発表 2025

• マグネトロンスパッタ法によるAl_xIn_1-xSb薄膜成⻑
  有路 結斗, 矢口 裕之, 藤川 紗千恵
  第86回応用物理学会秋季学術講演会 (7a-P04-5) (名古屋)
  2025. 9. 7
• MBE法によるInSb_1-xN_x薄膜の成⻑と特性評価
  ⽩川 裕暉, 寺前 航介, 矢口 裕之, 藤川 紗千恵
  第86回応用物理学会秋季学術講演会 (7a-P04-6) (名古屋)
  2025. 9. 7
• スパッタ法で作製したInSb_1-xN_x薄膜のラマン散乱特性評価
  寺前 航介, 矢口 裕之, 藤川 紗千恵
  第86回応用物理学会秋季学術講演会 (7a-P04-7) (名古屋)
  2025. 9. 7
• 厚さ約23 μmの活性領域を有する片⾯⾦属プラズモン導波路型テラヘルツ量⼦カスケードレーザーの作製と光学評価
  石田 峻之, 林 宗澤, 矢部 航輝, 津田 祐樹, 鈴木 洋介, 宮川 敬太, 秋山 浩一, 王 利, 藤川 紗千恵, 矢口 裕之, 平山 秀樹
  第86回応用物理学会秋季学術講演会 (8a-P02-1) (名古屋)
  2025. 9. 8
• A new tri-layer Ni/Al/Au p-electrode in 281 nm UVB LED Boosted EQE to 4.6%
  Hamida Zia, Amina Yasin, Kohei Fujimoto, Hiroyuki Yaguchi, M Ajmal Khan, Hideki Hirayama
  第86回応用物理学会秋季学術講演会 (9a-N205-3) (名古屋)
  2025. 9. 9
• GaN 系THz-QCL の3準位ダブルLOフォノン散乱機構の解析
  矢部 航輝, 高橋 瞳瑠, ⾦⼦ 瑛, 藤川 紗千恵, 矢口 裕之, シャシャンクミシュラ, 平山秀樹
  第86回応用物理学会秋季学術講演会 (9p-N301-7) (名古屋)
  2025. 9. 9
• ペロブスカイト太陽電池の熱耐久性における電⼦輸送層の影響
  江村 ⻯聖, 舩木 敬, 山本 晃平, ⻄村 直之, 矢口 裕之, 村上 拓郎
  第86回応用物理学会秋季学術講演会 (9p-S302-2) (名古屋)
  2025. 9. 9
• 2段階塗布法を⽤いたペロブスカイト層における残留PbI₂の影響
  石井 聖真, 山本 晃平, 矢口 裕之, 村上 拓郎
  第86回応用物理学会秋季学術講演会 (10a-S201-6) (名古屋)
  2025. 9. 10
• Epitaxy growth and characterization of Be-doped InSb thin films
  Sachie Fujikawa, Hiroyuki Yaguchi
  21st International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-21) (HP11) (Xi'an, China)
  2025. 8. 7
• Realizing a High External Quantum Efficiency of 0.44% in 232 nm AlGaN-based far-UVC LED by Suppressing Relaxation in n-AlGaN Layer Via Homoepitaxy
  Muhammad Ajmal Khan, Hiromitsu Sakai, M. Nawaz Sharif, Arata Sasaki, Amina Yasin, Yuya Nagata, Yukio Kashima, Mitsuhiro Muta, Yasushi Iwaisako, Hiroyuki Yaguchi, Hideki Hirayama
  15th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 15) (OD-Mon-P4) (Malmö, Sweden)
  2025. 7. 7
• Experimental and Theoretical Insights into the Relaxed or Strained 230 nm far-UVC LEDs as a Function of Quantum-Well Numbers
  M. Nawaz Sharif, Hiromitsu Sakai, Kohei Fujimoto, Yuya Nagata, Hiroyuki Yaguchi, Muhammad Ajmal Khan, Hideki Hirayama
  15th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 15) (OD-Tue-4) (Malmö, Sweden)
  2025. 7. 8
• Nanoscopic Insights into the Structural and Optical Properties of a Far-UVC-LED: Detailed Characterization of Carrier Capture in Active Region
  Frank Bertram, Gordon Schmidt, Peter Veit, Juergen Christen, M. Ajmal Khan, Kohei Fujimoto, Yuya Nagata, Hiroyuki Yaguchi, Hideki Hirayama
  15th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 15) (OD-Tue-18A) (Malmö, Sweden)
  2025. 7. 8
• Polarisation Assisted n-AlGaN Electron Injection Layer in 229 nm far-UVC LEDs for Hole Blocking and Current Density Enhancement
  Muhammad Ajmal Khan, Hiromitsu Sakai, M. Nawaz Sharif, Yuya Nagata, Kohei Fujimoto, Amina Yasin, Mitsuhiro Muta, Yasushi Iwaisako, Hiroyuki Yaguchi, Hideki Hirayama
  15th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 15) (OD-Tue-20A)(Malmö, Sweden)
  2025. 7. 8
