Yaguchi

Presentation 2011


  • (In Japanese) SiC熱酸化機構の解明への取り組み
    Yasuto Hijikata, Hiroyuki Yaguchi, Sadafumi Yoshida
    第20回SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 (V-2) (Nagoya, Japan)
    December 9, 2011
  • (In Japanese) 顕微フォトルミネッセンスを用いた4H-SiCエピ膜中積層欠陥に対する酸化の影響に関する研究
    Hikaru Yamagata, Yasuto Hijikata, Hiroyuki Yaguchi
    第20回SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 (P-31) (Nagoya, Japan)
    December 8, 2011
  • (In Japanese) MOS構造の電気的特性に対する4H-SiCエピ層中積層欠陥の影響
    Shogo Toya, Yasuto Hijikata, Hiroyuki Yaguchi
    第20回SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 (P-80) (Nagoya, Japan)
    December 8, 2011
  • Effect of Thermal Current at Selective Contacts Using Resonant Tunneling Structures on Perfornance of Hot Carrier Solar Cells
    Shuhei Yagi, Yasuto Hijikata, Yoshitaka Okada, and Hiroyuki Yaguchi
    21st International Photovoltaic Science and Engineering Conference (2D-4P-04) (Fukuoka, Japan)
    November 29, 2011
  • (In Japanese) 量子ドット太陽電池に向けた立方晶GaN上への立方晶InNドット配列成長
    Junichiro Suzuki, Misao Orihara, Shuhei Yagi, Yasuto Hijikata, Hiroyuki Yaguchi
    第3回薄膜太陽電池セミナー (PP-29) (Saitama, Japan)
    October 24, 2011
  • Biexciton Emission from Single Isoelectronic Traps in Nitrogen Atomic-Layey-Doped GaAs
    Kengo Takamiya, Toshiyuki Fukushima, Shuhei Yagi, Yasuto Hijikata, T. Mochizuki, Masahiro Yoshita, Hidefumi Akiyama, Shigeyuki Kuboya, Kentaro Onabe, Ryuji Katayama and Hiroyuki Yaguchi
    3rd International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures (P22) (Traunkirchen, Austria)
    September 12, 2011
  • (In Japanese) 共鳴トンネル構造を用いたエネルギー選択層における熱励起電流のホットキャリア型太陽電池特性への影響
    Shuhei Yagi, Yasuto Hijikata, Yoshitaka Okada, Hiroyuki Yaguchi
    第72回応用物理学会学術講演会 (1a-H-12) (Yamagata, Japan)
    September 1, 2011
  • (In Japanese) 窒素δドープGaAs(110)中の単一等電子トラップからの発光の偏光特性
    高宮 健吾, 福島 俊之, 星野 真也, 八木 修平, 土方 泰斗, 望月 敏光, 吉田 正裕, 秋山 英文, 窪谷 茂幸, 片山 竜二, 尾鍋 研太郎, 矢口 裕之
    第72回応用物理学会学術講演会 (30p-ZA-5) (Yamagata, Japan)
    August 30, 2011
  • (In Japanese) RF-MBE法によるInN(10-13)及びInGaN(10-13)のGaAs(110)基板上への成長
    折原 操, 八木 修平, 土方 泰斗, 矢口 裕之
    第72回応用物理学会学術講演会(30a-ZE-8) (Yamagata, Japan)
    Augsut 30, 2011
  • (In Japanese) RF-MBE法による立方晶GaN上への立方晶InNドットの成長（II）
    鈴木 潤一郎, 折原 操, 八木 修平, 土方 泰斗, 矢口 裕之
    第72回応用物理学会学術講演会 (30a-ZE-9) (Yamagata, Japan)
    August 30, 2011
  • (In Japanese) SiCの2段階酸化における酸化膜成長速度の測定
    篠田 龍, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 八木 修平, 吉田 貞史
    第72回応用物理学会学術講演会 (31p-N-11) (Yamagata, Japan)
    August 31, 2011
  • Single Photon Generation from Nitrogen Atomic-Layer Doped Gallium Arsenide
    K. Takamiya, Y. Endo, T. Fukushima, S. Yagi, Y. Hijikata, T. Mochizuki, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, K. Onabe, R. Katayama, and H. Yaguchi
    7th International Conference on Processing & Manufacturing of Advanced Materials (FILMS 1-11) (Quebec, Canada)
    August 3, 2011
  • RF-MBE Growth of Semipolar InN(10-13) and InGaN(10-13) on GaAs(110)
    M. Orihara, S. Yagi, Y. Hijikata, H. Yaguchi
    9th International Conference on Nitride Semiconductors (PD3.19) (Glasgow, UK)
    July 13, 2011
  • Quantum Well Double Barrier Resonant Tunneling Structures for Selective Contacts of Hot Carrier Solar Cells
    S. Yagi, Y. Hijikata, Y. Okada, H. Yaguchi
    37th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (Seattle, USA)
    June 23, 2011
  • TEM analysis of hexagonal-phase induction in MBE grown cubic InN layer on MgO (001) using a cubic GaN buffer layer
    Jamreonta Parinyataramas, Sakuntam Sanorpim, Visittapong Yordsri, Chanchana Thanachayanont, Hiroyuki Yaguchi, Misao Orihara
    38th International Symposium on Compound Semiconductors (We-2A.6) (Berlin, Germany)
    May 25
  • Characterization of substrate off-angle effects for high-quality InN films grown by RF-MBE on 4H-SiC (0001)
    Papaporn Jantawongrit, Sakuntam Sanorpim, Hiroyuki Yaguchi, Misao Orihara, Pichet Limsuwan
    38th International Symposium on Compound Semiconductors (P4.96) (Berlin, Germany)
    May 24, 2011
  • (In Japanese) GaAs(110)基板上に作製した窒素δドープGaAsにおける等電子トラップからの発光特性評価
    高宮 健吾, 福島 俊之, 星野 真也, 八木 修平, 土方 泰斗, 望月 敏光, 吉田 正裕, 秋山 英文, 窪谷 茂幸, 片山 竜二, 尾鍋 研太郎, 矢口 裕之
    第58回応用物理学関係連合講演会(25p-BQ-4)
  • (In Japanese) InN/p-4H-SiC構造の作製と電気・光学特性評価
    矢野 貴大, 折原 操, 八木 修平, 土方 泰斗, 矢口 裕之
    第58回応用物理学関係連合講演会 (25a-BY-7)
  • (In Japanese) RF-MBE法による立方晶GaN上への立方晶InNドットの成長
    鈴木 潤一郎, 折原 操, 八木 修平, 土方 泰斗, 矢口裕 之
    第58回応用物理学関係連合講演会 (26p-BZ-2)
  • (In Japanese) SiC熱酸化機構の解明への取り組み：特にSi酸化との類似点及び相違点について
    土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
    第58回応用物理学関係連合講演会 (24p-BN-11)
  • Single photon emission from nitrogen delta-doped semiconductors
    Hiroyuki Yaguchi
    SPIE Photonics West OPTO (7945-89) (San Francisco, USA)
    January 27, 2011