Yaguchi

Presentation 2005


  • (In Japanese) 赤外反射分光法を用いたSiC エピ膜の電気的特性の評価
    Shingo Oishi, Yasuto Hijikata, Hiroyuki Yaguchi, Sadafumi Yoshida
    SiC 及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第14 回講演会(P-21) (Kyoto, Japan)
    November, 2005
  • (In Japanese) 分光エリプソメータによるSiO2/SiC 界面の光学的評価 −紫外領域への拡張—
    Ryoichi Kuboki, Koichi Kakubari, Hideki Hashimoto, Yasuto Hijikata, Hiroyuki Yaguchi, Sadafumi Yoshida
    SiC 及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第14 回講演会(P-24) (Kyoto, Japan)
    November, 2005
  • (In Japanese) In-situ エリプソメータによるSiC の酸化の実時間観察
    Koichi Kakubari, Ryoichi Kuboki, Yasuto Hijikata, Hiroyuki Yaguchi, Sadafumi Yoshida
    SiC 及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第14 回講演会(P-25) (Kyoto, Japan)
    November, 2005
  • Off-Angle Dependence of Characteristics of 4H-SiC-Oxide Interfaces
    Y. Hijikata, H. Yaguchi, S. Yoshida, Y. Takata, K. Kobayashi, H. Nohira, T. Hattori
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2005 (TPP1 (20)) Final Technical Progam p. 36 (Pittsburgh, USA)
    September 20, 2005
  • Real Time Observation of SiC Oxidation Using In-Situ Spectroscopic Ellipsometer
    K. Kakubari, R. Kuboki, Y. Hijikata, H. Yaguchi, S. Yoshida
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2005 (RPM6 (46)) Final Technical Program p. 78 (Pittsburgh, USA)
    September 22, 2005
  • (In Japanese) ラマン分光を用いたGaAsN混晶の光照射による構造変化の評価
    矢口裕之, 清水博史, 森桶利和, 青木貴嗣, 土方泰斗, 吉田貞史, 宇佐美徳隆, 吉田正裕, 秋山英文, 青木大一郎, 尾鍋研太郎
    第66回応用物理学会学術講演会 (9p-ZA-18) (Tokushima, Japan)
    September 9, 2005
  • (In Japanese) RF-MBE法を用いた4H-SiC基板上へのInN/InGaN量子井戸構造の作製（II）
    折原　操, 岩橋洋平, 平野　茂, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史
    第66回応用物理学会学術講演会 (10a-R-7) (Tokushima, Japan)
    September 10, 2005
  • (In Japanese) RF-MBE法を用いた中間組成InGaN膜上へのInN/InGaN量子井戸構造の作製
    平野　茂, 岩橋洋平, 折原　操, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史
    第66回応用物理学会学術講演会 (10a-R-8) (Tokushima, Japan)
    September 10, 2005
  • (In Japanese) 赤外反射分光法を用いたSiCエピ膜の電気的特性の評価
    大石慎吾, 土方泰斗, 矢口祐之, 吉田貞史
    第66回応用物理学会学術講演会 (8a-ZB-6) (Tokushima, Japan)
    September 9, 2005
  • (In Japanese) 低オフ角C面SiC基板上の酸化膜の評価
    土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史, 高田恭孝, 小林啓介, 野平博司, 服部健雄
    第66回応用物理学会学術講演会 (8p-ZB-17) (Tokushima, Japan)
    September 8, 2005
  • (In Japanese) 分光エリプソメータによるSiO2/SiC界面の光学的評価 -紫外領域への拡張-
    窪木亮一, 覚張光一, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史
    第66回応用物理学会学術講演会 (8p-ZB-18) (Tokushima, Japan)
    September 8, 2005
  • Photo-induced improvement of radiative efficiency and structural changes in GaAsN alloys
    H. Yaguchi, T. Morioke, T. Aoki, H. Shimizu, Y. Hijikata, S. Yoshida, M. Yoshita, H. Akiyama, N. Usami, D. Aoki, and K. Onabe
    6th International Conference on Nitride Semiconductors (Mo-P-097) (Bremen, Germany)
    August, 2005
  • RF-MBE growth of cubic InN films on MgO (001) substrates
    Y. Iwahashi, A. Nishimoto, M. Orihara, Y. Hijikata, H. Yaguchi, and S. Yoshida
    6th International Conference on Nitride Semiconductors (Tu-P-075)(Bremen, Germany)
    August, 2005
  • (In Japanese) In situエリプソメータによるSiCの酸化膜の実時間観察
    覚張光一, 窪木亮一, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史
    第52回応用物理学関係連合講演会 (1a-YK-1) (Saitama, Japan)
    April 1, 2005
  • (In Japanese) 様々な傾斜角を有するSiC基板上の酸化膜の評価
    土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史, 高田恭孝, 小林啓介, 野平博司, 服部健雄
    第52回応用物理学関係連合講演会 (1a-YK-4) (Saitama, Japan)
    April 1, 2005
  • (In Japanese) 赤外反射分光法を用いたSiCエピ膜の電気的特性の評価
    大石慎吾, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史
    第52回応用物理学関係連合講演会 (30p-YK-21) (Saitama, Japan)
    March 30, 2005
  • (In Japanese) RF-MBE法を用いた4H-SiC基板上へのInN/InGaN量子井戸構造の作製
    折原操, 北村芳広, 岩橋洋平, 平野茂, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史
    第52回応用物理学関係連合講演会 (29a-N-33) (Saitama, Japan)
    March 29, 2005
  • (In Japanese) 窒素をδドープしたGaAsの顕微フォトルミネッセンス
    花島君俊, 森桶利和, 青木貴嗣, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史, 吉田正裕, 秋山英文, 平山琢, 片山竜二, 尾鍋研太郎
    第52回応用物理学関係連合講演会 (30a-L-11) (Saitama, Japan)
    March 30, 2005