Presentation 2012

• (In Japanese) 堆積と熱酸化による4H-SiC MOS 構造の作製
  Atsushi Otani, Shuhei Yagi, Yasuto Hijikata, Hiroyki Yaguchi
  第21回SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 (P-48) (Osaka, Japan)
  November 19, 2012
• Enhancement of High Energy Band Optical Transition in GaAs:N Delta-Doped Superlattices for Intermediate Band Solar Cells
  S. Yagi, S. Noguchi, Y. Hijikata, S. Kuboya, K. Onabe and H. Yaguchi
  International Union of Materials Research Societies - International Conference on Electronic Materials 2012 (A-1-P26-014) (Yokohama, Japan)
  September 26, 2012
• Molecular beam epitaxy of ErGaAs alloys on GaAs (001) substrates
  R. G. Jin, S. Yagi, Y. Hijikata, S. Kuboya, K. Onabe, R. Katayama and H. Yaguchi
  17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MoP-21) (Nara, Japan)
  September 24, 2012
• RF-MBE growth of cubic InN quantum dots on cubic GaN
  J. Suzuki, M. Orihara, S. Yagi, Y. Hijikata and H. Yaguchi
  17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MoP-24) (Nara, Japan)
  September 24, 2012
• (In Japanese) MBE法によるGaAs(001)基板上へのErGaAs混晶の成長
  金　日国, 八木修平, 土方泰斗, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二, 矢口裕之
  The 73th JSAP Spring Meeting 2012 (12p-PB11-16) (Matsuyama, Japan)
  September 12, 2012
• (In Japanese) 窒素δドープGaAs中の単一等電子トラップからの発光のフォトルミネッセ ンス励起分光測定
  高宮健吾, 八木修平, 土方泰斗, 望月敏光, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二, 矢口裕之
  The 73th JSAP Spring Meeting 2012 (12p-PB11-20) (Matsuyama, Japan)
  September 12, 2012
• (In Japanese) InN成長におけるInN高温バッファ層の効果に関する検討
  増田　篤, 折原　操, 八木修平, 土方泰斗, 矢口裕之
  The 73th JSAP Spring Meeting 2012 (12a-PB4 -11) (Matsuyama, Japan)
  September 12, 2012
• (In Japanese) RF-MBE法によるGaAs(110)基板上への半極性InN成長に対する窒化の影響
  五十嵐健, 折原　操, 八木修平, 土方泰斗, 矢口裕之
  The 73th JSAP Spring Meeting 2012 (12a-PB4-12) (Matsuyama, Japan)
  September 12, 2012
• (In Japanese) 第一原理計算によるGaAsNの電子構造に対する原子配置の影響に関する研究
  坂本　圭, 八木修平, 土方泰斗, 矢口裕之
  The 73th JSAP Spring Meeting 2012 (12a-PB4-22) (Matsuyama, Japan)
  September 12, 2012
• (In Japanese) RF-MBE 法によるTiO₂(001)基板上への立方晶GaNの成長
  折原　操, 八木修平, 土方泰斗, 矢口裕之
  The 73th JSAP Spring Meeting 2012 (13p-H9 -17) (Matsuyama, Japan)
  September 13, 2012
• (In Japanese) 堆積と熱酸化による4H-SiC MOS 構造の作製
  大谷篤志, 八木修平, 土方泰斗, 矢口裕之
  The 73th JSAP Spring Meeting 2012 (11p-PB2-4) (Matsuyama, Japan)
  September 11, 2012
• (In Japanese) スパッタ薄膜成長による4H-SiC 基板中の非発光再結合中心生成
  加藤寿悠, 八木修平, 土方泰斗, 矢口裕之
  The 73th JSAP Spring Meeting 2012 (11p-PB2-12) (Matsuyama, Japan)
  September 11, 2012
• (In Japanese) 逆構造型有機薄膜太陽電池による高性能化への検討
  小江宏幸, 河津浩典, 金子哲也, 松井卓矢, 増田　淳, 矢口裕之, 吉田郵司
  The 73th JSAP Spring Meeting 2012 (11p-PB1-7) (Matsuyama, Japan)
  September 11, 2012
• Model calculations of SiC oxide growth rates at sub-atmospheric pressures using the Si and C emission model
