Yaguchi

Presentation 2008


  • (In Japanese) 分光エリプソメトリによるSiC/酸化膜界面の光学的評価
    若林敬浩, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史
    SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第17回講演会 (P-61) (Tokyo, Japan)
    December 8, 2008
  • (In Japanese) 分光エリプソメータによるSiO2/SiC界面の光学的評価 　-紫外領域への拡張-
    関 秀康, 若林敬浩, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史
    SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第17回講演会 (P-63) (Tokyo, Japan)
    December 8, 2008
  • (In Japanese) In-situ分光エリプソメータによるSiCの極薄膜厚領域における酸化過程の観察
    高久英之, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史
    SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第17回講演会 (P-65) (Tokyo, Japan)
    December 8, 2008
  • In Japanese) (界面Si 及びC原子放出現象に基づくSiC酸化速度のモデル計算
    土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史
    SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第17回講演会 (P-66) (Tokyo, Japan)
    December 8, 2008
  • (In Japanese) 第一原理計算を用いた立方晶GaNの電気的特性解析
    中島 洋, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史
    SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第17回講演会 (P-72) (Tokyo, Japan)
    December 8, 2008
  • (In Japanese) SiC酸化膜界面の分光エリプソメトリによる評価
    吉田貞史, 矢口裕之, 土方泰斗
    SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第17回講演会 (V-1) (Tokyo, Japan)
    December 9, 2008
  • Model Calculation of SiC Oxide Growth Rate based on the Silicon and Carbon Emission Model
    Y. Hijikata, H. Yaguchi, and S. Yoshida
    7th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (WeP-18) (Barcelona, Spain)
    September 10, 2008
  • Characterization of 4H-SiC-SiO2 Interfaces by a Deep Ultraviolet Spectroscopic Ellipsometer
    H. Seki, T. Wakabayashi, Y. Hijikata, H. Yaguchi, and S. Yoshida
    7th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (WeP-19) (Barcelona, Spain)
    September 10, 2008
  • Observation of SiC Oxidation in Ultra-Thin Oxide Regime by In-Situ Spectroscopic Ellipsometry
    T. Takaku, Y. Hijikata, H. Yaguchi, and S. Yoshida
    7th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (WeP-20) (Barcelona, Spain)
    September 10, 2008
  • (In Japanese) 分光エリプソメータを用いたGaAsN混晶の電子構造に関する研究
    鈴木 直也, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史, 片山 竜二, 尾鍋 研太郎
    第69回応用物理学会学術講演会 (4a-CF-11)（Kasugai, Japan）
    September 4, 2008
  • (In Japanese) 窒素をδドープしたGaP中の等電子トラップからの発光(II)
    伊藤 正俊, 福島 俊之, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史, 吉田 正裕, 秋山 英文, 窪谷 茂幸, 片山 竜二, 尾鍋 研太郎
    第69回応用物理学会学術講演会 (4a-CF-15)（Kasugai, Japan）
    September 4, 2008
  • (In Japanese) 様々な面方位基板上に作製した窒素δドープGaAs中の等電子トラップからの発光
    福島 俊之, 伊藤 正俊, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史, 吉田 正裕, 秋山 英文, 窪谷 茂幸, 片山 竜二, 尾鍋 研太郎
    第69回応用物理学会学術講演会 (4a-CF-16)（Kasugai, Japan）
    September 4, 2008
  • (In Japanese) RF-MBE法を用いた4H-SiC(0001)基板上へのInN結晶の直接成長
