Yaguchi

Presentation 1996


  • MOVPE Growth of AlGaAs Tetrahedral-Shaped Recesses on GaAs(111)B Substrates
    T. Tsujikawa, W. Pan, K. Momma, M. Kudo, K. Tanaka, H. Yaguchi, K. Onabe, Y. Shiraki and R. Ito
    1996 International Symposium on Formation, Physics and Device Application of Quantum Dot Structures (Sapporo) November, 1996.
  • In-plane polarization properties of GaAsP/AlAs strained quantum wells on GaAs (113)A and (114)A substrates
    N. Hiroyasu, H. Yaguchi, K. Onabe, Y. Shiraki and R. Ito
    23rd International Symposium on Compound Semiconductors (St. Petersburg, Russia) September, 1996.
  • (In Japanese) GaP1-xNx混晶における緩和過程の温度依存性
    矢口 裕之, 三吉 靖郎, 琵琶 剛志, 木船 雅也, 秋山 英文, 尾鍋 研太郎, 白木 靖寛, 伊藤 良一
    第57回応用物理学会学術講演会(9aZE11) (福岡) September 9, 1996.
  • (In Japanese) 正四面体リセス内へのAlGaAsのMOVPE成長
    辻川 智子, 潘 伍根, 門馬 圭嗣, 矢口 裕之, 尾鍋 研太郎, 白木 靖寛, 伊藤 良一
    第57回応用物理学会学術講演会(8pD6) (福岡) September 8, 1996.
  • (In Japanese) V溝上GaAsP/AlGaAs引っ張り歪量子細線構造を有するレーザーの偏光特性
    石川 光映, 潘 伍根, 矢口 裕之, 金子 泰久, 尾鍋 研太郎, 白木 靖寛, 伊藤 良一, 山田 範秀
    第57回応用物理学会学術講演会(8pKH12) (福岡) September 8, 1996.
  • Built-in Electric Field Strength in InP/n+-InP Determined by Photoellipsometry and Photoreflectance
    Yi-Ming Xiong, Tadashi Saitoh, Hiroyuki Yaguchi, Yasuhiro Shiraki
    1996 International Conference on Solid State Devices and Materials (PD-7-3) (Yokohama, Japan) August 1996.
  • Exciton diffusion dynamics in quantum nanostructures on V-groove patterned substrates
    N. Usami, W. Pan, H. Yaguchi, K. Onabe and Y. Shiraki
    Ninth International Conference on Superlattice and Microstructures (Liege, Belgium) July 1996.
  • Photoluminescence Excitation Spectroscopy of GaP1-xNx Alloys
    H. Yaguchi, S. Miyoshi, G. Biwa, M. Kibune, K. Onabe, R. Ito and Y. Shiraki
    14th Electronic Materials Symposium (Izu-Nagaoka, Japan) July 1996.
  • MOVPE Growth of AlGaAs Tetrahedral-Shaped Recesses on GaAs(111)B Substrates
    T. Tsujikawa, W. Pan, K. Momma, H. Yaguchi, K. Onabe, Y. Shiraki and R. Ito
    14th Electronic Materials Symposium (Izu-Nagaoka, Japan) July 1996.
  • Photoluminescence Excitation Spectroscopy of GaP1-xNx Alloys: Band-Gap Formation by Nitrogen Incorporation
    H. Yaguchi, S. Miyoshi, G. Biwa, M. Kibune, K. Onabe, R. Ito and Y. Shiraki
    8th International Confenrece on Metal Organic Vapour Phase Epitaxy (Cardiff, UK) June 12, 1996.
  • A Highly Luminescent Crescent-Shaped Tensile-Strained GaAsP/AlGaAs Quantum Wire Laser Structure
    W. Pan, H. Yaguchi, Y. Hanamaki, M. Ishikawa, Y. Kaneko, K. Onabe, R. Ito and Y. Shiraki
    8th International Conference on Metal Organic Vapour Phase Epitaxy (Cardiff, UK) June 1996.
  • (In Japanese) GaP1-xNx混晶のフォトルミネッセンス励起分光
    矢口 裕之, 三吉 靖郎, 琵琶 剛志, 木船 雅也, 尾鍋 研太郎, 白木 靖寛, 伊藤 良一
    応用物理学会第43回連合講演会 (27pZB-17) (朝霞) March 27, 1996.
  • (In Japanese) AlGaAs自然量子井戸の形成機構
    潘 伍根, 犬島 孝能, 三浦 真, 矢口 裕之, 尾鍋 研太郎, 白木 靖寛, 伊藤 良一
    応用物理学会第43回連合講演会 (27pZC6) (朝霞) March 27, 1996.
  • (In Japanese) AlGaAs自然量子井戸構造の時間分解フォトルミネッセンス
    宇佐美 徳隆, 潘 伍根, 矢口 裕之, 秋山 英文, 白木 靖寛, 伊藤 良一, 尾鍋 研太郎
    応用物理学会第43回連合講演会 (26pW5) (朝霞) March 26, 1996.
  • (In Japanese) GaAs(311)A, (411)A面上歪量子井戸の面内偏光特性
    廣保 直純, 矢口 裕之, 尾鍋 研太郎, 白木 靖寛, 伊藤 良一
    応用物理学会第43回連合講演会 (26pW6) (朝霞) March 26, 1996.