Yaguchi

発表 1991


  • 表面自由エネルギー制御による急峻な半導体ヘテロ界面の形成
    深津 晋, 藤田 研, 矢口 裕之, 白木 靖寛, 伊藤 良一
    電気学会電子材料研究会 (EMF-91-11) 1991. 12. 11
  • ラマン分光法によるGaAs上の立方晶GaNの評価
    矢口 裕之, 新田 芳基, 尾鍋 研太郎, 深津 晋, 白木 靖寛, 伊藤 良一
    応用物理学会第52回講演会 (9a X8) (岡山) 1991. 10. 9
  • SiGe超格子中Sbのドーピング自己変調性
    藤田 研, 深津 晋, 矢口 裕之, 白木 靖寛, 伊藤 良一
    応用物理学会第52回講演会 (11p Z6) (岡山) 1991. 10. 11
  • Si MBE成長におけるSbの非平衡表面偏析の濃度依存性
    深津 晋, 藤田 研, 矢口 裕之, 白木 靖寛, 伊藤 良一
    応用物理学会第52回講演会 (11p Z7) (岡山) 1991. 10. 11
  • ヘテロエピタキシャル薄膜中の転位の運動速度
    山下 善文, 前田 康二, 目良 裕, 矢口 裕之, 白木 靖寛
    日本物理学会第46回年会講演 (28p-K-10) (札幌) 1991. 9. 28
  • Atomistic Picture of Interfacial Mixing in the Si/Ge Hetrostructures
    Susumu Fukatsu, Ken Fujita, Hiroyuki Yaguchi, Yasuhiro Shiraki and Ryoichi Ito
    5th Conference on Modulated Semiconductor Structures (MSS-5) (Nara) 1991. 7.
  • Kinetics of Ge Segregation in the Presence of Sb during Molecular Beam Epitaxy
    Susumu Fukatsu, Ken Fujita, Hiroyuki Yaguchi, Yasuhiro Shiraki and Ryoichi Ito
    4th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (Anaheim, USA) 1991. 4.
  • Suppression of Si/Ge Interfacial Mixing with Sb Deposition in Strained-Layer Superlattices
    Ken Fujita, Susumu Fukatsu, Hiroyuki Yaguchi, Takayuki Igarashi, Yasuhiro Shiraki and Ryoichi Ito
    4th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (Anaheim, USA) 1991. 4.
  • Initial Oxidation of MBE-Grown Si Surfaces
    Takayuki Igarashi, Hiroyuki Yaguchi, Ken Fujita, Susumu Fukatsu, Yasuhiro Shiraki, Takeo Hattori and Ryoichi Ito
    4th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (Anaheim, USA) 1991. 4.
  • Structural Characterization of Si/Ge Heterointerfaces by Secondary Ion Mass Spectroscopy
    Susumu Fukatsu, Hiroyuki Yaguchi, Ken Fujita, Yasuhiro Shiraki and Ryoichi Ito
    4th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (Anaheim, USA) 1991. 4.
  • HBO2ソースによるGe中のBのdelta-ドーピング
    矢口 裕之, 五十嵐 孝行, 藤田 研, 深津 晋, 白木 靖寛, 伊藤 良一
    第38回応用物理学関係連合講演会 (29pZF11) (平塚) 1991. 3. 29
  • Si1-xGex/Siエピタキシャル膜中のミスフィット転位の 上昇運動のその場観察
    山下 善文, 目良 裕, 前田 康二, 矢口 裕之, 藤田 研, 白木 靖寛
    第38回応用物理学関係連合講演会 (30aZF2) (平塚) 1991. 3. 30
  • MBE法により形成されたシリコン表面の初期酸化
    五十嵐 孝行, 田村 佳哉, 矢口 裕之, 藤田 研, 深津 晋, 服部 健雄, 白木 靖寛, 伊藤 良一
    第38回応用物理学関係連合講演会 (29aSY8) (平塚) 1991. 3. 29
  • SIMSを用いたSiGe界面における急峻性評価
    深津 晋, 藤田 研, 矢口 裕之, 白木 靖寛, 伊藤 良一
    第38回応用物理学関係連合講演会 (30aZF8) (平塚) 1991. 3. 30
  • Si MBEにおけるGeの表面偏析の解析
    深津 晋, 藤田 研, 矢口 裕之, 白木 靖寛, 伊藤 良一
    第38回応用物理学関係連合講演会 (30aZF9) (平塚) 1991. 3. 30
  • SbによるGeの表面偏析抑制の機構
    藤田 研, 深津 晋, 矢口 裕之, 五十嵐 孝行, 白木 靖寛, 伊藤 良一
    第38回応用物理学関係連合講演会 (30aZF12) (平塚) 1991. 3. 30