Yaguchi

Presentation 2004


  • (In Japanese) 分光エリプソメータによるSiCの初期酸化過程の観察
    覚張光一, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史
    応用物理学会SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第13回講演会, P-61, p.127 (Nogoya, Japan) October, 2004
  • (In Japanese) 高エネルギー分解能光電子分光による4H-SiC(000-1)面上酸化膜の評価
    土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史, 高田恭孝, 小林啓介, 辛埴, 野平博司, 服部健雄
    応用物理学会SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第13回講演会, P-62, p.129 (Nagoya, Japan) October, 2004
  • (In Japanese) RF-MBE法によるMgO(001)基板上への立方晶GaNの成長
    多田宏之, 北村芳広, 岩橋洋平, 折原操, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史
    第65回応用物理学会学術講演会 (2p-T-9) (Sendai, Japan) September 2, 2004
  • (In Japanese) RF-MBE法を用いた立方晶InNの結晶成長(III)
    岩橋洋平, 北村芳広, 多田宏之, 折原操, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史
    第65回応用物理学会学術講演会 (2p-W-8) (Sendai, Japan) September 2, 2004
  • (In Japanese) RF-MBE法を用いた4H-SiC(0001)基板上へのInNの結晶成長
    北村芳広, 岩橋洋平, 多田宏之, 折原操, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史
    第65回応用物理学会学術講演会 (2p-W-13) (Sendai, Japan) September 2, 2004
  • (In Japanese) RF-MBE法を用いた4H-SiC基板上へのInGaN結晶成長
    折原操, 北村芳広, 岩橋洋平, 多田宏之, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史
    第65回応用物理学会学術講演会 (2p-W-14) (Sendai, Japan) September 2, 2004
  • (In Japanese) レーザ照射によるGaAsN混晶の発光効率向上の窒素濃度依存性
    森桶利和, 青木貴嗣, 呉智元, 吉田正裕, 秋山英文, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史, 青木大一郎, 尾鍋研太郎
    第65回応用物理学会学術講演会 (3p-W-7) (Sendai, Japan) September 3, 2004
  • (In Japanese) ラマン散乱分光法によるInAsN混晶の評価
    本村寛, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史, 飛田聡, 西尾晋, 片山竜二, 尾鍋研太郎
    第65回応用物理学会学術講演会 (3p-W-8) (Sendai, Japan) Septembr 3, 2004
  • (In Japanese) 低窒素濃度GaPN混晶のフォトルミネッセンス
    青木貴嗣, 森桶利和, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史, 張保平, 三吉靖郎, 尾鍋研太郎
    第65回応用物理学会学術講演会 (3p-W-9) (Sendai, Japan) September 3, 2004
  • (In Japanese) 分光エリプソメータによるSiCの初期酸化過程の観察 (IV)
    覚張光一, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史
    第65回応用物理学会学術講演会 (4p-K-5) (Sendai, Japan) September 4, 2004
  • Characterization of Oxide Films on SiC Epitaxial (000-1) Faces by Angle-Resolved Photoemission Spectroscopic Measurements using Synchrotron Radiation
    Y. Hijikata, H. Yaguchi, S. Yoshida, Y. Takata, K. Kobayashi, S. Shin, H. Nohira, and T. Hattori
    5th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (Bologna, Italy) 2004. 9.
  • Growth of high-quality hexagonal InN on 3C-SiC (001) by molecular beam epitaxy
    H. Yaguchi, Y. Kitamura, K. Nishida, Y. Iwahashi, Y. Hijikata and S. Yoshida
    International Workshop on Nitride Semiconductors (Pittsburgh, USA) 2004. 7.
  • (In Japanese) 極低窒素濃度GaAsN混晶からのフォトルミネッセンス
    青木貴嗣, 森桶利和, 呉智元, 秋山英文, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史, 青木大一郎, 尾鍋研太郎
    第51回応用物理学関係連合講演会 (30p-YG-8) (Hachioji, Japan) March 30, 2004
  • (In Japanese) GaP1-xNx混晶のフォトルミネッセンススペクトルの励起強度依存性
    金谷大, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史, 張保平, 三吉靖郎, 尾鍋研太郎
    第51回応用物理学関係連合講演会 (30p-YG-19) (Hachioji, Japan) March 30, 2004
  • (In Japanese) RF-MBE法を用いた3C-SiC(001)基板上へのInNの結晶成長
    北村芳広, 西田謙二, 岩橋洋平, 折原操, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史
    第51回応用物理学関係連合講演会 (29p-YN-7) (Hachioji, Japan) March 29, 2004
  • (In Japanese) RF-MBE法を用いた立方晶InNの結晶成長(II)
    西田謙二, 三浦輝人, 北村芳広, 岩橋洋平, 折原操, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史
    第51回応用物理学関係連合講演会 (29p-YN-8) (Hachioji, Japan) March 29, 2004
  • (In Japanese) シンクロトロン放射光を用いた角度分解光電子分光法による SiC(000-1)エピ面上酸化膜の 評価
    土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史, 高田恭孝, 小林啓介, 辛埴, 野平博司, 服部健雄
    第51回応用物理学関係連合講演会 (29p-ZM-1) (Hachioji, Japan) March 29, 2004
  • (In Japanese) 分光エリプソメータによる SiC上酸化膜の初期酸化過程観察(III) 評価
    覚張光一, 関口聡, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史
    第51回応用物理学関係連合講演会 (29p-ZM-3) (Hachioji, Japan) March 29, 2004
  • Epitaxial Growth of Hexagonal and Cubic InN Films
    K. Nishida, Y. Kitamura, Y. Hijikata, H. Yaguchi, and S. Yoshida
    5th International Symposium on Blue Laser and Light Emitting Diodes (Pa14) (Gyeongju, Korea) March 16, 2004
  • Epitaxial Growth of Hexagonal and Cubic InN Films and Their Properties
    S. Yoshida, K. Nishida, Y. Kitamura, M. Orihara, Y. Hijikata, and H. Yaguchi
    Japan, Germany and Spain Workshop on Advanced Semiconductor Optoelectronic Devices and Materials (Yufuin, Japan) March, 2004