発表 2011

SiC熱酸化機構の解明への取り組み
土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史
第20回SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会(V-2)(名古屋) 2011. 12. 9
顕微フォトルミネッセンスを用いた4H-SiCエピ膜中積層欠陥に対する酸化の影響に関する研究
山形光, 土方泰斗, 矢口裕之
第20回SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会(P-31)(名古屋)2011. 12. 8
MOS構造の電気的特性に対する4H-SiCエピ層中積層欠陥の影響
外谷彰悟, 土方泰斗, 矢口裕之
第20回SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会(P-80)(名古屋) 2011. 12. 8
Effect of Thermal Current at Selective Contacts Using Resonant Tunneling Structures on Perfornance of Hot Carrier Solar Cells
S. Yagi, Y. Hijikata, Y. Okada, and H. Yaguchi
21st International Photovoltaic Science and Engineering Conference (2D-4P-04)(Fukuoka) 2011. 11. 29
量子ドット太陽電池に向けた立方晶GaN上への立方晶InNドット配列成長
鈴木潤一郎, 折原操, 八木修平, 土方泰斗, 矢口裕之
第3回薄膜太陽電池セミナー (PP-29) (さいたま) 2011. 10. 24
Biexciton Emission from Single Isoelectronic Traps in Nitrogen Atomic-Layey-Doped GaAs
K. Takamiya, T. Fukushima, S. Yagi, Y. Hijikata, T. Mochizuki, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, K. Onabe, R. Katayama and H. Yaguchi
3rd International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures (P22) (Traunkirchen, Austria) 2011. 9. 12
共鳴トンネル構造を用いたエネルギー選択層における熱励起電流のホットキャリア型太陽電池特性への影響
八木修平, 土方泰斗, 岡田至崇, 矢口裕之
第72回応用物理学会学術講演会 (1a-H-12)(山形) 2011. 9. 1
窒素δドープGaAs(110)中の単一等電子トラップからの発光の偏光特性
高宮健吾, 福島俊之, 星野真也, 八木修平, 土方泰斗, 望月敏光, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 片山竜二, 尾鍋研太郎, 矢口裕之
第72回応用物理学会学術講演会(30p-ZA-5)(山形) 2011. 8. 30
RF-MBE法によるInN(10-13)及びInGaN(10-13)のGaAs(110)基板上への成長
折原操, 八木修平, 土方泰斗, 矢口裕之
第72回応用物理学会学術講演会(30a-ZE-8)(山形) 2011. 8. 30
RF-MBE法による立方晶GaN上への立方晶InNドットの成長（II）
鈴木潤一郎, 折原操, 八木修平, 土方泰斗, 矢口裕之
第72回応用物理学会学術講演会 (30a-ZE-9)(山形) 2011. 8. 30
SiCの2段階酸化における酸化膜成長速度の測定
篠田龍, 土方泰斗, 矢口裕之, 八木修平, 吉田貞史
第72回応用物理学会学術講演会( 31p-N-11)(山形) 2011. 8. 31
Single Photon Generation from Nitrogen Atomic-Layer Doped Gallium Arsenide
K. Takamiya, Y. Endo, T. Fukushima, S. Yagi, Y. Hijikata, T. Mochizuki, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, K. Onabe, R. Katayama, and H. Yaguchi
7th International Conference on Processing & Manufacturing of Advanced Materials (FILMS 1-11) (Quebec, Canada) 2011. 8. 3
RF-MBE Growth of Semipolar InN(10-13) and InGaN(10-13) on GaAs(110)
M. Orihara, S. Yagi, Y. Hijikata, H. Yaguchi
9th International Conference on Nitride Semiconductors (PD3.19) (Glasgow, UK) 2011. 7. 13
Quantum Well Double Barrier Resonant Tunneling Structures for Selective Contacts of Hot Carrier Solar Cells
S. Yagi, Y. Hijikata, Y. Okada, H. Yaguchi
37th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (Seattle, USA) 2011. 6. 23
TEM analysis of hexagonal-phase induction in MBE grown cubic InN layer on MgO (001) using a cubic GaN buffer layer
Jamreonta Parinyataramas, Sakuntam Sanorpim, Visittapong Yordsri, Chanchana Thanachayanont, Hiroyuki Yaguchi, Misao Orihara
38th International Symposium on Compound Semiconductors (We-2A.6) (Berlin, Germany) 2011. 5. 25
Characterization of substrate off-angle effects for high-quality InN films grown by RF-MBE on 4H-SiC (0001)
Papaporn Jantawongrit, Sakuntam Sanorpim, Hiroyuki Yaguchi, Misao Orihara, Pichet Limsuwan
38th International Symposium on Compound Semiconductors (P4.96) (Berlin, Germany) 2011. 5. 24
GaAs(110)基板上に作製した窒素δドープGaAsにおける等電子トラップからの発光特性評価
高宮健吾, 福島俊之, 星野真也, 八木修平, 土方泰斗, 望月敏光, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 片山竜二, 尾鍋研太郎, 矢口裕之
第58回応用物理学関係連合講演会(25p-BQ-4)
InN/p-4H-SiC構造の作製と電気・光学特性評価
矢野貴大, 折原操, 八木修平, 土方泰斗, 矢口裕之
第58回応用物理学関係連合講演会(25a-BY-7)
RF-MBE法による立方晶GaN上への立方晶InNドットの成長
鈴木潤一郎, 折原操, 八木修平, 土方泰斗, 矢口裕之
第58回応用物理学関係連合講演会(26p-BZ-2)
SiC熱酸化機構の解明への取り組み：特にSi酸化との類似点及び相違点について
土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史
第58回応用物理学関係連合講演会(24p-BN-11)
Single photon emission from nitrogen delta-doped semiconductors
H. Yaguchi
SPIE Photonics West OPTO (7945-89) (San Francisco, USA) 2011. 1. 27