発表 2026
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2段階ブレードコート法によるペロブスカイト層の成膜条件の検討
石井 聖真, 山本 晃平, 矢口 裕之, 村上 拓郎
第87回応用物理学会秋季学術講演会 (8a-E201-1) (札幌)
2026. 9. 8
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GaAs系THz量子カスケードレーザの高出力化および低電流密度化に関する解析
矢部 航輝, 石田 峻之, 藤川 紗千恵, 津田 祐樹, 宮川 敬太, 秋山 浩一, 鈴木 洋介, 林 宗澤, 矢口 裕之, 平山 秀樹
第87回応用物理学会秋季学術講演会 (9a-C213-1) (札幌)
2026. 9. 9
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活性領域の多積層化および高ドーピング濃度化によるGaAs系テラヘルツ量子カスケードレーザーの高出力動作
石田 峻之, 矢部 航輝, 林 宗澤, 津田 祐樹, 宮川 敬太, 秋山 浩一, 鈴木 洋介, 藤川 紗千恵, 矢口 裕之, 平山 秀樹
第87回応用物理学会秋季学術講演会 (9a-C213-2) (札幌)
2026. 9. 9
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265nm帯AlGaN UVC-LEDの高効率化に向けた電子ブロック層の最適化
佐々木 嵐汰, 野中 千輝, 鹿嶋 行雄, 松浦 恵里子, 藤川 紗千恵, 矢口 裕之, 平山 秀樹
第87回応用物理学会秋季学術講演会 (9a-N101-9) (札幌)
2026. 9. 9
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熱輻射発電特性のセル温度依存性に及ぼすバンドギャップの影響
宮崎 綾花, 佐川 直弥, Muhammad Waleed Akram, 八木 修平, 矢口 裕之
第87回応用物理学会秋季学術講演会 (9a-E217-11) (札幌)
2026. 9. 9
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イオン注入で作製したGaP:NのX線回折およびフォトルミネッセンスによる評価
松本 優世, Md. Mamun-Or Rashid, 矢口 裕之, 八木 修平
第87回応用物理学会秋季学術講演会 (9p-PB5-3) (札幌)
2026. 9. 9
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希薄窒化物半導体InSbN薄膜のMBE成長と物性評価
寺前 航介, 曲渕 匠, 矢口 裕之, 藤川 紗千恵
第87回応用物理学会秋季学術講演会 (9p-PB3-6) (札幌)
2026. 9. 9
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SnドープInSb薄膜のMBE成長および物性評価
曲渕 匠, 寺前 航介, 矢口 裕之, 藤川 紗千恵
第87回応用物理学会秋季学術講演会 (9p-PB3-7) (札幌)
2026. 9. 9
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GaPNの発光特性に及ぼすSbサーファクタント効果の窒素濃度依存性
斎田 響, 八木 航哉, 長嶺 桃子, 矢口 裕之, 八木 修平, 高宮 健吾, 久野 倭, 山根 啓輔
第87回応用物理学会秋季学術講演会 (9p-PB3-8) (札幌)
2026. 9. 9
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n型酸化物半導体電極に起因するペロブスカイト太陽電池の劣化挙動解明
築舘 空来, 舩木 敬, 山本 晃平, 西村 直之, 矢口 裕之, 村上 拓郎
第87回応用物理学会秋季学術講演会 (10a-PB1-15) (札幌)
2026. 9. 10
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1～3 µm帯赤外GaN系量子カスケードレーザの構造設計に関する一検討
野中 千輝, 矢部 航輝, 藤川 紗千恵, 矢口 裕之, 平山 秀樹
第87回応用物理学会秋季学術講演会 (10a-N101-3) (札幌)
2026. 9. 10
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高次準位の影響を考慮した GaN 系THz量子カスケードレーザの量子構造設計
矢部 航輝, 野中 千輝, 石田 峻之, 藤川 紗千恵, 矢口 裕之, 平山 秀樹
第87回応用物理学会秋季学術講演会 (10a-N101-4) (札幌)
2026. 9. 10
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EQE Increase of 290 nm UVB LED by controlling Ga composition in the AlGaN Electron Blocking Layer (EBL)
Hamida Zia, M. Nawaz Sharif, Hiroyuki Yaguchi, Hideki Hirayama
第87回応用物理学会秋季学術講演会 (11a-S5-1) (札幌)
2026. 9. 11
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Strain Effect on the Valence Band Energy of β-Ga2O3
