発表 2008

分光エリプソメトリによるSiC/酸化膜界面の光学的評価
若林敬浩, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史
SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第17回講演会 (P-61) (東京) 2008. 12. 8
分光エリプソメータによるSiO₂/SiC界面の光学的評価　-紫外領域への拡張-
関秀康, 若林敬浩, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史
SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第17回講演会 (P-63) (東京) 2008. 12. 8
in-situ分光エリプソメータによるSiCの極薄膜厚領域における酸化過程の観察
高久英之, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史
SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第17回講演会 (P-65) (東京) 2008. 12. 8
界面Si 及びC原子放出現象に基づくSiC酸化速度のモデル計算
土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史
SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第17回講演会 (P-66) (東京) 2008. 12. 8
第一原理計算を用いた立方晶 GaN の電気的特性解析
中島洋, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史
SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第17回講演会 (P-72) (東京) 2008. 12. 8
SiC酸化膜界面の分光エリプソメトリによる評価
吉田貞史, 矢口裕之, 土方泰斗
SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第17回講演会 (V-1) (東京) 2008. 12. 9
Model Calculation of SiC Oxide Growth Rate based on the Silicon and Carbon Emission Model
Y. Hijikata, H. Yaguchi, and S. Yoshida
7th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (WeP-18) (Barcelona, Spain) 2008. 9. 10
Characterization of 4H-SiC-SiO₂ Interfaces by a Deep Ultraviolet Spectroscopic Ellipsometer
H. Seki, T. Wakabayashi, Y. Hijikata, H. Yaguchi, and S. Yoshida
7th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (WeP-19) (Barcelona, Spain) 2008. 9. 10
Observation of SiC Oxidation in Ultra-Thin Oxide Regime by In-Situ Spectroscopic Ellipsometry
T. Takaku, Y. Hijikata, H. Yaguchi, and S. Yoshida
7th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (WeP-20) (Barcelona, Spain) 2008. 9. 10
分光エリプソメータを用いたGaAsN混晶の電子構造に関する研究
鈴木直也, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史, 片山竜二, 尾鍋研太郎
第69回応用物理学会学術講演会 (4a-CF-11)（春日井） 2008. 9. 4
窒素をδドープしたGaP中の等電子トラップからの発光(II)
伊藤正俊, 福島俊之, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 片山竜二, 尾鍋研太郎
第69回応用物理学会学術講演会 (4a-CF-15)（春日井） 2008. 9. 4
様々な面方位基板上に作製した窒素δドープGaAs中の等電子トラップからの発光
福島俊之, 伊藤正俊, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 片山竜二, 尾鍋研太郎
第69回応用物理学会学術講演会 (4a-CF-16)（春日井） 2008. 9. 4
RF-MBE法を用いた4H-SiC(0001)基板上へのInN結晶の直接成長
折原操, 富田康浩, 瀧澤伸, 佐藤貴紀, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史
第69回応用物理学会学術講演会 (4p-CG-3)（春日井） 2008. 9. 4
III-V-N混晶のバンドギャップナローイングと光物性
矢口裕之
第69回応用物理学会学術講演会 (3p-ZV-7)（春日井） 2008. 9. 3
多入射角分光エリプソメトリによるSiC/酸化膜界面の光学的評価II
若林敬浩, 関秀康, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史
第69回応用物理学会学術講演会 (2p-CE-12)（春日井） 2008. 9. 2
窒素をδドープしたGaAsにおける単一の等電子トラップからの発光
矢口裕之
第4回量子材料セミナー（調布） 2008. 7. 23
局所ドーピング半導体による単一光子発生に関する研究
矢口裕之
2008旭硝子財団助成研究発表会（東京） 2008. 7. 15
High Resolution X-ray Diffraction and Raman Scattering Studies of Cubic-Phase InN Films Grown by MBE
S. Kuntharin, S. Sanorpim, Y. Iwahashi, H. Yaguchi, A. Nishimoto, M. Orihara, Y. Hijikata, S. Yoshida
Smart/Intelligent Materials and Nano Technology 2008 & 2nd Internatinal Workshop on Functional Materials and Nanomaterials (SmartMat-'08 & IWOFM-2) (Chiang Mai, Thailand) 2008. 4. 24
RF-MBE法を用いた3C-SiC基板上への立方晶InNの結晶成長およびその物性評価
富田康浩, 井上赳, 折原操, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史, 平林康男
第55回応用物理学関係連合講演会 (27p-B-6)（船橋） 2008. 3. 27
RF-MBE法により成長した立方晶InNのPL測定（II）
井上　赳, 四方　剛, 塚越裕介, 富田康浩, 中島　洋, 折原　操, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史
第55回応用物理学関係連合講演会 (27p-B-7)（船橋） 2008. 3. 27
RF-MBE法により成長させたA面InN膜のフォトルミネッセンス特性
四方　剛, 井上　赳, 佐藤貴紀, 平山秀樹, 折原　操, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史
第55回応用物理学関係連合講演会 (27p-B-16)（船橋） 2008. 3. 27
In-situ分光エリプソメータによるSiCの極薄領域における酸化過程の観察
高久英之, 山本健史, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史
第55回応用物理学関係連合講演会 (28p-A-1)（船橋） 2008. 3. 28
多入射角分光エリプソメトリによるSiC/酸化膜界面の光学的評価
若林敬浩, 関　秀康, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史
第55回応用物理学関係連合講演会 (28p-A-2)（船橋） 2008. 3. 28
分光エリプソメータによるSiO₂/SiC界面の光学的評価　-酸化膜厚依存性-
関　秀康, 若林敬浩, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史
第55回応用物理学関係連合講演会 (28p-A-3)（船橋） 2008. 3. 28
極低濃度窒素をドーピングしたGaAs中の等電子トラップからの発光
福島俊之, 遠藤雄太, 伊藤正俊, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 片山竜二, 尾鍋研太郎
第55回応用物理学関係連合講演会 (29p-ZT-13)（船橋） 2008. 3. 29
ラマン分光を用いたGaInAsN混晶の発光効率の変化に関する研究
谷岡健太郎, 堀口　歩, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史, 片山竜二, 尾鍋研太郎, 吉田正裕, 秋山英文
第55回応用物理学関係連合講演会(29p-ZT-18)（船橋） 2008. 3. 29