Yaguchi

Presentation 1994


  • MOVPE Growth Features of Cubic GaN on (100) GaAs Substrates
    K. Onabe, S. Miyoshi, M. Nagahara, H. Yaguchi, Y. Shiraki and R. Ito
    2nd Workshop on Wide Bandgap Nitrides (St. Louis, USA) 1994. 10.
  • (In Japanese) 歪ヘテロ構造におけるバンド不連続
    矢口裕之
    日本学術振興会薄膜第131委員会第173回研究会 (黒部) 1994. 10. 21
  • (In Japanese) PRおよびPLによるGaAsP/GaP歪量子井戸構造におけるバンドラインアップの決定
    矢口 裕之, 杉田 卓史, 橋本 茂樹, 原 雄二郎, 尾鍋 研太郎, 白木 靖寛, 伊藤 良一
    応用物理学会第55回講演会 (19aV7) (名古屋) 1994. 9. 19
  • (In Japanese) GaP1-xNx混晶のバンドギャップ
    矢口 裕之, 井上 博史, 高田 北斗, 三吉 靖郎, 尾鍋 研太郎, 白木 靖寛, 伊藤 良一
    応用物理学会第55回講演会 (19pMG13) (名古屋)1994. 9. 19
  • (In Japanese) GaP1-xNx混晶のフォノンエネルギーのN組成依存性
    矢口 裕之, 島 明生, 一色 史雄, 三吉 靖郎, 尾鍋 研太郎, 白木 靖寛, 伊藤 良一
    応用物理学会第55回講演会 (19pMG14) (名古屋)1994. 9. 19
  • (In Japanese) (111)-GaAsP/AlGaAs歪み量子井戸構造の光物性
    張 雄, 唐木 幸一, 矢口 裕之, 尾鍋 研太郎, 白木 靖寛, 伊藤 良一
    応用物理学会第55回講演会(19aV4) (名古屋) 1994. 9. 19
  • (In Japanese) 成長中断によるMOVPE成長GaPN混晶組成の変化
    三吉 靖郎, 矢口 裕之, 尾鍋 研太郎, 白木 靖寛, 伊藤 良一
    応用物理学会第55回講演会 (19pMG12) (名古屋) 1994. 9. 19
  • (In Japanese) 引っ張り歪みGaAsP/AlGaAs量子細線のMOVPEによる作製
    潘 伍根, 矢口 裕之, 尾鍋 研太郎, 白木 靖寛, 伊藤 良一
    応用物理学会第55回講演会 (20aT2) (名古屋) 1994. 9. 20
  • Growth Parameters for Metastable GaP1-xNx Alloys in MOVPE
    S. Miyoshi, H. Yaguchi, K. Onabe, Y. Shiraki and R. Ito
    21st International Symposium on Compound Semiconductors (San Diego, USA) 1994. 9.
  • Photoreflectance and Photoluminescence Study of Direct- and Indirect-Gap Band Lineups of GaAsP/GaP Strained Quantum Wells
    H. Yaguchi, S. Hashimoto, T. Sugita, Y. Hara, K. Onabe, Y. Shiraki and R. Ito
    1994 International Conference on Solid State Devices and Materials (Yokohama) 1994. 8.
  • Luminescence Properties of GaAs/GaAsP Quantum Wires
    W. Pan, H. Yaguchi, K. Onabe, K. Wada, Y. Shiraki and R. Ito
    13th Symposium on Alloy Semiconductor Physics and Electronics (B4) (Izu-Nagaoka) 1994. 7. 20
  • Intermediate range between N-doped GaP and GaP1-xNx alloys: difference in optical properties
    S. Miyoshi, H. Yaguchi, K. Onabe, Y. Shiraki and R. Ito
    13th Symposium on Alloy Semiconductor Physics and Electronics (D8) (Izu-Nagaoka) 1994. 7. 21
  • Gamma- and X-point band lineups of GaAs1-xPx/GaP strained-layer quantum well structures
    H. Yaguchi, S. Hashimoto, T. Sugita, Y. Hara, K. Onabe, Y. Shiraki and R. Ito
    13th Symposium on Alloy Semiconductor Physics and Electronics (E9) (Izu-Nagaoka) 1994. 7. 21
  • Effect of growth interruption on the interface flatness in metalorganic vapor phase epitaxy-grown GaAs/GaAsP heterostructures
    K. Ota, H. Yaguchi. K. Onabe, Y. Shiraki and R. Ito
    13th Symposium on Alloy Semiconductor Physics and Electronics (F11) (Izu-Nagaoka) 1994. 7. 21
  • Intermediate Range Between N-Doped GaP and GaP1-xNx Alloys: Difference in Optical Properties
    S. Miyoshi, H. Yaguchi, K. Onabe, Y. Shiraki and R. Ito
    7th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (B2-2) (Yokohama) 1994. 5. 31
  • MOVPE Growth and Luminescence Properties of GaAs/GaAsP Quantum Wires
    W. Pan, H. Yaguchi, K. Onabe, K. Wada, Y. Shiraki and R. Ito
    7th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (A5-3) (Yokohama) 1994. 6. 1
  • Surface Orientation Dependence of Growth Rate of Cubic GaN
    M. Nagahara, S. Miyoshi, H. Yaguchi, K. Onabe, Y. Shiraki and R. Ito
    7th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (A10-2) (Yokohama) 1994. 6. 3
  • Effect of Growth Interruption on the Interface Flatness in Metalorganic Vapor Phase Epitaxy-Grown GaAs/GaAsP Heterointerface
    K. Ota, H. Yaguchi, K. Onabe, Y. Shiraki and R. Ito
    7th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (P1-15) (Yokohama) 1994. 6. 1
  • (In Japanese) GaAs/GaAsP量子細線の偏光特性
    潘 伍根, 太田 和伸, 矢口 裕之, 尾鍋 研太郎, 白木 靖寛, 伊藤 良一
    応用物理学会第41回連合会 (28pS11)（川崎）1994. 3. 28
  • (In Japanese) パターン基板上に成長した立方晶GaNからのPL
    長原 正樹, 潘 伍根, 三吉 靖郎, 矢口 裕之, 尾鍋 研太郎, 白木 靖寛, 伊藤 良一
    応用物理学会第41回連合会 (28pX4)（川崎）1994. 3. 28
  • (In Japanese) 低窒素濃度GaPN混晶のPLE評価
    三吉 靖郎, 矢口 裕之, 尾鍋 研太郎, 白木 靖寛, 伊藤 良一
    応用物理学会第41回連合会 (28pX5)（川崎）1994. 3. 28
  • (In Japanese) 光変調反射分光による半導体歪ヘテロ構造に関する研究
    矢口 裕之, 白木 靖寛
    平成5年度　固体エレクトロニクス・オプトエレクトロニクス研究発表会 （東京）1994. 3. 1
  • (In Japanese) 準安定混晶GaAsN, GaPNのMOVPE成長
    尾鍋 研太郎, 三吉 靖郎, 大河内 直紀, 矢口 裕之, 伊藤 良一, 白木 靖寛
    日本学術振興会薄膜第131委員会第170会研究会 (浜松) 1994. 2.
  • Selective Growth of Cubic GaN in Small Area on Patterned GaAs(100) Substrates by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
    M. Nagahara, S. Miyoshi, H. Yaguchi, K. Onabe, Y. Shiraki and R. Ito
    7th Topical Meeting on Crystal Growth Mechanism (Atagawa) 1994. 1.