発表 2026
-
テラヘルツ量子カスケードレーザーの動作高温化と高出力化
石田 峻之, 矢部 航輝, 宮川 敬太, 津田 祐樹, 秋山 浩一,
鈴木 洋介, 林 宗澤, 藤川 紗千恵, 矢口 裕之, 平山 秀樹
日本学術会議 国際光デー記念シンポジウム (44) (東京)
2026. 7. 3
-
GaAs:N Dilute Nitride Alloys Grown via Nitrogen δ-Doping for Intermediate Band Solar Cells
Shuhei Yagi, Yoshitaka Okada, Hiroyuki Yaguchi
UK Semiconductors 2026 (D-O-1) (Sheffield, UK)
2026. 7. 2
-
Growth and characterization of InSb1-xNx thin films on GaAs(100) by MBE
Kosuke Teramae, Yuki Shirakawa, Hiroyuki Yaguchi, Sachie Fujikawa
Compound Semiconductor Week (TuP3A-12) (Kumamoto, Japan)
2026. 5. 26
-
Photoluminescence Study of GaPN Alloys Grown Using Sb as a Surfactant
Hibiki Saida, Kazuya Yagi, Shuhei Yagi, Hiroyuki Yaguchi, Yamato Kyuno, Keisuke Yamane
Compound Semiconductor Week (TuP3A-15) (Kumamoto, Japan)
2026. 5. 26
-
Cell Tempaerature Dependence of Thermoradiative Power Generation in InSb and InGaAs Photodiodes
Ayaka Miyazaki, Naoya Sagawa, Muhammad Waleed Akram, Shuhei Yagi, Hiroyuki Yaguchi
Compound Semiconductor Week (TuP3D-12) (Kumamoto, Japan)
2026. 5. 26
-
Diode temperature dependence of thermo-radiative power generation measured by using a lock-in amplifier
Naoya Sagawa, Ayaka Miyazaki, Muhammad Waleed Akram, Shuhei Yagi, Hiroyuki Yaguchi
Compound Semiconductor Week (TuP3D-16) (Kumamoto, Japan)
2026. 5. 26
-
Germanium-on-Nothing構造から剥離転写した単結晶Ge膜の顕微Raman分光マッピング評価
范 文博, 八木 修平, 矢口 裕之
第73回応用物理学会春季学術講演会 (16a-PA5-1) (東京)
2026. 3. 16
-
ロックインアンプを用いた熱輻射発電の素子温度依存性の測定
佐川 直弥, 宮崎 綾花, Muhammad Waleed Akram, 八木 修平, 矢口 裕之
第73回応用物理学会春季学術講演会 (16p-M_101-5) (東京)
2026. 3. 16
