Yaguchi

発表 2019


  • Crystal Growth Dynamics of CH3NH3PbI3 in Vacuum Deposition Process
    Tetsuhiko Miyadera, Yuto Auchi, Kohei Yamanoto, Noboru Ohashi, Tomoyuki Koganezawa, Hiroyuki Yaguchi, Yuji Yoshida, Masayuki Chikamatsu
    Materials Research Meeting 2019 (G3-13-P16) (Yokohama)
    2019. 12. 13
  • DCスパッタAlNテンプレートを用いたUVC-LEDの進展
    最上 耀介, 大澤 篤史, 尾崎 一人, 谷岡 千丈, 前岡 淳史, 糸数 雄吏, 桑葉 俊輔, 定 昌史, 前田 哲利, 矢口 裕之, 平山 秀樹
    電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会 (LQE2019-96) (浜松)
    2019. 11. 22
  • Fabrication of UVC AlGaN LEDs on DC-sputtered AlN templates with hightemperature annealing
    Yosuke Mogami, Atushi Osawa, Kazuto Osaki, Y. Tanioka, Atsushi Maeoka, Yuri Itokazu, Shunsuke Kuwaba, Masafumi Jo, Noritoshi Maeda, Hirouyki Yaguchi, and Hideki Hirayama
    The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (MoP-OD-13) (Onna-son, Okinawa)
    2019. 11. 11
  • 真空プロセスによる鉛ハライドペロブスカイトの配向制御
    宮寺 哲彦, 阿内 悠人, 山本 晃平, 大橋 昇, 小金澤 智之, 矢口 裕之, 吉田 郵司, 近松 真之
    第68回高分子討論会 (2U13) (福井)
    2019. 9. 26
  • Photoluminescence Intensity Change of GaPN by Laser Irradiation
    Sultan Md. Zamil, A. Shiroma, Shuhei Yagi, Kengo Takamiya, and Hiroyuki Yaguchi
    7th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures (P-12) (Kobe)
    2019. 9. 25
  • Upconversion Luminescence from GaPN Alloys with Various N Compositions
    Kengo Takamiya, Wataru Takahashi, Shuhei Yagi, Norihiko Kamata, Yuji Hazama, Hidefumi Akiyama, and Hiroyuki Yaguchi
    7th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures (P-24) (Kobe)
    2019. 9. 25
  • Fabrication of Cubic InN Nanowires on GaN V-Groove Structures
    Yusuke Nishimura, Shuhei Yagi, and Hiroyuki Yaguchi
    7th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures (P-25) (Kobe)
    2019. 9. 25
  • Growth of InN nanocolumns using a cubic GaN interlayer by RF-MBE
    Rikiya Onuma, Shuhei Yagi, and Hiroyuki Yaguchi
    7th International Workshop on Eptaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures (P-26) (Kobe)
    2019. 9. 25
  • Laser Induced Degradation of Photoluminescence Intensity in GaPN
    Md Zamil Sultan, A. Shiroma, Shuhei Yagi, Kengo Takamiya, Hiroyuki Yaguchi
    第80回応用物理学会秋季学術講演会 (18a-B31-5) (札幌)
    2019. 9. 18
  • InGaAs:N δドープ超格子の電気特性評価
    米野 龍司, 宮下 直也, 岡田 至崇, 八木 修平, 矢口 裕之
    第80回応用物理学会秋季学術講演会 (18a-B31-6) (札幌)
    2019. 9. 18
  • (111)基板上に作製した窒素δドープGaAs中の単一等電子トラップによる励起子分子発光
    高岡 祥平, 高宮 健吾, 八木 修平, 挟間 優治, 秋山 英文, 矢口 裕之
    第80回応用物理学会秋季学術講演会 (18a-B31-7) (札幌)
    2019. 9. 18
  • RF-MBE法による立方晶GaN中間層を用いたInNナノコラムの成長
    大沼 力也, 八木 修平, 矢口 裕之
