Yaguchi

発表 1993


  • スピン軌道分裂バンドの影響を考慮した歪量子井戸の価電子帯サブバンド構造
    矢口 裕之, 尾鍋 研太郎, 白木 靖寛, 伊藤 良一
    応用物理学会第54回講演会 (27pZX9) (札幌) 1993. 9. 27
  • MOVPE成長GaAs/GaAsP量子井戸ヘテロ界面の成長中断による平坦化
    太田 和伸, 矢口 裕之, 尾鍋 研太郎, 白木 靖寛, 伊藤 良一
    応用物理学会第54回講演会 (30pZT5) (札幌) 1993. 9. 30
  • GaAs/GaAsP量子井戸のPRスペクトルの励起波長依存性
    武政 敬三, 矢口 裕之, 尾鍋 研太郎, 白木 靖寛, 伊藤 良一
    応用物理学会第54回講演会 (30pZW8) (札幌) 1993. 9. 30
  • GaAs/GaAsP量子細線のMOVPE成長とPL特性
    潘 伍根, 馬 驍宇, 矢口 裕之, 尾鍋 研太郎, 白木 靖寛, 伊藤 良一
    応用物理学会第54回講演会 (27aZX8) (札幌) 1993. 9. 27
  • (111)-GaAs/GaAsP歪み量子井戸構造のPL特性
    張 雄, 唐木 幸一, 矢口 裕之, 尾鍋 研太郎, 白木 靖寛, 伊藤 良一
    応用物理学会第54回講演会 (30pZW6) (札幌) 1993. 9. 30
  • 窒素ドープGaPからGaPN混晶への遷移
    三吉 靖郎, 矢口 裕之, 尾鍋 研太郎, 白木 靖寛, 伊藤 良一
    応用物理学会第54回講演会 (30aZT10) (札幌) 1993. 9. 30
  • GaPN/GaP量子井戸構造の作製とPL評価
    三吉 靖郎, 矢口 裕之, 尾鍋 研太郎, 白木 靖寛, 伊藤 良一
    応用物理学会第54回講演会 (30aZT11) (札幌) 1993. 9. 30
  • ΛリッジおよびV溝形成GaAs基板上の立方晶GaNのMOVPE成長
    長原 正樹, 三吉 靖郎, 矢口 裕之, 尾鍋 研太郎, 白木 靖寛, 伊藤 良一
    応用物理学会第54回講演会 (30aZS10) (札幌) 1993. 9. 30
  • Characterization of Interface Roughness in Ge/SiGe Heterostructures Using Photoreflectance Spectroscopy
    H. Yaguchi, K. Tai, K. Takemasa, K. Onabe, Y. Shiraki and R. Ito
    1993 International Conference Solid Stated Device and Materials (S-I-6-6) (Makuhari) 1993. 8.
  • MOVPE Selective Growth of Cubic GaN in Small Areas on Patterned GaAs(100) Substrates
    M. Nagahara, S. Miyoshi, H. Yaguchi, K. Onabe, Y. Shiraki and R. Ito
    1993 International Conference Solid Stated Device and Materials (D-1-4) (Makuhari) 1993. 8.
  • MOVPE Growth of Strained GaP1-xNx and GaP1-xNx/GaP Quantum Wells
    S. Miyoshi, H. Yaguchi, K. Onabe, Y. Shiraki and R. Ito
    20th International Symposium on Gallium Arsenide and Related Compounds (Freiburg, Germany) 1993. 8.
  • Determination of Band Offsets in GaAsP/GaP Strained-Layer Quantum Well Structures Using Photoreflectance and Photoluminescence Spectroscopy
    Y. Hara, H. Yaguchi, K. Onabe, Y. Shiraki and R. Ito
    20th International Symposium on Gallium Arsenide and Related Compounds (Freiburg, Germany) 1993. 8.
