Presentation 2009

• (In Japanese) In-situ分光エリプソメータによる低酸素分圧下におけるSiC酸化過程の観察
  Keiko Kouda, Yasuto Hijikata, Hirouki Yaguchi, Sadafumi Yoshida
  SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第18回講演会(P-26) (Kobe, Japan)
  December 17, 200
• (In Japanese) 4H-SiC/酸化膜界面の光学的および電気的評価
  Takahiro Wakabayashi, Yasuto Hijikata, Hiroyuki Yaguchi, Sadafumi Yoshida
  SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第18回講演会(P-32) (Kobe, Japan)
  December 17, 2009
• (In Japanese) SiおよびC原子放出モデルに基づく様々な酸化温度におけるSiC 酸化速度のモデル計算
  Yasuto Hijikata, Hiroyuki Yaguchi, Sadafumi Yoshida
  SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第18回講演会(P-74) (Kobe, Japan)
  December 17, 2009
• RF-MBE Growth of InN on 4H-SiC(0001) with Off-angles
  Misao Orihara, S. Takizawa, T. Sato, Y. Ishida, Sadafumi Yoshida, Yasuto Hijikata, Hiroyuki Yaguchi
  8th International Conference on Nitride Semiconductors (ThP13) (Jeju, Korea)
  October 22, 2009
• In-situ Spectroscopic Ellipsometry Study of SiC Oxidation at Low Oxygen-Partial-Pressures
  Keiko Kouda, Yasuto Hijikata, Hiroyuki Yaguchi, Sadafumi Yoshida
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2009 (Tu-P-40) (Nurnberg, Germany)
  October 13, 2009
• Model calculation of SiC oxide growth rate at various oxidation temperatures based on the silicon and carbon emission model
  Yasuto Hijikata, Hiroyuki Yaguchi, Sadafumi Yoshida
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2009 (Th-3B-5) (Nurnberg, Germany)
  October 15, 2009
• (In Japanese) 1H,1H,2H,2H-ヘンイコサフルオロ-1-ドデカノールと1-ヘキサデカノールの固体からの自発的展開による単分子膜形成についての研究
  藤田 やすか, ヴィレヌーヴ 真澄美, 矢口 裕之, 中原 弘雄
  第62回コロイドおよび界面化学討論会 (P065) (Okayama, Japan)
  September 19, 2009
• (In Japanese) フォトリフレクタンスによるGaAsNの電子構造に関する研究
  Wataru Okubo, Yasuto Hijikata, Hiroyuki Yaguchi, Sadafumi Yoshida, Ryuji Katayama, Kentaro Onabe
  第70回応用物理学会学術講演会 (9p-C-6) (Toyama, Japan)
  September 9, 2009
• (In Japanese) 極低窒素濃度GaAsNのフォトルミネッセンス励起分光測定
  Akira Ishikawa, Yasuto Hijikata, Hiroyuki Yaguchi, Sadafumi Yoshida, Makoto Okano, Masahiro Yoshita, Hidefumi Akiyama, Shigeyuki Kuboya, Kentaro Onabe, Ryuji Katayama
  第70回応用物理学会学術講演会 (9p-C-11) (Toyama, Japan)
  September 9, 2009
• (In Japanese) 窒素δドープGaAs/AlGaAsヘテロ構造における等電子トラップからの発光
  Kengo Takamiya, Yuta Endo, Toshiyuki Fukushima, Yasuto Hijikata, Hiroyuki Yaguchi, Sadafumi Yoshida, Makoto Okane, Hidefumi Akiyama, Shigeyuki Kuboya, Kentaro Onabe, Ryuji Katayama
  第70回応用物理学会学術講演会 (9p-C-12) (Toyama, Japan)
  September 9, 2009
• (In Japanese) RF-MBE法による4H-SiC(0001)オフ基板上へのInN直接成長
  Misao Orihara, Shin Takizawa, Takanori Sato, Yuuki Ishida, Sadafumi Yoshida, Yasuto Hijikata, Hiroyuki Yaguchi
  第70回応用物理学会学術講演会 (10p-E-2) (Toyama, Japan)
  September 10, 2009
• (In Japanese) In-situ分光エリプソメ−タによる低酸素分圧下におけるSiC酸化過程の観察
  Keiko Kouda, Yasuto Hijikata, Hiroyuki Yaguchi, Sadafumi Yoshida
  第70回応用物理学会学術講演会 (10p-M-11) (Toyama, Japan)
  September 10, 2009
