Yaguchi

Presentation 2000


  • (In Japanese) 分光エリプソメーターによるSiC酸化膜の屈折率の評価
    飯田健, 富岡雄一, 塚田浩之, 緑川正彦, 吉本和生, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉川正人, 石田夕起, 吉田貞史
    SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会　第9回講演会 (Nagoya, Japan)
    December, 2000
  • (In Japanese) 走査オージェ分光法によるSiO2/SiC界面の組成分析
    土方泰斗, 飯田　健, 矢口裕之, 吉川正人, 吉田貞史
    SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会　第9回講演会 (Nagoya, Japan)
    December, 2000
  • (In Japanese) Siドープn型GaNにおける永続光伝導
    中村達人, 児島一聡, 沈旭強, 奥村　元, 矢口裕之, 吉田貞史
    SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会　第9回講演会 (Nagoya, Japan)
    December, 2000
  • (In Japanese) NH3を窒素源とした3C-SiC(001)基板上への立方晶GaNのMBE成長 (II)
    小川大輔, 渡邊英之, 折原操, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史
    第61回応用物理学会学術講演会 (4aY19) (Sapporo, Japan)
    September 4, 2000
  • (In Japanese) 立方晶AlGaNのフォトルミネッセンス
    鈴木隆信, 矢口裕之, 折原操, 吉田貞史, 石田夕起, 奥村元
    第61回応用物理学会学術講演会 (4aY20) (Sapporo, Japan)
    September 4, 2000
  • (In Japanese) X線光電子分光法によるSiO2/SiC界面層の組成分析
    土方泰斗, 飯田健, 矢口裕之, 吉川正人, 吉田貞史
    第61回応用物理学会学術講演会 (4pZB1) (Sapporo, Japan)
    September 4, 2000
  • (In Japanese) 分光エリプソメーターによるSiC酸化膜の評価 (II)
    飯田健, 富岡雄一, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉川正人, 石田夕起, 吉田貞史
    第61回応用物理学会学術講演会 (5aZB6) (Sapporo, Japan)
    September 5, 2000
  • (In Japanese) Time-resolved photoluminescence study of GaAsN alloys
    Hiroyuki Yaguchi, Hidefumi Akiyama, Motoyoshi Baba, Daiichiro Aoki, Kentaro Onabe, Yasuto Hijikata, Sadafumi Yoshida
    第61回応用物理学会学術講演会 (5pZA9) (Sapporo, Japan)
    September 5, 2000
  • (In Japanese) 分光偏光解析法を用いたGaPN混晶の光学的評価
    松本繁, 矢口裕之, 三吉靖郎, 尾鍋研太郎, 土方泰斗, 吉田貞史
    第61回応用物理学会学術講演会 (5pZA12) (Sapporo, Japan)
    September 5, 2000
  • Dielectric Functions of GaAsN Alloys
    H. Yaguchi, S. Matsumoto, S. Kashiwase, T. Hashimoto, S. Yoshida, D. Aoki and K. Onabe
    19th Electronic Symposium (Izu-Nagaoka, Japan)
    June, 2000
  • Optical characterization of metalorganic vapor phase epitaxy-grown GaAs1-xNx alloys using spectroscopic ellipsometry
    S. Matsumoto, S. Kashiwase, T. Hashimoto, H. Yaguchi, S. Yoshida, D. Aoki and K. Onabe
    The Tenth International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (Tu-P30) (Sapporo, Japan)
    June 6, 2000
  • Optical Study of GaAsN Alloys Using Spectroscopic Ellipsometry
    H. Yaguchi
    Research Institute for Electronic Science International Workshop (Sapporo, Japan)
    March 10, 2000
  • Optical Properties of GaAsN and GaPN Alloys Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
    H. Yaguchi
    The Third SANKEN International Symposium (Osaka, Japan)
    March 15, 2000
  • (In Japanese) 分光偏光解析法を用いたGaAsN混晶の光学的評価
    松本繁, 柏瀬真一, 橋本崇, 矢口裕之, 吉田貞史, 青木大一郎, 尾鍋研太郎
    第47回応用物理学関係連合講演会 (30a-P13-16) (Tokyo, Japan)
    March 30, 2000
  • (In Japanese) GaNにおける永続光伝導の温度依存性
    中村達人, 神永雄大, 矢口裕之, 吉田貞史, 奥村元
    第47回応用物理学関係連合講演会(30a-YQ-1) (Tokyo, Japan)
    March 30, 2000
  • (In Japanese) 分光エリプソメーターによるSiC酸化膜の評価
    飯田健, 富岡雄一, 松中健太郎, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉川正人, 石田夕起, 奥村元, 吉田貞史
    第47回応用物理学関係連合講演会(30p-YF-13) (Tokyo, Japan)
    March 30, 2000
  • (In Japanese) NH3を窒素源とした3C-SiC(001)基板上への立方晶GaNのMBE成長
    小川大輔, 水戸瀬佳史, 山本洋仁, 實末武士, 折原操, 矢口裕之, 吉田貞史
    第47回応用物理学関係連合講演会(31a-YN-9) (Tokyo, Japan)
    March 31, 2000
  • (In Japanese) 立方晶AlGaN混晶の光学定数
    鈴木隆信, 横田勉, 矢口裕之, 折原操, 吉田貞史, 奥村元
    第47回応用物理学関係連合講演会(31a-YN-10) (Tokyo, Japan)
    March 31, 2000