Yaguchi

Presentation 2001


  • (In Japanese) 赤外反射分光によるSiC 基板のキャリヤ濃度及び移動度の分布測定
    成田勝俊, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史, 中島信一, 小柳直樹
    SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第10回講演会, P34 (Kyoto, Japan)
    December ,2001
  • (In Japanese) 分光エリプソメータによるSiO2/SiC界面の評価
    富岡雄一, 緑川正彦, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉川正人, 伊藤久義, 石田夕起, 小杉亮治, 吉田貞史
    SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第10回講演会, P50 (Kyoto, Japan)
    December, 2001
  • (In Japanese) 酸化膜/SiC界面における酸化後処理効果のXPS評価
    土方泰斗, 矢口裕之, 吉川正人, 伊藤久義, 吉田貞史
    SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第10回講演会, P51 (Kyoto, Japan)
    December, 2001
  • Depth Profiling of the Refractive Indices in Oxide Films on SiC by Spectroscopic Ellipsometry
    S. Yoshida, T. Iida, Y. Tomioka, Y. Hijikata, M. Orihara, and H. Yaguchi
    6th China-Japan Symposium on Thin Films (Kunming, China)
    November, 2001
  • Characterization of the Interfaces between SiC and Oxide Films by Spectroscopic Ellipsometry
    Y. Tomioka, T. Iida, M. Midorikawa, H. Tukada, K. Yoshimoto, Y. Hijikata, H. Yaguchi, M. Yoshikawa, Y. Ishida, R. Kosugi and S. Yoshida
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 (ICSCRM2001) (ThB2-6) (Tsukuba)
    November, 2001
  • X-ray Photoelectron Spectroscopy Studies of Post Oxidation Process Effects on Oxide/SiC Interfaces
    Y. Hijikata, H. Yaguchi, M. Yoshikawa and S. Yoshida
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 (ICSCRM2001) (WeP-66) (Tsukuba)
    October, 2001
  • Spatial Mapping of the Carrier Concentration and Mobility in SiC Wafers by Micro Fourier-Transform Infrared Spectroscopy
    H. Yaguchi, K. Narita, Y. Hijikata, S. Yoshida, S. Nakashima and N. Oyanagi
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 (ICSCRM2001) (WeP-80) (Tsukuba)
    October, 2001
  • Electronic Structure of III-V-N Alloys Studied Using Spectroscopic Ellipsometry
    H. Yaguchi
    International Narrow Gap Nitride Workshop (INGNW-01) (Singapore)
    October 9, 2001
  • (In Japanese) SiGe多結晶の凝固組織および光学特性
    高橋達也, 藤原航三, 宇佐美徳隆, 宇治原徹, 佐崎元, 村上芳弘, 矢口裕之, 小原和夫, 宍戸統悦, 中嶋一雄
    日本金属学会 (福岡)
    September 24, 2001
  • (In Japanese) NH3を窒素源とした3C-SiC (001)基板上への立方晶GaNのMBE成長(IV)
    渡邊英之, 佐々木哲哉, 中田智成, 小川大輔, 折原操, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史
    第62回応用物理学会学術講演会 (11a-Q-9) (豊田)
    September 11, 2001
  • (In Japanese) ミクロ分散的組成分布によるSiGe多結晶のマクロ物性制御
    宇佐美徳隆, 藤原航三, 宇治原徹, 佐崎元, 矢口裕之, 中嶋一雄
    第62回応用物理学会学術講演会 (12a-S-11) (豊田)
    September 12, 2001
  • (In Japanese) 分光エリプソメータによるSiO2/SiC界面の光学的評価
    富岡雄一, 緑川正彦, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉川正人, 石田夕起, 吉田貞史
    第62回応用物理学会学術講演会 (14a-S-8) (豊田)
    September 14, 2001
  • (In Japanese) 電子分光法によるSiO2/SiC界面層の組成分析
    土方泰斗, 富岡雄一, 矢口裕之, 吉川正人, 吉田貞史
    第62回応用物理学会学術講演会 (14a-S-9) (豊田)
    September 14, 2001
  • Growth simulation of GaAs/AlGaAs quantum dot grown in tetrahedral-shaped recesses on GaAs (111)B substrate