• Polarization properties of photoluminescence from individual isoelectronic traps in nitrogen delta-doped semiconductors: effect of host crystals
  Hiroyuki Yaguchi
  The Second International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures (O-16) (Anan, Japan)
  August 11, 2009
• (In Japanese) GaAs(001)および(111)面基板上に作製した窒素δドープGaAs中の等電子トラップからの発光
  Toshiyuki Fukushima, Hiroyuki Yaguchi
  第５回量子ナノ材料セミナー（Saitama, Japan）
  July 29, 2009
• Photoluminescence from single isoelectronic traps in nitrogen delta-doped GaAs grown on GaAs(111)A
  T. Fukushima, M. Ito, Y. Hijikata, H. Yaguchi, S. Yoshida, M. Okano, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, R. Katayama, K. Onabe
  The 14th International Conference on Modulated Semiconductor Structures (Tu-mP5) (Kobe, Japan)
  July 21, 2009
• (In Japanese) 厚い酸化膜領域におけるSiCの酸化速度の測定
  若林敬浩, 柴崎俊哉, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史
  第56回応用物理学関係連合講演会 (30p-F-1) (Tsukuba, Japan)
  March 30, 2009
• (In Japanese) 界面Si及びC原子放出現象に基づくSiC酸化モデル
  土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史
  第56回応用物理学関係連合講演会 (30p-F-2) (Tsukuba, Japan)
  March 30, 2009
• (In Japanese) In-situ 分光エリプソメ−タによるSiC 酸化速度の酸素分圧依存性測定(II)
  甲田景子, 高久英之, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史
  第56回応用物理学関係連合講演会 (30p-F-3) (Tsukuba, Japan)
  March 30, 2009
• (In Japanese) InP(001)基板上へのInPN薄膜のMOVPE成長
  関　裕紀, 窪谷茂幸, クァントゥ ティユ, 片山竜二, 矢口裕之, 尾鍋研太郎
  第56回応用物理学関係連合講演会 (31p-J-6) (Tsukuba, Japan)
  March 31, 2009
• (In Japanese) 様々な面方位基板上に作製した窒素δドープGaAs中の等電子トラップからの発光(II)
  福島俊之, 伊藤正俊, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史, 岡野真人, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 片山竜二, 尾鍋研太郎
  第56回応用物理学関係連合講演会 (31p-J-16) (Tsukuba, Japan)
  March 31, 2009
• (In Japanese) 窒素をδドープしたGaP中の等電子トラップからの発光（III）
  伊藤正俊, 福島俊之, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史, 岡野真人, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 片山竜二, 尾鍋研太郎
  第56回応用物理学関係連合講演会 (31p-J-17) (Tsukuba, Japan)
  March 31, 2009
• Photoluminescence study of hexagonal InN/InGaN multiple quantum well structures grown on 3C-SiC (001) substrates by RF-MBE
  H. Yaguchi, S. Hirano, M. Orihara, Y. Hijikata, and S. Yoshida
  The 1st International Forum on Frontier Photonics (O-2) (Saitama, Japan)
  March 5, 2009
• Characterization of 4H-SiC/SiO₂ interfaces using a deep ultraviolet spectroscopic ellipsometer
  T. Wakabayashi, H. Seki Yasuto Hijikata, Hiroyuki Yaguchi and Sadafumi Yoshida
  The 1st International Forum on Frontier Photonics (P-14) (Saitama, Japan)
  March 6, 2009
• Photoluminescence from isoelectronic traps in nitrogen delta-doped GaAs grown on variously oriented GaAs surfaces
  Toshiyuki Fukushima, Masatoshi Ito, Yasuto Hijikata, Hiroyuki Yaguchi, Sadafumi Yoshida, Makoto Okano, Masahiro Yoshita, Hidefumi Akiyama, Shigeyuki Kuboya, Ryuji Katayama and Kentaro Onabe
  The 1st International Forum on Frontier Photonics (P-15) (Saitama, Japan)
  March 6, 2009