  • Valence-Subband Level Crossing in GaAs/GaAsP Strained-Barrier Quantum Well Structures Observed by Circularly Polarized Photoluminescence Excitation Spectroscopy
    H. Yaguchi, K. Ota, K. Onabe, Y. Shiraki and R. Ito
    6th International Conference on Modulated Semiconductor Structures (TuP16) (Garmisch-Partenkirchen, Germany) 1993. 8. 24
  • Formation of SiGe/Si Quantum Wells and Their Optical Properties
    Y. Shiraki, S. Fukatsu, K. Fujita, N. Usami, H. Yaguchi and R. Ito
    12th Symposium on Alloy Semiconductor Physics and Electronics (II-1) (Izu-Nagaoka) 1993. 7.
  • Observation of the valence-subband level crossing in GaAs/GaAsP strained-barrier quantum well structures using circularly polarized photoluminescence excitation spectroscopy
    K. Ota, H. Yaguchi, K. Onabe, R. Ito, Y. Takahashi, K. Muraki and Y. Shiraki
    12th Symposium on Alloy Semiconductor Physics and Electronics (II-4) (Izu-Nagaoka) 1993. 7.
  • MOVPE Growth of GaAs/GaAsP Quantum Wires
    W. Pan, X. Ma, Z. Fu, H. Yaguchi, K. Onabe, Y. Shiraki and R. Ito
    12th Symposium on Alloy Semiconductor Physics and Electronics (IV-7) (Izu-Nagaoka) 1993. 7.
  • Improvement of Crystal Quality of Cubic GaN by MOVPE Selective Growth in Small Areas on Patterned GaAs Substrates
    M. Nagahara, S. Miyoshi, H. Yaguchi, K. Onabe, Y. Shiraki and R. Ito
    12th Symposium on Alloy Semiconductor Physics and Electronics (VI-9) (Izu-Nagaoka) 1993. 7.
  • MOVPE Growth of GaAs1-xNx Alloys
    N. Ohkouchi, S. Miyoshi, H. Yaguchi, K. Onabe, Y. Shiraki and R. Ito
    12th Symposium on Alloy Semiconductor Physics and Electronics (VI-10) (Izu-Nagaoka) 1993. 7.
  • MOVPE Growth of GaP1-xNx Epitaxial Films on GaP
    S. Miyoshi, H. Yaguchi, K. Onabe, Y. Shiraki and R. Ito
    12th Symposium on Alloy Semiconductor Physics and Electronics (VI-11) (Izu-Nagaoka) 1993. 7.
  • Photoreflectance Study of Interface Roughness in Ge/SiGe Heterostructures
    H. Yaguchi, K. Tai, K. Takemasa, K. Onabe, Y. Shiraki and R. Ito
    12th Symposium on Alloy Semiconductor Physics and Electronics (VII-7) (Izu-Nagaoka) 1993. 7.
  • 立方晶GaNのGaAs上微小領域選択成長
    長原 正樹, 三吉 靖郎, 矢口 裕之, 尾鍋 研太郎, 白木 靖寛, 伊藤 良一
    原子レベルでの結晶成長機構第5回研究会 (札幌) 1993. 6.
  • PR法によるGe/SiGeヘテロ界面の平坦性の検討
    矢口 裕之, 田井 香織, 武政 敬三, 尾鍋 研太郎, 深津 晋, 白木 靖寛, 伊藤 良一
    応用物理学会第40回連合講演会 (30asZM3) (東京) 1993. 3. 30
  • GaP1-xNx (x<0.03)薄膜のMOVPE成長
    三吉 靖郎, 矢口 裕之, 尾鍋 研太郎, 白木 靖寛, 伊藤 良一
    応用物理学会第40回連合講演会 (1pZQ2) (東京) 1993. 4. 1
  • GaAs微小領域への立方晶GaNのMOVPE成長
    長原 正樹, 三吉 靖郎, 矢口 裕之, 尾鍋 研太郎, 白木 靖寛, 伊藤 良一
    応用物理学会第40回連合講演会 (1aZa5) (東京) 1993. 4. 1