    第80回応用物理学会秋季学術講演会 (18a-PB3-19) (札幌)
    2019. 9. 18
  • GaN V溝構造を下地層とした立方晶InNナノワイヤの作製
    西村 裕介, 八木 修平, 矢口 裕之
    第80回応用物理学会秋季学術講演会 (18a-PB3-20) (札幌)
    2019. 9. 18
  • DCスパッタAlNテンプレート上UVC AlGaN LEDの作製と評価
    最上 耀介, 大澤 篤史, 尾崎 一人, 谷岡 千丈, 前岡 淳史, 糸数 雄吏, 桑葉 俊輔, 定 昌史, 前田 哲利, 矢口 裕之, 平山 秀樹
    第80回応用物理学会秋季学術講演会 (18a-E310-9) (札幌)
    2019. 9. 18
  • DCスパッタAlNを用いたAlGaN層格子緩和の促進
    最上 耀介, 大澤 篤史, 尾崎 一人, 谷岡 千丈, 前岡 淳史, 糸数 雄吏, 桑葉 俊輔, 定 昌史, 前田 哲利, 矢口 裕之, 平山 秀樹
    第80回応用物理学会秋季学術講演会 (18a-E310-8) (札幌)
    2019. 9. 18
  • 窒素δ-ドープGaAs超格子の二波長励起フォトルミネッセンス法によるキャリア再結合準位評価
    永田 航太, 鎌田 憲彦, 八木 修平, 矢口 裕之
    第80回応用物理学会秋季学術講演会 (18p-PB4-11) (札幌)
    2019. 9. 18
  • Optical detection of nonradiative recombination levels via intermediate band in GaAs:N δ-doped superlattices
    Norihiko Kamata, K. Nagata, Md. Dulal Haque, Zentaro Honda, Shuhei Yagi, Hiroyuki Yaguchi and Yoshitaka Okada
    30th International Conference on Defects in Semiconductors (Seattle, USA)
    2019. 7. 22
  • Two-Wavelength Excited Photoluminescence Study of Upconversion Photoluminescence from GaPN Alloys
    Hiroyuki Yaguchi, Wataru Takahashi, Kengo Takamiya, Shuhei Yagi, Norihiko Kamata, Yuji Hazama and Hidefumi Akiyama
    13th International Conference on Nitride Semiconductors (IP-01.07) (Bellevue, USA)
    2019. 7. 8
  • Enhanced Strain Relaxation in AlGaN Layers Grown on Sputter-Based AlN Templates
    Yosuke Mogami, Shogo Motegi, Atushi Osawa, Kazuto Osaki, Y. Tanioka, Atsushi Maeoka, Yuri Itokazu, Shunsuke Kuwaba, Masafumi Jo, Noritoshi Maeda, Hiroyuki Yaguchi and Hideki Hirayama
    13th International Conference on Nitride Semiconductors (GP-01.12) (Bellevue, USA)
    2019. 7. 8
  • Real-time X-ray Diffraction Analysis for the Vacuum Deposition Process of CH3NH3PbI3 perovskite
    Tetsuhiko Miyadera, Yuto Auchi, Kohei Yamamoto, Noboru Ohashi, Tomoyuki Koganezawa, Hiroyuki Yaguchi, Yuji Yoshida, Masayuki Chikamatsu
    10th International Conference on Molecular Electronics & Bioelectronics (FO-10) (Nara)
    2019. 6. 27
  • Detection of Nonradiative Recombination Centers in GaPN (N:0.105%) by Below-Gap Excitation Light without Temperature Effect
    Sanjida Ferdous, C. Negishi, Norihiko Kamata, Shuhei Yagi, and Hiroyuki Yaguchi
    Compound Semiconductor Week 2019 (TuP-D-10) (Nara)
    2019. 5. 21
  • 有機鉛ペロブスカイト製膜過程リアルタイム観察
    阿内 悠人, 宮寺 哲彦, 山本 晃平, 小金澤 智之, 近松 真之, 吉田 郵司, 矢口 裕之
    第66回応用物理学会春季学術講演会 (9p-S222-2) (東京)
    2019. 3. 9
  • DCスパッタAlNテンプレートを用いたAlGaN深紫外LEDの作製
    最上 耀介, 茂手木 省吾, 大澤 篤史, 尾崎 一人, 谷岡 千丈, 前岡 淳史, 定 昌史, 前田 哲利, 矢口 裕之, 平山 秀樹
    第66回応用物理学会春季学術講演会 (11p-W541-5) (東京)
    2019. 3. 11