Presentation 1991

• (In Japanese) 表面自由エネルギー制御による急峻な半導体ヘテロ界面の形成
  深津 晋, 藤田 研, 矢口 裕之, 白木 靖寛, 伊藤 良一
  電気学会電子材料研究会 (EMF-91-11)
  December 11, 1991
• (In Japanese) ラマン分光法によるGaAs上の立方晶GaNの評価
  矢口 裕之, 新田 芳基, 尾鍋 研太郎, 深津 晋, 白木 靖寛, 伊藤 良一
  応用物理学会第52回講演会 (9a X8) (Okayama, Japan)
  October 9, 1991
• (In Japanese) SiGe超格子中Sbのドーピング自己変調性
  藤田 研, 深津 晋, 矢口 裕之, 白木 靖寛, 伊藤 良一
  応用物理学会第52回講演会 (11p Z6) (Okayama, Japan)
  October 11, 1991
• (In Japanese) Si MBE成長におけるSbの非平衡表面偏析の濃度依存性
  Susumu Fukatsu , Ken Fujikta, Hiroyuki Yaguchi, Yasuhiro Shiraki, Ryoichi Ito
  応用物理学会第52回講演会 (11p Z7) (Okayama, Japan)
  October 11, 1991
• (In Japanese) Glide Velocity of Dislocations in Heteroepitaxial Thin Films
  Y. Yamashita, Y. Mera, K. Maeda, H. Yaguchi, Y. Shiraki
  The Physical Society of Japan 46th Annual Meeting (28p-K-10) (Sapporo, Japan)
  September 28, 1991
• Atomistic Picture of Interfacial Mixing in the Si/Ge Hetrostructures
  S. Fukatsu, K. Fujita, H. Yaguchi, Y. Shiraki and R. Ito
  5th Conference on Modulated Semiconductor Structures (MSS-5) (Nara, Japan)
  July 1991
• Kinetics of Ge Segregation in the Presence of Sb during Molecular Beam Epitaxy
  S. Fukatsu, K. Fujita, H. Yaguchi, Y. Shiraki and R. Ito
  4th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (Anaheim, USA)
  April 1991
• Suppression of Si/Ge Interfacial Mixing with Sb Deposition in Strained-Layer Superlattices
  K. Fujita, S. Fukatsu, H. Yaguchi, T. Igarashi, Y. Shiraki and R. Ito
  4th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (Anaheim, USA)
  April 1991
• Initial Oxidation of MBE-Grown Si Surfaces
  T. Igarashi, H. Yaguchi, K. Fujita, S. Fukatsu, Y. Shiraki, T. Hattori and R. Ito
  4th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (Anaheim, USA)
  April 1991
• Structural Characterization of Si/Ge Heterointerfaces by Secondary Ion Mass Spectroscopy
  S. Fukatsu, H. Yaguchi, K. Fujita,Y. Shiraki and R. Ito
  4th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (Anaheim, USA)
  April 1991
• (In Japanese) HBO₂ソースによるGe中のBのdelta-ドーピング
  矢口 裕之, 五十嵐 孝行, 藤田 研, 深津 晋, 白木 靖寛, 伊藤 良一
  応用物理学会第38回連合講演会 (29pZF11) (Hiratsuka, Japan)
  March 29, 1991
• (In Japanese) Si_1-xGe_x/Siエピタキシャル膜中のミスフィット転位の 上昇運動のその場観察
  山下 善文, 目良 裕, 前田 康二, 矢口 裕之, 藤田 研, 白木 靖寛
  応用物理学会第38回連合講演会 (30aZF2) (Hiratsuka, Japan)
  March 30, 1991
• (In Japanese) MBE法により形成されたシリコン表面の初期酸化
  五十嵐 孝行, 田村 佳哉, 矢口 裕之, 藤田 研, 深津 晋, 服部 健雄, 白木 靖寛, 伊藤 良一
  応用物理学会第38回連合講演会 (29aSY8) (Hiratsuka, Japan)
  March 29, 1991
• (In Japanese) SIMSを用いたSiGe界面における急峻性評価
  深津 晋, 藤田 研, 矢口 裕之, 白木 靖寛, 伊藤 良一
  応用物理学会第38回連合講演会 (30aZF8) (Hiratsuka, Japan)
  March 30, 1991
• (In Japanese) Si MBEにおけるGeの表面偏析の解析
  深津 晋, 藤田 研, 矢口 裕之, 白木 靖寛, 伊藤 良一
  応用物理学会第38回連合講演会 (30aZF9) (Hiratsuka, Japan)
  March 30, 1991
• (In Japanese) SbによるGeの表面偏析抑制の機構
  藤田 研, 深津 晋, 矢口 裕之, 五十嵐 孝行, 白木 靖寛, 伊藤 良一
  応用物理学会第38回連合講演会 (30aZF12) (Hiratsuka, Japan)
  March 30, 1991