    T. Tsujikawa, M. Ogura and H. Yaguchi
    10th International Conference on Modulated Semiconductor Structures (MSS10) (ThP1) (Linz, Austria)
    July, 2001
  • Photoluminescence Study on Temperature Dependence of Band Gap Energy of GaAsN Alloys
    H. Yaguchi, S. Kikuchi, Y. Hijikata, S. Yoshida, D. Aoki and K. Onabe
    The Fourth International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-4) (Denver, USA)
    July, 2001
  • Spectroscopic Ellipsometry Study on the Electronic Structure Near the Absorption Edge of GaAsN Alloys
    H. Yaguchi, S. Matsumoto, Y. Hijikata, S. Yoshida, T. Maeda, M. Ogura, D. Aoki and K. Onabe
    The Fourth International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-4) (Denver, USA)
    July, 2001
  • Persistent Photoconductivity in Si-Doped n-Type GaN
    H. Yaguchi, T. Nakamura, Y. Hijikata, S. Yoshida, K. Kojima, X. Shen and H. Okumura
    The Fourth International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-4) (Denver, USA)
    July, 2001
  • Temperature dependence of photoluminescence of GaAsN alloys
    H. Yaguchi, S. Kikuchi, Y. Hijikata, S. Yoshida, D. Aoki and K. Onabe
    20th Electronic Materials Symposium (C4) (Nara)
    June, 2001
  • Composition Analysis of SiO2/SiC Interfaces by Electron Spectroscopic Measurements Using Slope Shaped Oxide Films
    Y. Hijikata, H. Yaguchi, M. Yoshikawa and S. Yoshida
    The European Materials Research Society (E-MRS) 2001 Spring Meeting (F-II.7) (Strasbourg, France)
    June, 2001
  • (In Japanese) Siドープn型GaNにおける永続光伝導
    中村達人, 矢口裕之, 児島一聡, 沈旭強, 奥村元, 吉田貞史
    第48回応用物理学関係連合講演会 (29a-M-11) (Tokyo, Japan)
    March 29, 2001
  • (In Japanese) 走査オージェ電子分光法によるSiO2/SiC界面層の組成分析
    土方泰斗, 富岡雄一, 飯田健, 矢口裕之, 吉川正人, 吉田貞史
    第48回応用物理学関係連合講演会 (30a-E-2) (Tokyo, Japan)
    March 30, 2001
  • (In Japanese) 分光エリプソメーターによるSiC酸化膜の屈折率の評価
    飯田健, 富岡雄一, 塚田浩之, 緑川正彦, 吉本和生, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉川正人, 石田夕起, 吉田貞史
    第48回応用物理学関係連合講演会 (30a-E-4)(Tokyo, Japan)
    March 30, 2001
  • (In Japanese) 分光エリプソメータによるSiC上のLTO膜の評価
    富岡雄一, 飯田健, 緑川正彦, 塚田浩之, 吉本和生, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉川正人, 石田夕起, 小杉亮治, 吉田貞史
    第48回応用物理学関係連合講演会 (30a-E-5)(Tokyo, Japan)
    March 30, 2001
  • (In Japanese) GaAsN混晶のフォトルミネッセンスの温度依存性
    矢口裕之, 菊池真也, 松本繁, 土方泰斗, 吉田貞史, 青木大一郎, 尾鍋研太郎
    第48回応用物理学関係連合講演会 (31a-G-2)(Tokyo, Japan)
    March 31, 2001
  • (In Japanese) 分光偏光解析法を用いたGaAsN混晶の光学的評価(II)
    松本繁, 矢口裕之, 土方泰斗, 青木大一郎, 尾鍋研太郎, 前田辰郎, 小倉睦郎, 吉田貞史
    第48回応用物理学関係連合講演会 (31a-G-3) (Tokyo, Japan)
    March 31, 2001
  • (In Japanese) NH3を窒素源とした3C-SiC (001)基板上への立方晶GaNのMBE成長(III)
    渡邊英之, 小川大輔, 岡本隆幸, 佐々木哲哉, 中田智成, 折原操, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史
    第48回応用物理学関係連合講演会 (31a-M-7)(Tokyo, Japan)
    March 31, 2001
  • (In Japanese) 立方晶AlGaN混晶の低温分光エリプソメトリ測定
    鈴木隆信, 西原信, 土方泰斗, 矢口裕之, 折原操, 石田夕起, 奥村元, 吉田貞史
    第48回応用物理学関係連合講演会 (31a-M-9)(Tokyo, Japan)
    March 31, 2001