Yaguchi

発表 2017


  • Effect of solvent vapor annealing on organic photovoltaics with a new type of solution-processable oligothiophene-based elctronic donor material
    Y. Akiyama, H. Tachibana, R. Azumi, T. Miyadera, M. Chikamatsu, T. Koganezawa, S. Yagi, and H. Yaguchi
    27th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (4ThPo.136) (Otsu, Japan) 2017. 11. 16
  • Real-time x-ray diffraction analysis for solvent vapor annealing process of small-molecule fullerene films
    T. Miyadera, K. Arai, T. Koganezawa, Y. Akiyama, H. Tachibana, Y. Yoshida, M. Chikamatsu, S. Yagi, and H. Yaguchi
    27th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (4ThPo.143) (Otsu, Japan) 2017. 11. 16
  • First-princiles study of optical transitions in gallium arsenide:nitrogen delta-doped superlattices
    H. Yoshikawa, S. Yagi, and H. Yaguchi
    27th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (6ThPo.187) (Otsu, Japan) 2017. 11. 16
  • Influence of nitrogen atomic arrangement in GaAsN alloys on band gap energy
    K. Miyajima, S. Yagi, Y. Shoji, Y. Okada, and H. Yaguchi
    27th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (6ThPo.190) (Otsu, Japan) 2017. 11. 16
  • Nanostructured Dilute Nitride Alloys for High-Efficiency Solar Cells
    S. Yagi, Y. Okada, and H. Yaguchi
    International Symposium on Novel Energy Nanomaterials, Catalysts and Surfaces for Future Earth -Material Research, Characterization and Imaging by In situ/Operando XAFS and X-ray Techniques- UEC 100th Anniversary Commemorative Event (IN15) (Chofu, Japan) 2017. 10. 30
  • First-principles study of optical transitions in dilute nitride semiconductor nanostructures
    H. Yaguchi, S. Yagi, and K. Takamiya
    6th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures (Como, Italy) 2017. 9. 28
  • CH3NH3PbI3 Epitaxial Film with Atomically Smooth Surface Fabricated by IR Laser Deposition Method
    T. Miyadera, Y. Auchi, T. Koganezawa, H. Yaguchi, Y. Yoshida, M. Chikamatsu
    3rd International Conference on Perovskite Solar Cells and Optoelectronics (C1.06) (Oxford, UK) 2017. 9. 20
  • 新規可溶性オリゴチオフェン系電⼦ドナー材料を⽤いた有機薄膜太陽電池への溶媒蒸気アニーリング効果
    秋⼭ 雄希, 橘 浩昭, 阿澄 玲⼦, 宮寺 哲彦, 近松 真之, ⼋⽊ 修平, ⽮⼝ 裕之
    第78回応用物理学会秋季学術講演会 (5p-PA3-7) (福岡) 2017. 9. 5
  • 希釈窒化物半導体中の窒素原⼦配置によるバンドギャップへの影響
    宮島 数喜, ⼋⽊ 修平, 庄司 靖, 岡⽥ ⾄崇, ⽮⼝ 裕之
    第78回応用物理学会秋季学術講演会 (5p-C21-1) (福岡) 2017. 9. 5
  • GaPN混晶のアップコンバージョン発光
    ⾼橋 渉, ⾼宮 健吾, ⼋⽊ 修平, 伊藤 隆, 秋⼭ 英⽂, ⽮⼝ 裕之
    第78回応用物理学会秋季学術講演会 (6p-PA7-1) (福岡) 2017. 9. 6
  • 伝導帯/中間バンド励起によるGaPN混晶のキャリア再結合過程の光学的評価
    根岸 知華, ドゥラル ハク, 福⽥ 武司, 鎌⽥ 憲彦, ⽮⼝ 裕之
    第78回応用物理学会秋季学術講演会 (6p-A503-3) (福岡) 2017. 9. 6
  • Detection of non-radiative recombination in GaAs:N δ-doped superlattice
    M. D. Haque, N. Kamata, T. Fukuda, Z. Honda, S. Yagi, H. Yaguchi, and Y. Okada
    29th International Conference on Defects in Semiconductors (ThB1-1) (Matsue, Japan) 2017. 8. 3
  • Biexciton emission from single quantum-confined structures in N-polar (000-1) InGaN/GaN multiple quantum wells
    K. Takamiya, S. Yagi, H. Yaguchi, H. Akiyama, K. Shojiki, T. Tanikawa, and R. Katayama
    12th International Conference on Nitride Semiconductors (A2.19) (Strasbourg, France) 2017. 7. 26
  • Radiative and nonradiative recombination processes via intermediate band in GaPN by two-wavelength excited photoluminescence
    C. Negishi, N. Kamata, Md Dulal Haque, T. Fukuda, and H. Yaguchi
    12th International Conference on Nitride Semiconductors (B2.46) (Strasbourg, France) 2017. 7. 26
  • Electrical characterization of n-type GaAs:N δ-doped superlattices
    R. Kato, S. Yagi, H. Yaguchi, Y. Okada
    Compound Semiconductor Week 2017 (P1.21) (Berlin, Germany) 2017. 5. 15
  • Carrier recombination levels in intermediate-band type GaPN revealed by time resolved and two-wavelength excited photoluminescence
    N. Kamata, M. Suetsugu, Md Dulal Haque, S. Yagi, H. Yaguchi, F. Karlsson, P. O. Holtz
    Compound Semiconductor Week 2017 (B5.6) (Berlin, Germany) 2017. 5. 17
  • ルブレン単結晶上の有機鉛ペロブスカイトのエピタキシャル成長
    阿内 悠人, 宮寺 哲彦, 小金澤 智之, 近松 真之, 吉田 郵司, 矢口 裕之
    第64回応用物理学会春季学術講演会 (14p-313-2) (横浜) 2017. 3. 14
  • DRCN5T/PCBMバルクヘテロ接合膜の溶媒蒸気アニーリング過程のその場観察
    新井 康司, 宮寺 哲彦, 小金澤 智之, 秋山 雄希, 橘 浩昭, 吉田 郵司, 近松 真之, 八木 修平, 矢口 裕之
    第64回応用物理学会春季学術講演会 (16p-F201-3) (横浜) 2017. 3. 16
  • 中間バンド型GaPN混晶でのキャリア再結合過程の光学的評価
    根岸 知華, ドゥラル ハク, 鎌田 憲彦, 矢口 裕之
    第64回応用物理学会春季学術講演会 (14p-411-13) (横浜) 2017. 3. 14
  • n型GaAs:N δドープ超格子の電気的特性評価
    加藤 諒, 八木 修平, 岡田 至崇, 矢口 裕之
    第64回応用物理学会春季学術講演会 (15p-P16-8) (横浜) 2017. 3.15
  • ErドープGaAsからの発光のMBE成長温度依存性
    五十嵐 大輔, 高宮 健吾, 八木 修平, 伊藤 隆, 秋山 英文, 矢口 裕之
    第64回応用物理学会春季学術講演会 (17p-P2-8) (横浜) 2017. 3. 17
  • 1 eV帯InGaAs:N δドープ超格子の作製
    梅田 峻平, 八木 修平, 宮下 直也, 岡田 至崇, 矢口 裕之
    第64回応用物理学会春季学術講演会 (14p-B6-9) (横浜) 2017. 3. 14
  • Properties of dilute nitride pseudo-alloys grown using a nitrogen delta-doping technique
    S. Yagi, Y. Okada, H. Yaguchi
    SPIE Photonics West OPTO (10099-14) (San Francisco, USA) 2017. 1. 31