発表 2016

Photoluminescence Characterization of Carrier Recombination Centers in 4H-SiC Substrates by Utilizing Below Gap Excitation
K. Kondo, N. Kamata, H. Yaguchi, S. Yagi, T. Fukuda and Z. Honda
11th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (MoP.34) (Halkidiki, Greece) 2016. 9. 26
新規可溶性オリゴチオフェン系材料を用いた有機薄膜太陽電池
秋山雄希, 橘浩昭, 阿澄玲子, 宮寺哲彦, 近松真之, 小金澤智之, 矢口裕之, 八木修平
第77回応用物理学会秋季学術講演会 (13p-P9-11) (新潟) 2016. 9. 13
レーザ照射によるGaInNAs混晶半導体の発光効率への影響
米倉成一, 高宮健吾, 八木修平, 上田修, 矢口裕之
第77回応用物理学会秋季学術講演会 (15p-P11-11) (新潟) 2016. 9. 15
4H-SiC微傾斜基板上に作製した自己組織化InN/GaNドットの配列性制御
松岡圭佑, 八木修平, 矢口裕之
第77回応用物理学会秋季学術講演会 (16a-P5-11) (新潟) 2016. 9. 16
Nano-Structural Characterization of Cubic InN Dots Grown on Single-Domain Cubic GaN by Transmission Electron Microscopy
S. Yagi, K. Ishii, H. Yaguchi
19th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (Mo-P-73) (Montpellier, France) 2016. 9. 5
Growth of InN/GaN Dots on 4H‐SiC(0001) 4° off Vicinal Substrates by Molecular Beam Epitaxy
K. Matsuoka, S. Yagi, H. Yaguchi
19th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (Mo-P-61) (Montpellier, France) 2016. 9. 5
Effect of Low Temperature Growth and a Distributed Bragg Reflector on the emission from Molecular Beam Epitaxy‐Grown Er δ‐doped GaAs
K. Takamiya, M. Suto, K. Iimura, S. Yagi, H. Yaguchi
19th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (Tu-P-2) (Montpellier, France) 2016. 9. 6
Two-Wavelength Excited Photoluminescence in 4H-SiC Substrate -Dependence on BGE Power Density-
K. Kondo, N. Kamata, S. Yagi, H. Yaguchi, T. Fukuda, and Z. Honda
43rd International Symposium on Compound Semiconductors (MoP-ISCS-001) (Toyama, Japan) 2016. 6. 27
Optical Characterization of Carrier Recombination Processes in GaPN by Two- Wavelength Excited Photoluminescence
M. Suetsugu, N. Kamata, S. Yagi, H. Yaguchi, T. Fukuda, F. Karlsson, and P.-O. Holtz
43rd International Symposium on Compound Semiconductors (MoP-ISCS-084) (Toyama, Japan) 2016. 6. 27
Self-Organized Growth of Cubic InN Dot Arrays on MgO (001) Vicinal Substrates
K. Ishii, S. Yagi, and H. Yaguchi
43rd International Symposium on Compound Semiconductors (MoP-ISCS-085) (Toyama, Japan) 2016. 6. 27
Optical Property of Acceptor-Donor-Acceptor Type Oligothiophenes
H. Tachibana, Y. Akiyama, T. Miyadera, H. Yaguchi, R. Azumi, M. Chikamatsu
26th IUPAC International Symposium on Photochemistry (1P06) (Osaka, Japan) 2016. 4. 4
添加剤導入によるP3HT薄膜の結晶成長過程のその場観察評価
新井康司, 宮寺哲彦, 小金澤智之, 秋山雄希, 杉田武, 近松真之, 八木修平, 矢口裕之
第63回応用物理学会春季学術講演会 (19p-W242-6) (東京) 2016. 3. 19
新規オリゴチオフェン系化合物の光学特性
橘浩昭, 秋山雄希, 宮寺哲彦, 矢口裕之, 阿澄玲子, 近松真之
第63回応用物理学会春季学術講演会 (19a-P3-2) (東京) 2016. 3. 19
MgO微傾斜基板上に作製した立方晶InNドット配列構造の堆積量依存性
石井健一, 八木修平, 矢口裕之
第63回応用物理学会春季学術講演会 (22a-P6-10) (東京) 2016. 3. 22
4H-SiC基板の二波長励起PL測定-BGE強度依存性-
近藤圭太郎, 福田武司, 本多善太郎, 鎌田憲彦, 八木修平, 矢口裕之
第63回応用物理学会春季学術講演会 (20a-H101-9) (東京) 2016. 3. 20
N極性(000-1)窒化物半導体混晶InGaNの結晶成長表面と発光素子応用
正直花奈子，高宮健吾，谷川智之，花田貴，野々田亮平，窪谷茂幸，秋山英文，矢口裕之，片山竜二，松岡隆志
平成27年度日本表面科学会東北・北海道支部学術講演会 (I-03) (仙台) 2016. 3. 9