• Highly Reflective and Conductive New Ni/Al/Au p-electrode for 292 nm UVB LED on C-plane Sapphire
  Hamida Zia, Amina Yasin, Fujimoto Kohei, Nagata Yuya, Yaguchi Hiroyuki, Muhammad Ajmal Khan, Hirayama Hideki
  15th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 15) (OD-Tue-P3) (Malmö, Sweden)
  2025. 7. 8
• Above Room Temperature Optical Gain in 3-15 THz Range GaN/AlGaN Quantum-Cascade Laser obtained by NEGF Analysis
  Koki Yabe, Airu Takahashi, Akira Kaneko, Li Wang, Ke Wang, Sachie Fujikawa, Krishan Kumar, Shashank Mishra, Thomas Grange, Stefan Birner, Hiroyuki Yaguchi, Hideki Hirayama
  15th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 15) (OD-Thu-5) (Malmö, Sweden)
  2025. 7. 10
• Marked Enhancement of Optical Gain by Doping for 10 THz-band GaN-based Quantum-Cascade Laser Analyzed by NEGF method
  Airu Takahashi, Koki Yabe, Akira Kaneko, Li Wang, Ke Wang, Sachie Fujikawa, Krishan Kumar, Shashank Mishra, Thomas Grange, Stefan Birner, Hiroyuki Yaguchi, Hideki Hirayama
  15th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 15) (OD-Thu-P13) (Malmö, Sweden)
  2025. 7. 10
• Design and Fabrication of GaN/AlGaN THz Quantum-Cascade Laser Structure on SiC Substrate
  Akira Kaneko, Airu Takahashi, Koki Yabe, Li Wang, Ke Wang, Sachie Fujikawa, Krishan Kumar, Shashank Mishra, Hiroyuki Yaguchi, Hideki Hirayama
  15th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 15) (OD-Thu-P14) (Malmö, Sweden)
  2025. 7. 10
• Germanium-on-Nothing構造を⽤いたGe薄膜の作製と結晶性評価
  范 ⽂博, ⼋⽊ 修平, ⽮⼝ 裕之
  第22回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム (第5回⽇本太陽光発電学会学術講演会) (6-4) (東京)
  2025. 7. 4
• Growth of Zn doped and Sn modulation doped InSb_1-xN_x thin films by DC/RF magnetron sputtering
  Sachie Fujikawa, Yuto Ariji, and Hiroyuki Yaguchi
  Compound Semiconductor Week 2025 (P8) (Banff, Canada)
  2025. 5. 28
• High-performance UVB and Far-UVC LEDs on Sapphire Aiming for Inactivation of Viruses and Bacteria
  Muhammad Ajmal Khan, Mitsuhiro Muta, Hiromitsu Sakai, Yukio Kashima, Hiroyuki Yaguchi, Yasushi Iwaisako, Hideki Hirayama
  46th Photonics and Electromagnetics Research Symposium (PIERS2025) (Abu Dhabi, United Arab Emirates)
  2025. 5. 6
• コア層ドーピング濃度を考慮したGaN系THz-QCLの光利得マッピング解析
  矢部 航輝, 高橋 瞳瑠, 金子 瑛, 藤川 紗千恵, 矢口 裕之, クリシャン クマール, シャシャンク ミシュラ, 平山 秀樹
  第72回応用物理学会春季学術講演会 (14p-K504-4) (野田)
  2025. 3. 14
• 自己組織化電子輸送層を用いたペロブスカイト太陽電池の耐熱性の検討
  江村 竜聖, 舩木 敬, 山本 晃平, 西村 直之, 矢口 裕之, 村上 拓郎
  第72回応用物理学会春季学術講演会 (14p-P08-8) (野田)
  2025. 3. 14
• 段階塗布法を用いたペロブスカイト成膜におけるペロブスカイト層内の 残留PbI₂の影響
  石井 聖真, 山本 晃平, 江口 直人, 矢口 裕之, 村上 拓郎
  第72回応用物理学会春季学術講演会 (14p-P08-18) (野田)
  2025. 3. 14
• Aluminiumization-Assisted Influence on the Crystalline Quality of the AIN Template Grown on c-Sapphire
  Amina Yasin, Yuya Nagata, M. Nawaz Sharif, Hamida Zia, Hiroyuki Yaguchi, M. Ajmal Khan, Hideki Hirayama
  第72回応用物理学会春季学術講演会 (16a-K401-6) (野田)
  2025. 3. 16
• Germanium-on-Nothing構造形成のためのアニール条件の検討
  范 文博, 大島 隆治, 庄司 靖, 菅谷 武芳, 八木 修平, 矢口 裕之
  第72回応用物理学会春季学術講演会 (16p-P15-1) (野田)
  2025. 3. 16