Yaguchi

Presentation 2006


  • (In Japanese) テラヘルツ分光法によるSiC エピタキシャル成長膜のキャリヤ濃度, 移動度, 膜厚の同時評価
    大石 慎吾, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
    SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第15回講演会(P-20) (Takasaki, Japan)
    November 9, 2006
  • (In Japanese) 窒素イオン注入によりアモルファス化された4H-SiCを用いたMOSキャパシタの作製
    土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史, F. Moscatelli, A. Poggi, S. Solmi, R. Nipoti
    SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第15回講演会(P-32) (Takasaki, Japan)
    November 9, 2006
  • (In Japanese) In-situ 分光エリプソメータによるSiC 酸化速度の酸素分圧依存性測定
    山本 健史, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
    SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第15回講演会(P-28) (Takasaki, Japan)
    November 9, 2006
  • (In Japanese) 分光エリプソメータによるSiO2/SiC界面の光学的評価 — 酸化法, 面方位依存性 —
    橋本 英樹, 窪木 亮一, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
    SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第15回講演会(P-27) (Takasaki, Japan)
    November 9, 2006
  • (In Japanese) 分光エリプソメータによるSiO2/SiC界面の光学的評価 — 複数の入射角による測定 —
    窪木 亮一, 橋本 英樹, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
    SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第15回講演会(P-26) (Takasaki, Japan)
    November 9, 2006
  • (In Japanese) GaN, InN結晶特性からみた立方晶, 六方晶の違いに関する考察
    矢口 裕之
    第31回結晶成長討論会 (Otsu, Japan)
    November 5, 2006
  • Photoluminescence Study of Isoelectronic Traps in Dilute GaAsN alloys
    H. Yaguchi, T. Aoki, T. Morioke, Y. Hijikata, S. Yoshida, M. Yoshita, H. Akiyama, D. Aoki, and K. Onabe
    International Workshop on Nitride Semiconductors 2006 (IWN2006) MoP2-71, (Kyoto, Japan)
    October 23, 2006
  • Structural and Optical Characterization of High In Content Cubic InGaN on GaAs(001) Substrates by RF-MBE
    T. Nakamura, Y, Endo, R. Katayama, H. Yaguchi, and K. Onabe
    International Workshop on Nitride Semiconductors 2006 (IWN2006) TuP1-61, (Kyoto, Japan)
    October 24, 2006
  • Micro-photoluminescence study on nitrogen atomic-layer doping in GaAs
    H. Yaguchi
    Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures, p. 51 (Bonassola, Italy)
    September 20, 2006
  • RF-MBE growth of InN/InGaN quantum well structures on 3C-SiC substrates
    S. Hirano, T. Inoue, G. Shikata, M. Orihara, Y. Hijikata, H. Yaguchi, and S. Yoshida
    International Conference on Molecular Beam Epitaxy 2006, TuP-23, p.136 (Tokyo, Japan)
    September 5, 2006
  • RF-MBE growth of a-plane InN on r-plane sapphire with a GaN underlayer
    G. Shikata, S. Hirano, T. Inoue, M. Orihara, Y. Hijikata, H. Yaguchi and S. Yoshida
    International Conference on Molecular Beam Epitaxy 2006, TuP-24, p.137 (Tokyo, Japan)
    September 5, 2006
  • Simultaneous Determination of the Carrier Concentration, Mobility and Thickness of SiC Homo-Epilayers Using Terahertz Reflectance Spectroscopy
    S. Oishi, Y. Hijikata, H. Yaguchi, and S. Yoshida
    European Conference on SiC and Related Materials (ECSCRM), MoP79 p.13 (Newcastle, UK)
    September 4, 2006
  • (In Japanese) 分光エリプソメトリによる高In 組成InGaN の光学的評価
    塚越裕介, 折原操, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史, 崔成伯, 石谷善博, 吉川明彦
    第67回応用物理学会学術講演会 (29p-C-11) p. 312（滋賀）
    August 29, 2006
