Yaguchi

発表 2022


  • Effects of carrier blocking barrier height on two-step photocurrent generation in dilute nitride intermediate band solar cells
    Shuhei Yagi, Shun Numata, Yasushi Shoji, Yoshitaka Okada, Hiroyuki Yaguchi
    33rd International Photovoltaic Science and Engineering Conference (TuO-42-04) (Nagoya, Japan)
    2022. 11. 15
  • Investigation of self-assembled monolayer (SAM) as the hole transport layers in the perovskite solar cells
    Takuma Chigira, Takashi Funaki, Hiroyuki Yaguchi, Atsushi Kogo, Masayuki Chikamatsu, Takurou N Murakami
    33rd International Photovoltaic Science and Engineering Conference (TuP-41-40) (Nagoya, Japan)
    2022. 11. 15
  • Photocurrent enhancement by below bandgap excitation in GaPN
    Abdul Qayoom, Sanjida Ferdous, Shuhei Yagi, Hiroyuki Yaguchi
    33rd International Photovoltaic Science and Engineering Conference (TuP-42-02) (Nagoya, Japan)
    2022. 11. 15
  • Performance Enhancement on Perovskite Solar Cells with Self-Assembled Monolayer as the Hole Transport Materials
    Takuma Chigira, Takashi Funaki, Hiroyuki Yaguchi, Atsushi Kogo, Masayuki Chikamatsu,Takurou N. Murakami
    The 95th Japan Society of Colour Material (JSCM) Anniversary Conference (1A12) (Tokyo, Japan)
    2022. 10. 25
  • Effects of Mg doping into the core layer in AlGaN deep-UV LD structures
    Yuri Itokazu, Noritoshi Maeda, Hiroyuki Yaguchi, Hideki Hirayama
    International Workshop on Nitride Semiconductors 2022 (AT 177) (Berlin, Germany)
    2022. 10. 13
  • Current injection emission by high current density over 300 kA/cm2 from 280 nm LD structure using polarization doped p-cladding layer
    Fumiya Chugenji, Noritoshi Maeda, Yuri Itokazu, M. Ajmal Khan, Yasushi Iwaisako, Hiroyuki Yaguchi, Hideki Hirayama
    International Workshop on Nitride Semiconductors 2022 (Berlin, Germany)
    2022. 10. 11
  • Significant Improvement of Injection Efficiency in Deep-UV LD Structures by Light Mg Doping in p-Core Layer
    Yuri Itokazu, Noritoshi Maeda, Hiroyuki Yaguchi, Hideki Hirayama
    2022 International Conference on Solid State Devices and Materials (Chiba, Japan)
    2022. 9. 28
  • AlGaN系深紫外LD構造におけるコア層へのMgドーピング効果
    糸数 雄吏, 前田 哲利, 定 昌史, 矢口 裕之, 平山 秀樹
    第83回応用物理学会秋季学術講演会 (22p-C200-7) (仙台)
    2022. 9. 22
  • 減少傾斜分極ドープpクラッド層を有する280 nm帯AlGaN LD構造の作製
    仲元寺 郁弥, 前田 哲利, 矢口 裕之, 平山 秀樹
    第83回応用物理学会秋季学術講演会 (22p-C200-8) (仙台)
    2022. 9. 22
  • 第一原理計算によるInSb1-xNx混晶の電子構造解析
    藤川 紗千恵, 藤原 彬嵩, 矢口 裕之
    第83回応用物理学会秋季学術講演会 (22p-P10-2) (仙台)
    2022. 9. 22
  • ペロブスカイト太陽電池におけるホール輸送層としての自己組織化界面修飾材料(SAM)の検討
    千明 拓馬, 舩木 敬, 矢口 裕之, 古郷 敦史, 近松 真之, 村上 拓郎
    第83回応用物理学会秋季学術講演会 (22p-B103-3) (仙台)
    2022. 9. 22
  • レーザー照射によるGaPN混晶のフォトルミネッセンス強度減衰の温度依存性
    八木橋 善和, 高宮 健吾, 鎌田 憲彦, 八木 修平, 矢口 裕之
    第83回応用物理学会秋季学術講演会 (22p-P12-2) (仙台)
    2022. 9. 22
  • 時分解フォトルミネッセンス法を用いた超格子構造導入によるAlGaN量子井戸からの発光への効果の評価
    鎌田 昇平, 鎌田 憲彦, 八木 修平, 矢口 裕之
    第83回応用物理学会秋季学術講演会 (22p-P12-3) (仙台)
    2022. 9. 22
  • First-principles study of the band tail states and optical properties of gallium phosphide nitride alloys
    Hiroyuki Yaguchi
    35th International Conference on the Physics of Semiconductors 2022 (Sydney, Australia)
    2022. 6. 30
  • Arsenic composition dependence of up-conversion luminescence of gallium phosphide arsenide nitride alloys
    Kengo Takamiya, Sultan Md. Zamil, Shuhei Yagi, and Hiroyuki Yaguchi
    35th International Conference on the Physics of Semiconductors 2022 (Sydney, Australia)
    2022. 6. 28
  • AlGaN系深紫外LDのネットモード利得の波長依存性の解析
    糸数 雄吏, 前田 哲利, 矢口 裕之, 平山 秀樹
    第69回応用物理学会春季学術講演会 (26p-E203-10) (相模原)
    2022. 3. 26
  • ErドープGaAsからの発光線の励起強度依存性
    伊藤 駿平, 高宮 健吾, 小林 真隆, 八木 修平, 秋山 英文, 矢口 裕之
    第69回応用物理学会春季学術講演会 (23p-P07-6) (相模原)
    2022. 3. 23
  • 分極効果p型層を用いた280 nm帯LDの試作と高電流注入発光の観測
    仲元寺 郁弥, 前田 哲利, 糸数 雄吏, M. Ajmal Khan, 祝迫 恭, 矢口 裕之, 平山 秀樹
    第69回応用物理学会春季学術講演会 (26p-E203-9) (相模原)
    2022. 3. 26