発表 2004
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分光エリプソメータによるSiCの初期酸化過程の観察
覚張 光一, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
応用物理学会SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第13回講演会, P-61, p.127 (名古屋) 2004. 10.
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高エネルギー分解能光電子分光による4H-SiC(000-1)面上酸化膜の評価
土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史, 高田 恭孝, 小林 啓介, 辛 埴, 野平 博司, 服部 健雄
応用物理学会SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第13回講演会, P-62, p.129 (名古屋) 2004. 10.
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RF-MBE法によるMgO(001)基板上への立方晶GaNの成長
多田 宏之, 北村 芳広, 岩橋 洋平, 折原 操, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
第65回応用物理学会学術講演会 (2p-T-9) (仙台) 2004. 9. 2
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RF-MBE法を用いた立方晶InNの結晶成長(III)
岩橋 洋平, 北村 芳広, 多田 宏之, 折原 操, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
第65回応用物理学会学術講演会 (2p-W-8) (仙台) 2004. 9. 2
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RF-MBE法を用いた4H-SiC(0001)基板上へのInNの結晶成長
北村 芳広, 岩橋 洋平, 多田 宏之, 折原 操, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
第65回応用物理学会学術講演会 (2p-W-13) (仙台) 2004. 9. 2
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RF-MBE法を用いた4H-SiC基板上へのInGaN結晶成長
折原 操, 北村 芳広, 岩橋 洋平, 多田 宏之, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
第65回応用物理学会学術講演会 (2p-W-14) (仙台) 2004. 9. 2
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レーザ照射によるGaAsN混晶の発光効率向上の窒素濃度依存性
森桶 利和, 青木 貴嗣, 呉 智元, 吉田 正裕, 秋山 英文, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史, 青木 大一郎, 尾鍋 研太郎
第65回応用物理学会学術講演会 (3p-W-7) (仙台) 2004. 9. 3
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ラマン散乱分光法によるInAsN混晶の評価
本村 寛, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史, 飛田 聡, 西尾 晋, 片山 竜二, 尾鍋 研太郎
第65回応用物理学会学術講演会 (3p-W-8) (仙台) 2004. 9. 3
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低窒素濃度GaPN混晶のフォトルミネッセンス
青木 貴嗣, 森桶 利和, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史, 張 保平, 三吉 靖郎, 尾鍋 研太郎
第65回応用物理学会学術講演会 (3p-W-9) (仙台) 2004. 9. 3
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分光エリプソメータによるSiCの初期酸化過程の観察 (IV)
覚張 光一, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
第65回応用物理学会学術講演会 (4p-K-5) (仙台) 2004. 9. 4
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Characterization of Oxide Films on SiC Epitaxial (000-1) Faces by Angle-Resolved Photoemission Spectroscopic Measurements
using Synchrotron Radiation
Yasuto Hijikata, Hiroyuki Yaguchi, Sadafumi Yoshida, Y. Takata, K. Kobayashi, S. Shin, H. Nohira, and Takeo Hattori
5th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (Bologna, Italy) 2004. 9.
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Growth of high-quality hexagonal InN on 3C-SiC (001) by molecular
beam epitaxy
Hiroyuki Yaguchi, Yoshihiro Kitamura, Kenji Nishida, Yohei Iwahashi, Yasuto Hijikata and Sadafumi Yoshida
International Workshop on Nitride Semiconductors (Pittsburgh, USA) 2004. 7.
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極低窒素濃度GaAsN混晶からのフォトルミネッセンス
青木 貴嗣, 森桶 利和, 呉 智元, 秋山 英文, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史, 青木 大一郎, 尾鍋 研太郎
第51回応用物理学関係連合講演会 (30p-YG-8) (八王子) 2004. 3. 30
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GaP1-xNx混晶のフォトルミネッセンススペクトルの励起強度依存性
金谷 大, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史, 張 保平, 三吉 靖郎, 尾鍋 研太郎
第51回応用物理学関係連合講演会 (30p-YG-19) (八王子) 2004. 3. 30
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RF-MBE法を用いた3C-SiC(001)基板上へのInNの結晶成長
北村 芳広, 西田 謙二, 岩橋 洋平, 折原 操, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
第51回応用物理学関係連合講演会 (29p-YN-7) (八王子) 2004. 3. 29
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RF-MBE法を用いた立方晶InNの結晶成長(II)
西田 謙二, 三浦 輝人, 北村 芳広, 岩橋 洋平, 折原 操, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
第51回応用物理学関係連合講演会 (29p-YN-8) (八王子) 2004. 3. 29
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シンクロトロン放射光を用いた角度分解光電子分光法による SiC(000-1)エピ面上酸化膜の
評価
土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史, 高田 恭孝, 小林 啓介, 辛 埴, 野平 博司, 服部 健雄
第51回応用物理学関係連合講演会 (29p-ZM-1) (八王子) 2004. 3. 29
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分光エリプソメータによる SiC上酸化膜の初期酸化過程観察(III)
評価
覚張 光一, 関口 聡, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
第51回応用物理学関係連合講演会 (29p-ZM-3) (八王子) 2004. 3. 29
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Epitaxial Growth of Hexagonal and Cubic InN Films
Kenji Nishida, Yoshihiro Kitamura, Yasuto Hijikata, Hiroyuki Yaguchi, and Sadafumi Yoshida
5th International Symposium on Blue Laser and Light Emitting Diodes (Pa14) (Gyeongju, Korea) 2004. 3. 16
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Epitaxial Growth of Hexagonal and Cubic InN Films and Their Properties
Sadafumi Yoshida, Kenji Nishida, Yoshihiro Kitamura, Misao Orihara, Yasuto Hijikata, and Hiroyuki Yaguchi
Japan, Germany and Spain Workshop on Advanced Semiconductor Optoelectronic Devices and Materials (Yufuin )2004. 3.
