Presentation 2010

• (In Japanese) In-situ 分光エリプソメ−タによるSiC 酸化過程の酸素分圧依存性測定
  Oxygen Partial Pressure Dependence of SiC Oxidation Process Observed by In-situ Spectroscopic Ellipsometry
  甲田 景子, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
  SiC 及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第19回講演会 (P-47) (つくば)
  October 21, 2010
• (In Japanese) 極低窒素濃度GaAsNのフォトリフレクタンススペクトル
  大久保 航, 石川 輝, 八木 修平, 土方 泰斗, 吉田 貞史, 片山 竜二, 尾鍋 研太郎, 矢口 裕之
  第71回応用物理学会学術講演会 (14p-ZV-1) (長崎)
  September 14, 2010
• (In Japanese) 極低窒素濃度GaAsN中の等電子トラップからの発光に対する一軸応力の影響
  新井 佑也, 遠藤 雄太, 八木 修平, 土方 泰斗, 窪谷 茂幸, 尾鍋 研太郎, 片山 竜二, 矢口 裕之
  第71回応用物理学会学術講演会 (14p-ZV-2) (長崎)
  September 14, 2010
• (In Japanese) 極低窒素濃度GaAsNにおける窒素ペアからの発光の窒素濃度依存性
  石川 輝, 八木 修平, 土方 泰斗, 吉田 貞史, 岡野 真人, 望月 敏光, 吉田 正裕, 秋山 英文, 窪谷 茂幸, 尾鍋 研太郎, 片山 竜二, 矢口 裕之
  第71回応用物理学会学術講演会 (14p-ZV-3) (長崎)
  September 14, 2010
• (In Japanese) 窒素δドープGaAs中の等電子トラップを形成する窒素原子対配列に関する研究
  星野 真也, 遠藤 雄太, 福島 俊之, 高宮 健吾, 八木 修平, 土方 泰斗, 望月 敏光, 吉田 正裕, 秋山 英文, 窪谷 茂幸, 尾鍋 研太郎, 片山 竜二, 矢口 裕之
  第71回応用物理学会学術講演会 (14p-ZV-5) (長崎)
  September 14, 2010
• (In Japanese) 窒素δドープGaAs/AlGaAsヘテロ構造における等電子トラップからの発光特性評価
  高宮 健吾, 遠藤 雄太, 福島 俊之, 星野 真也, 八木 修平, 土方 泰斗, 望月 敏光, 吉田 正裕, 秋山 英文, 窪谷 茂幸, 尾鍋 研太郎, 片山 竜二, サノーピン サクンタム, 矢口裕之
  第71回応用物理学会学術講演会 (14p-ZV-6) (長崎)
  September 14, 2010
• (In Japanese) 酸化中のSiC層へのSiおよびC原子放出についての理論的検討
  土方 泰斗, 八木 修平, 矢口 裕之, 吉田 貞史
  第71回応用物理学会学術講演会 (15a-ZS-10) (長崎)
  September 15, 2010
• Theoretical studies for Si and C emission into SiC layer during oxidation
  Y. Hijikata, H. Yaguchi, and S. Yoshida
  8th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (Mo3-6) (Oslo, Norway)
  August 30, 2010
• High cubic-phase purity InN on MgO (001) using cubic-phase GaN as buffer layer
  S. Sanorpim, S. Kuntharin, H. Yaguchi, Y. Iwahashi, M. Orihara, Y. Hijakata, S. Yoshida
  30th International Conference on the Physics of Semiconductors (ThE3-5) (Seoul, Korea)
  July 29, 2010
• (In Japanese) 様々な面方位基板上に作製した窒素δドープGaAs中の等電子トラップからの発光(III)
  福島 俊之, 高宮 健吾, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史, 岡野 真人, 吉田 正裕, 秋山 英文, 窪谷 茂幸, 尾鍋 研太郎, 片山 竜二
  第57回応用物理学関係連合講演会(18p-TW-7)(平塚)
  March 18, 2010