  Y. Hijikata, S. Yagi, H. Yaguchi, S. Yoshida
  European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (TuP-63) (Saint-Petersburg, Russia)
  September 4, 2012
• Investigation of organic-inorganic hybrid solar cell using inverted-type organic photovoltaics
  H. Ogo, H. Kawatsu, T. Kaneko, T. Matsui, A. Masuda, H. Yaguchi, and Y. Yoshida
  KJF International Conference on Organic Materials for Electronics and Photonics 2012 (PB14) (Sendai, Japan)
  August 31, 2012
• Characterization of Structural Defects in InN Film on 4H-SiC (0001) Grown by RF-MBE
  P. Jantawongrit, S. Sanorpim, H. Yaguchi, M. Orihara, and P. Limsuwan
  International Union of Materials Research Society - International Conference in Asia 2012 (WeM2-2) (Busan, Korea)
  Augsut 29, 2012
• Biexciton Emission from Single Isoelectronic Traps Formed by Nitrogen-Nitrogen Pairs in GaAs
  K. Takamiya, T. Fukushima, S. Yagi, Y. Hijikata, T. Mochizuki, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, K. Onabe, R. Katayama, and H. Yaguchi
  31st International Conference on the Physics of Semiconductors (69.7) (Zurich, Switzerland)
  August 2, 2012
• First Principles Study on the Effect of the Position of Nitrogen Atoms on the Electronic Structure of GaAsN
  K. Sakamoto and H. Yaguchi
  31st International Conference on the Physics of Semiconductors (30.17) (Zurich, Switzerland)
  July 31, 2012
• Analysis of the Energy Structure of Nitrogen Delta-Doped GaAs Superlattices for High-Efficiency Intermediate-Band Solar Cells
  S. Noguchi, S. Yagi, Y. Hijikata, S. Kuboya, K. Onabe, and H. Yaguchi
  38th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (Austin, USA)
  June 4, 2012
• (In Japanese) RF-MBE法によるInN量子ドットの結晶構造制御
  徳田英俊, 鈴木潤一郎, 折原操, 八木修平, 土方泰斗, 矢口裕之
  第4回窒化物半導体結晶成長講演会 (FR-26) (Tokyo, Japan)
  April 27, 2012
• (In Japanese) 窒素δドープGaAsにおける単一等電子トラップからの励起子分子発光
  高宮健吾, 福島俊之, 星野真也, 八木修平, 土方泰斗, 望月敏光, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 片山竜二, 尾鍋研太郎, 矢口裕之
  The 59th JSAP Spring Meeting 2012 (17a-A8-9) (Tokyo, Japan)
  March 17, 2012
• (In Japanese) GaAs中窒素δドープ超格子のエネルギー構造評価
  野口駿介, 八木修平, 土方泰斗, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 矢口裕之
  The 59th JSAP Spring Meeting 2012 (17p-DP3-12) (Tokyo, Japan)
  March 17, 2012
• (In Japanese) 窒素δドープGaAs中の窒素原子対が形成する単一の等電子トラップからの発光に対する一軸応力の影響
  新井佑也, 星野真也, 高宮健吾, 八木修平, 土方泰斗, 望月敏光, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 矢口裕之
  The 59th JSAP Spring Meeting 2012 (17p-DP3-13) (Tokyo, Japan)
  March 17, 2012
• (In Japanese) 分光エリプソメトリによる立方晶InNの光学的特性評価
  吉田 倫大, 折原　操, 八木 修平, 土方 泰斗, 矢口 裕之
  The 59th JSAP Spring Meeting 2012 (16a-DP1-27) (Tokyo, Japan)
  March 16, 2012
• (In Japanese) 熱酸化が4H-SiCエピ膜中積層欠陥に及ぼす影響の顕微フォトルミネッセンスによる観察
  山形 光, 八木 修平, 土方 泰斗, 矢口 裕之
  The 59th JSAP Spring Meeting 2012 (17p-A8-11) (Tokyo, Japan)
  March 17, 2012