    折原 操, 富田 康浩, 瀧澤 伸, 佐藤 貴紀, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
    第69回応用物理学会学術講演会 (4p-CG-3)（Kasugai, Japan）
    September 4, 2008
  • (In Japanese) III-V-N混晶のバンドギャップナローイングと光物性
    矢口裕之
    第69回応用物理学会学術講演会 (3p-ZV-7)（Kasugai, Japan）
    September 3, 2008
  • (In Japanese) 多入射角分光エリプソメトリによるSiC/酸化膜界面の光学的評価II
    若林 敬浩, 関 秀康, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
    第69回応用物理学会学術講演会 (2p-CE-12)（Kasugai, Japan）
    September 2, 2008
  • (In Japanese) 窒素をδドープしたGaAsにおける単一の等電子トラップからの発光
    矢口 裕之
    第4回量子材料セミナー（Chofu, Japan）
    July 23, 2008
  • (In Japanese) 局所ドーピング半導体による単一光子発生に関する研究
    矢口裕之
    2008旭硝子財団助成研究発表会（Tokyo, Japan）
    July 15, 2008
  • High Resolution X-ray Diffraction and Raman Scattering Studies of Cubic-Phase InN Films Grown by MBE
    S. Kuntharin, S. Sanorpim, Y. Iwahashi, H. Yaguchi, A. Nishimoto, M. Orihara, Y. Hijikata, S. Yoshida
    Smart/Intelligent Materials and Nano Technology 2008 & 2nd Internatinal Workshop on Functional Materials and Nanomaterials (SmartMat-'08 & IWOFM-2) (Chiang Mai, Thailand)
    April 24, 2008
  • (In Japanese) RF-MBE法を用いた3C-SiC基板上への立方晶InNの結晶成長およびその物性評価
    富田 康浩, 井上 赳, 折原 操, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史, 平林 康男
    第55回応用物理学関係連合講演会 (27p-B-6)（Funabashi, Japan）
    March 27, 2008
  • (In Japanese) RF-MBE法により成長した立方晶InNのPL測定（II）
    井上　赳, 四方　剛, 塚越裕介, 富田康浩, 中島　洋, 折原　操, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史
    第55回応用物理学関係連合講演会 (27p-B-7)（Funabashi, Japan）
    March 27, 2008
  • (In Japanese) RF-MBE法により成長させたA面InN膜のフォトルミネッセンス特性
    四方　剛, 井上　赳, 佐藤貴紀, 平山秀樹, 折原　操, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史
    第55回応用物理学関係連合講演会 (27p-B-16)（Funabashi, Japan）
    March 27, 2008
  • (In Japanese) In-situ分光エリプソメータによるSiCの極薄領域における酸化過程の観察
    高久英之, 山本健史, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史
    第55回応用物理学関係連合講演会 (28p-A-1)（Funabashi, Japan）
    March 28, 2008
  • (In Japanese) 多入射角分光エリプソメトリによるSiC/酸化膜界面の光学的評価
    若林敬浩, 関　秀康, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史
    第55回応用物理学関係連合講演会 (28p-A-2)（Funabashi, Japan）
    March 28, 2008
  • (In Japanese) 分光エリプソメータによるSiO2/SiC界面の光学的評価　-酸化膜厚依存性-
    Hideyasu Seki, Takahiro Wakabayashi, Yasuto Hijikata, Hiroyuki Yaguchi, Sadafumi Yoshida
    第55回応用物理学関係連合講演会 (28p-A-3)（Funabashi, Japan）
    March 28, 2008
  • (In Japanese) 極低濃度窒素をドーピングしたGaAs中の等電子トラップからの発光
    Toshiyuki Fukushima, Yuta Endo, Masatoshi Ito, Yasuto Hijikata, Hiroyuki Yaguchi, Sadafumi Yoshida, Masahiro Yoshita, Hidefumi Akiyama, Shigeyuki Kuboya, Ryuji Katayama, Kentaro Onabe
    第55回応用物理学関係連合講演会 (29p-ZT-13)（Funabashi, Japan）
    March 29, 2008
  • (In Japanese) ラマン分光を用いたGaInAsN混晶の発光効率の変化に関する研究
    Kentaro Tanioka, Ayumu Horiguchi, Yasuto Hijikata, Hiroyuki Yaguchi, Sadafumi Yoshida, Ryuji Katayama, Kentaro Onabe, Masahiro Yoshita, Hidefumi Akiyama
    第55回応用物理学関係連合講演会(29p-ZT-18)（Funabashi, Japan）
    March 29, 2008