Hiroyuki Yaguchi, Shuhei Yagi
The 37th International Conference on the Physics of Semiconductors 2026 (Tu-P-36) (Tokyo)
2026. 8. 18
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テラヘルツ量子カスケードレーザーの動作高温化と高出力化
石田 峻之, 矢部 航輝, 宮川 敬太, 津田 祐樹, 秋山 浩一,
鈴木 洋介, 林 宗澤, 藤川 紗千恵, 矢口 裕之, 平山 秀樹
日本学術会議 国際光デー記念シンポジウム (44) (東京)
2026. 7. 3
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GaAs:N Dilute Nitride Alloys Grown via Nitrogen δ-Doping for Intermediate Band Solar Cells
Shuhei Yagi, Yoshitaka Okada, Hiroyuki Yaguchi
UK Semiconductors 2026 (D-O-1) (Sheffield, UK)
2026. 7. 2
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Growth and characterization of InSb1-xNx thin films on GaAs(100) by MBE
Kosuke Teramae, Yuki Shirakawa, Hiroyuki Yaguchi, Sachie Fujikawa
Compound Semiconductor Week (TuP3A-12) (Kumamoto, Japan)
2026. 5. 26
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Photoluminescence Study of GaPN Alloys Grown Using Sb as a Surfactant
Hibiki Saida, Kazuya Yagi, Shuhei Yagi, Hiroyuki Yaguchi, Yamato Kyuno, Keisuke Yamane
Compound Semiconductor Week (TuP3A-15) (Kumamoto, Japan)
2026. 5. 26
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Cell Tempaerature Dependence of Thermoradiative Power Generation in InSb and InGaAs Photodiodes
Ayaka Miyazaki, Naoya Sagawa, Muhammad Waleed Akram, Shuhei Yagi, Hiroyuki Yaguchi
Compound Semiconductor Week (TuP3D-12) (Kumamoto, Japan)
2026. 5. 26
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Diode temperature dependence of thermo-radiative power generation measured by using a lock-in amplifier
Naoya Sagawa, Ayaka Miyazaki, Muhammad Waleed Akram, Shuhei Yagi, Hiroyuki Yaguchi
Compound Semiconductor Week (TuP3D-16) (Kumamoto, Japan)
2026. 5. 26
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Germanium-on-Nothing構造から剥離転写した単結晶Ge膜の顕微Raman分光マッピング評価
范 文博, 八木 修平, 矢口 裕之
第73回応用物理学会春季学術講演会 (16a-PA5-1) (東京)
2026. 3. 16
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ロックインアンプを用いた熱輻射発電の素子温度依存性の測定
佐川 直弥, 宮崎 綾花, Muhammad Waleed Akram, 八木 修平, 矢口 裕之
第73回応用物理学会春季学術講演会 (16p-M_101-5) (東京)
2026. 3. 16
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Development of human safe and efficient 230nm far-UVC LED on c-sapphire for medical applications
Muhammad Ajmal Khan, Muhammad Nawaz Sharif, Kohei Fujimoto, Arata Sasaki, Amina Yasin,
Yukio Kashima, Kosuke Miyauchi, Hiroyuki Yaguchi, Hideki Hirayama
SPIE OPTO 2026 Physics and Simulation of Optoelectronic Devices XXXIV (San Francisco, USA)
2026. 1
