発表 1992
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Realization of SiGe/Si Heterostructures with Abrupt Interfaces and Their Optical
Properties
Yasuhiro Shiraki, Susumu Fukatsu, Ken Fujita, Noritaka Usami, Hiroyuki Yaguchi, Hironobu Yoshida and Ryoichi Ito
2nd International Symposium on New Phenomena in Mesoscopic Structures (Hawaii) 1992. 12.
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MOVPE法によるGaAs上への立方晶GaNの作製と評価
尾鍋 研太郎, 三吉 靖郎, 矢口 裕之, 白木 靖寛
日本学術振興会光電相互変換第125委員会第141回委員会 1992. 10.
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Highly Conductive p-type Cubic GaN Epitaxial Films on GaAs
Seiro Miyoshi, Naoki Ohkouchi, Hiroyuki Yaguchi, Kentaro Onabe, Yasuhiro Shiraki and Ryoichi Ito
19th International Symposium on Gallium Arsenide and Related Compounds
(Karuizawa) 1992. 9.
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Surface Segregation and Heterostructures
Yasuhiro Shiraki, Susumu Fukatsu, Ken Fujita, Koji Muraki, Hiroyuki Yaguchi and Ryoichi Ito
3rd China-Japan Symposium on Thin Films (Huangshan) 1992. 9.
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Ge(100)基板上に作製したGe/SiGe歪量子井戸のフォトリフレクタンス法による評価
矢口 裕之, 田井 香織, 武政 敬三, 尾鍋 研太郎, 白木 靖寛, 伊藤 良一
応用物理学会第53回講演会 (17pZG8) (吹田) 1992. 9. 17
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Si/Ge超格子からの第２高調波発生
大橋 真, 矢口 裕之, 深津 晋, 近藤 高志, 白木 靖寛, 伊藤 良一, 狩野 覚
応用物理学会第53回講演会 (16pW17) (吹田) 1992. 9. 16
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立方晶GaN薄膜のp型電気伝導
三吉 靖郎, 大河内 直紀, 矢口 裕之, 尾鍋 研太郎, 白木 靖寛, 伊藤 良一
応用物理学会第53回講演会 (17aZF7) (吹田) 1992. 9. 17
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MOVPE法によるGaAsN混晶の成長
大河内 直紀, 三吉 靖郎, 矢口 裕之, 尾鍋 研太郎, 白木 靖寛, 伊藤 良一
応用物理学会第53回講演会 (17aZF10) (吹田) 1992. 9. 17
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GaAs/GaAsP歪障壁量子井戸の円偏光PLEによる評価
太田 和伸, 矢口 裕之, 高橋 豊, 村木 康二, 尾鍋 研太郎, 白木 靖寛, 伊藤 良一
応用物理学会第53回講演会 (18pZB10) (吹田) 1992. 9. 18
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Intersubband Light Absorption in n-Type Si/SiGe Multiple Quantum Well Structures
Formed by Sb Segregant-Assisted Growth
Yasuhiro Shiraki, Ken Fujita, Susumu Fukatsu, Hiroyuki Yaguchi and Ryoichi Ito
7th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (Schwäbisch-Gmünd, Germany) 1992. 8.
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Is Low Temperature Growth the Solution to Abrupt Si/Si1-xGex
Interface Formation?
Susumu Fukatsu, Noritaka Usami, Ken Fujita, Hiroyuki Yaguchi, Yasuhiro Shiraki and Ryoichi Ito
7th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (Schwäbisch-Gmünd, Germany) 1992. 8.
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Self-Modulating Incorporation of Sb in Si/SiGe Superlattices during Molecular Beam Epitaxy
Ken Fujita, Susumu Fukatsu, Noritaka Usami, Hiroyuki Yaguchi, Yasuhiro Shiraki and Ryoichi Ito
International Symposium on Shallow Impurities in Semiconductors (Kobe) 1992. 8.
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Photoreflectance Study of GaAs/GaAsP Strained-Barrier Quantum Well Structures
Hiroyuki Yaguchi, Xiong Zhang, Kentaro Onabe, Yasuhiro Shiraki and Ryoichi Ito
1992 International Conference on Solid Sated Devices and Materials (B-4-5) (Tsukuba) 1992. 8.
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MOVPE Growth of Cubic GaN on GaAs Using Dimethylhydrazine
Seiro Miyoshi, Kentaro Onabe, Naoki Ohkouchi, Hiroyuki Yaguchi, Yasuhiro Shiraki and Ryoichi Ito
Eleventh Alloy Semiconductor Physics and Electronics Symposium (VII-13) (Kyoto)
1992. 7. 10
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Determination of the Band Offsets in GaAsP Strained-Layer Quantum Well
Structures Using Photoreflectance Spectroscopy
Hiroyuki Yaguchi, Yujiro Hara, Xiong Zhang, Kazunobu Ota, Masaki Nagahara, Kentaro Onabe, Yasuhiro Shiraki
and Ryoichi Ito
Eleventh Alloy Semiconductor Physics and Electronics Symposium (VII-11) (Kyoto)
1992. 7. 10
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MOVPE Growth of Cubic GaN on GaAs Using Dimethylhydrazine
Seiro Miyoshi, Kentaro Onabe, Naoki Ohkouchi, Hiroyuki Yaguchi, Ryoichi Ito, Susumu Fukatsu and Yasuhiro Shiraki
6th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (Cambridge, USA)
1992. 6.
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フォトリフレクタンス法によるGaAs/GaAsP歪障壁量子井戸の評価
矢口 裕之, 張 雄, 太田 和伸, 長原 正樹, 尾鍋 研太郎, 深津 晋, 白木 靖寛, 伊藤 良一
応用物理学会第39回連合講演会 (29aST17) (習志野) 1992. 3. 29
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フォトリフレクタンス法によるGaAsP/GaP歪量子井戸の評価
原 雄二郎, 張 雄, 矢口 裕之, 尾鍋 研太郎, 深津 晋, 白木 靖寛, 伊藤 良一
応用物理学会第39回連合講演会 (29aST18) (習志野) 1992. 3. 29
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ジメチルヒドラジンを用いた立方晶GaNのMOVPE成長
三吉 靖郎, 大河内 直紀, 矢口 裕之, 尾鍋 研太郎, 深津 晋, 白木 靖寛, 伊藤 良一
応用物理学会第39回連合講演会 (28pZB3) (習志野) 1992. 3. 28
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SiGe超格子における電子のサブバンド間光吸収
藤田 研, 深津 晋, 矢口 裕之, 白木 靖寛, 伊藤 良一
応用物理学会第39回連合講演会 (30aZC11) (習志野) 1992. 3. 30
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Gaを利用したSi/Geヘテロ構造の表面制御エピタキシー(SAG)
宇佐美 徳隆, 深津 晋, 藤田 研, 矢口 裕之, 白木 靖寛, 伊藤 良一
応用物理学会第39回連合講演会 (30pZC11) (習志野) 1992. 3. 30
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低温成長(LTG)と表面制御エピタキシー(SAG)によるSi/Ge界面の形成
深津 晋, 宇佐美 徳隆, 藤田 研, 矢口 裕之, 白木 靖寛, 伊藤 良一
応用物理学会第39回連合講演会 (30pZC12) (習志野) 1992. 3. 30
