 (13p-PB2-5) (名古屋) 2015. 9. 13
  • 微傾斜基板を用いたシングルドメイン立方晶GaNの成長と立方晶InNドット配列の形成
    石井 健一, 折原 操, 八木 修平, 矢口 裕之
    第76回応用物理学会秋季学術講演会 (14p-PB12-19) (名古屋) 2015. 9. 14
  • フォトルミネッセンス法による4H-SiCエピ層中の酸化誘因欠陥の観察
    浅藤 亮祐, 八木 修平, 土方 泰斗, 矢口 裕之
    第76回応用物理学会秋季学術講演会 (15a-1A-11) (名古屋) 2015. 9. 15
  • Optical and Structural Characterization of GaAs:N δ-Doped Superlattices Grown by Molecular Beam Epitaxy
    S. Yagi, Y. Sato, N. Ueyama, T. Suzuki, K. Osada, Y. Okada, and H. Yaguchi
    5th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures (I-20) (Hsinchu, Taiwan) 2015. 9. 8
  • Epitaxial relationship of GaN grown on GaAs (110) by RF-molecular beam epitaxy
    T. Ikarashi, M. Orihara, S. Yagi, S. Kuboya, R. Katayama, and H. Yaguchi
    11th International Conference on Nitride Semiconductors (TuGP25) (Beijing, China) 2015. 9. 1
  • Lateral alignment of InN nano-scale dots grown on 4H-SiC (0001) vicinal substrates
    S. Mori, S. Yagi, M. Orihara, K. Takamiya and H. Yaguchi
    11th International Conference on Nitride Semiconductors (TuGP27) (Beijing, China) 2015. 9. 1
  • Nonradiative recombination pathway via the intermediate band in GaP1-xNx studied by below-gap excitation
    M. Suetsugu, M. Eriksson, K. F. Karlsson, P. O. Holtz, N. Kamata, S. Yagi and H. Yaguchi
    28th International Conference on Defects in Semiconductors (Espoo, Finland) 2015. 7. 31
  • 添加剤導入によるP3HT:PCBM混合膜の結晶成長過程のその場観察評価
    新井康司, 柴田陽生, 伊藤英輔, 小金澤智之, 宮寺哲彦, 近松真之, 矢口裕之
    第62回応用物理学会春季学術講演会 (11a-D2-9) (平塚) 2015. 3. 11
  • 4H-SiC(0001)微傾斜基板を用いたInNドット配列の自己形成
    森誠也, 高宮健吾, 折原操, 八木修平, 土方泰斗, 矢口裕之
    第62回応用物理学会春季学術講演会 (12p-P16-9) (平塚) 2015. 3. 12
  • 第一原理計算によるInAsN混晶のバンド構造に関する研究
    宮崎貴史, 八木修平, 土方泰斗, 矢口裕之
    第62回応用物理学会春季学術講演会 (13a-P15-2) (平塚) 2015. 3. 13
  • GaAs:N δドープ超格子を有する太陽電池の二段階吸収
    鈴木智也, 八木修平, 土方泰斗, 岡田至崇, 矢口裕之
    第62回応用物理学会春季学術講演会 (13p-P19-17) (平塚) 2015. 3. 13