  • (In Japanese) RF-MBE法により成長した立方晶InNのPL測定
    井上赳, 平野茂, 折原操, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史
    第67回応用物理学会学術講演会 (29a-C-10) p. 308（滋賀）
    August 29, 2006
  • (In Japanese) 窒素をδドープしたGaAsにおける等電子トラップの顕微フォトルミネッセンス測定
    遠藤雄太, 谷岡健太郎, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史, 吉田正裕, 秋山英文, 中島史博, 片山竜二, 尾鍋研太郎
    第67回応用物理学会学術講演会 (29p-B-11) p. 293（滋賀）
    August 29, 2006
  • (In Japanese) 赤外反射分光法を用いたSiCエピ膜の電気的特性の評価
    大石 慎吾, 土方泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
    第67回応用物理学会学術講演会 (30p-ZG-1) p. 370（滋賀）
    August 30, 2006
  • (In Japanese) 分光エリプソメータによるSiO2/SiC界面の光学的評価　-酸化法, 面方位依存性-
    橋本 英樹, 窪木 亮一, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
    第67回応用物理学会学術講演会 (31a-ZG-8) p. 377（滋賀）
    August 31, 2006
  • (In Japanese) 窒素イオン注入によりアモルファス化された4H-SiCを用いたMOSキャパシタの作製
    土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史, F. Moscatelli, A. Poggi, S. Solmi, R. Nipoti
    第67回応用物理学会学術講演会 (31a-ZG-6) p. 377（滋賀）
    August 31, 2006
  • Micro-photoluminescence study of nitrogen atomic-layer doped GaAs
    Y. Endo, K. Tanioka, Y. Hijikata, H. Yaguchi, S. Yoshida, M. Yoshita, H. Akiyama, W. Ono, F. Nakajima, R. Katayama, and K. Onabe
    25th Electronic Materials Symposium (I4) pp. 238-239 (Izu-no-kuni, Japan)
    July 6, 2006
  • Micro Raman study on the improvement of luminescence efficiency of GaAsN alloys
    K. Tanioka, Y. Endo, Y. Hijikata, H. Yaguchi, S. Yoshida, N. Yoshita, H. Akiyama, and K. Onabe
    13th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (Tu-P.53) (Miyazaki, Japan)
    May 23, 2006
  • Micro-photoluminescence study of nitrogen delta-doped GaAs grown by metalorganic vapor phase epitaxy
    Y. Endo, K. Tanioka, Y. Hijikata, H. Yaguchi, S. Yoshida, M. Yoshita, H. Akiyama, W. Ono, F. Nakajima, R. Katayama, and K. Onabe
    13th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (Tu-P.96) (Miyazaki, Japan)
    May 23, 2006
  • Real-time observation of SiC oxidation using an in situ spectroscopic ellipsometer
    S. Yoshida, K. Kakubari, Y. Hijikata, H. Yaguchi, and M. Yoshikawa
    2006 Japanese-Spanish-German Joint Workshop on Advanced Semiconductor Optoelectronic Materials and Devices (Berlin, Germany)
    March, 2006
  • (In Japanese) RF-MBE法を用いた3C-SiC(001)基板上への六方晶InNの結晶成長
    井上　赴, 岩橋洋平, 平野　茂, 折原　操, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史
    第53回応用物理学関係連合講演会 (22p-ZF-7) (Tokyo, Japan)
    March 22, 2006
  • (In Japanese) RF-MBE法を用いたSiC基板上へのInN/InGaN量子井戸構造の作製
    折原　操, 岩橋洋平, 平野　茂, 井上　赴, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史
    第53回応用物理学関係連合講演会 (22p-ZF-8) (Tokyo, Japan)
    March 22, 2006
  • (In Japanese) In-situ分光エリプソメータによるSiCの酸化の実時間観察
    覚張光一, 窪木亮一, 山本健史, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史
    第53回応用物理学関係連合講演会 (24a-ZP-9) (Tokyo, Japan)
    March 24, 2006
  • (In Japanese) ラマン分光を用いたGaAsN混晶の発光効率向上に関する研究
    谷岡健太郎, 遠藤雄太, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史, 青木大一郎, 尾鍋研太郎
    第53回応用物理学関係連合講演会 (24a-P-7) (Tokyo, Japan)
    March 24, 2006
  • (In Japanese) RF-MBE法を用いた立方晶InNの結晶成長(IV)
    岩橋洋平, 折原　操, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史
    第53回応用物理学関係連合講演会 (26p-ZE-2) (Tokyo, Japan)
    March 26, 2006