Yaguchi

発表 2006


  • テラヘルツ分光法によるSiC エピタキシャル成長膜のキャリヤ濃度, 移動度, 膜厚の同時評価
    大石 慎吾, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
    SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第15回講演会(P-20) (高崎) 2006. 11. 9
  • 窒素イオン注入によりアモルファス化された4H-SiCを用いたMOSキャパシタの作製
    土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史, F. Moscatelli, A. Poggi, S. Solmi, R. Nipoti
    SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第15回講演会(P-32) (高崎) 2006. 11. 9
  • In-situ 分光エリプソメータによるSiC 酸化速度の酸素分圧依存性測定
    山本 健史, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
    SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第15回講演会(P-28) (高崎) 2006. 11. 9
  • 分光エリプソメータによるSiO2/SiC界面の光学的評価 — 酸化法, 面方位依存性 —
    橋本 英樹, 窪木 亮一, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
    SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第15回講演会(P-27) (高崎) 2006. 11. 9
  • 分光エリプソメータによるSiO2/SiC界面の光学的評価 — 複数の入射角による測定 —
    窪木 亮一, 橋本 英樹, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
    SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第15回講演会(P-26) (高崎) 2006. 11. 9
  • GaN, InN結晶特性からみた立方晶, 六方晶の違いに関する考察
    矢口 裕之
    第31回結晶成長討論会 (大津) 2006. 11. 5
  • Photoluminescence Study of Isoelectronic Traps in Dilute GaAsN alloys
    Hiroyuki Yaguchi, Takashi Aoki, Toshikazu Morioke, Yasuto Hijikata, Sadafumi Yoshida, Masahiro Yoshita, Hidefumi Akiyama, Daiichiro Aoki, and Kentaro Onabe
    International Workshop on Nitride Semiconductors 2006 (IWN2006) MoP2-71, (Kyoto) 2006. 10. 23
  • Structural and Optical Characterization of High In Content Cubic InGaN on GaAs(001) Substrates by RF-MBE
    T. Nakamura, Yuta Endo, Ryuji Katayama, Hiroyuki Yaguchi, and Kentaro Onabe
    International Workshop on Nitride Semiconductors 2006 (IWN2006) TuP1-61, (Kyoto) 2006. 10. 24
  • Micro-photoluminescence study on nitrogen atomic-layer doping in GaAs
    Hiroyuki Yaguchi
    Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures, p. 51 (Bonassola, Italy) 2006. 9.20
  • RF-MBE growth of InN/InGaN quantum well structures on 3C-SiC substrates
    Shigeru Hirano, Takeru Inoue, Go Shikata, Misao Orihara, Yasuto Hijikata, Hirouki Yaguchi, and Sadafumi Yoshida
    International Conference on Molecular Beam Epitaxy 2006, TuP-23, p.136 (Tokyo) 2006. 9. 5
  • RF-MBE growth of a-plane InN on r-plane sapphire with a GaN underlayer
    Go Shikata, Shigeru Hirano, Takeru Inoue, Misao Orihara, Yasuto Hijikata, Hiroyuki Yaguchi and Sadafumi Yoshida
    International Conference on Molecular Beam Epitaxy 2006, TuP-24, p.137 (Tokyo) 2006. 9. 5
  • Simultaneous Determination of the Carrier Concentration, Mobility and Thickness of SiC Homo-Epilayers Using Terahertz Reflectance Spectroscopy
    Shingo Oishi, Yasuto Hijikata, Hiroyuki Yaguchi, and Sadafumi Yoshida
    European Conference on SiC and Related Materials (ECSCRM), MoP79 p.13 (Newcastle, U.K.) 2006. 9. 4
  • 分光エリプソメトリによる高In組成InGaN の光学的評価
    塚越 裕介, 折原 操, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史, 崔 成伯, 石谷 善博, 吉川 明彦
    第67回応用物理学会学術講演会 (29p-C-11) p. 312（滋賀）2006. 8. 29
  • RF-MBE法により成長した立方晶InNのPL測定
    井上 赳, 平野 茂, 折原 操, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
    第67回応用物理学会学術講演会 (29a-C-10) p. 308（滋賀）2006. 8. 29
  • 窒素をδドープしたGaAsにおける等電子トラップの顕微フォトルミネッセンス測定
    遠藤 雄太, 谷岡 健太郎, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史, 吉田 正裕, 秋山 英文, 中島 史博, 片山 竜二, 尾鍋 研太郎
    第67回応用物理学会学術講演会 (29p-B-11) p. 293（滋賀）2006. 8. 29
  • 赤外反射分光法を用いたSiCエピ膜の電気的特性の評価
    大石 慎吾, 土方泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
    第67回応用物理学会学術講演会 (30p-ZG-1) p. 370（滋賀）2006. 8. 30
  • 分光エリプソメータによるSiO2/SiC界面の光学的評価　-酸化法, 面方位依存性-
    橋本 英樹, 窪木 亮一, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
    第67回応用物理学会学術講演会 (31a-ZG-8) p. 377（滋賀）2006. 8. 31
  • 窒素イオン注入によりアモルファス化された4H-SiCを用いたMOSキャパシタの作製
    土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史, F. Moscatelli, A. Poggi, S. Solmi, R. Nipoti
    第67回応用物理学会学術講演会 (31a-ZG-6) p. 377（滋賀）2006.8.31
  • Micro-photoluminescence study of nitrogen atomic-layer doped GaAs
    Yuta Endo, Kentaro Tanioka, Yasuto Hijikata, Hiroyuki Yaguchi, Sadafumi Yoshida, Masahiro Yoshita, Hidefumi Akiyama, Wataru Ono, F. Nakajima, Ryuji Katayama, and Kentaro Onabe
    25th Electronic Materials Symposium (I4) pp. 238-239 (Izu-no-kuni) 2006. 7. 6
  • Micro Raman study on the improvement of luminescence efficiency of GaAsN alloys
    Kentaro Tanioka, Yuta Endo, Yasuto Hijikata, Hiroyuki Yaguchi, Sadafumi Yoshida, Masahiro Yoshita, Hidefumi Akiyama, and Kentaro Onabe
    13th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (Tu-P.53) (Miyazaki) 2006. 5. 23
  • Micro-photoluminescence study of nitrogen delta-doped GaAs grown by metalorganic vapor phase epitaxy
    Yuta Endo, Kentaro Tanioka, Yasuto Hijikata, Hiroyuki Yaguchi, Sadafumi Yoshida, Masahiro Yoshita, Hidefumi Akiyama, Wataru Ono, F. Nakajima, Ryuji Katayama, and Kentaro Onabe
    13th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (Tu-P.96) (Miyazaki) 2006. 5. 23
  • Real-time observation of SiC oxidation using an in situ spectroscopic ellipsometer
    Sadafumi Yoshida, Koichi Kakubari, Yasuto Hijikata, Hiroyuki Yaguchi, and Masahito Yoshikawa
    2006 Japanese-Spanish-German Joint Workshop on Advanced Semiconductor Optoelectronic Materials and Devices (Berlin, Germany) 2006.3.
  • RF-MBE法を用いた3C-SiC(001)基板上への六方晶InNの結晶成長
    井上 赴, 岩橋 洋平, 平野 茂, 折原 操, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
    第53回応用物理学関係連合講演会 (22p-ZF-7)（東京）2006. 3. 22
  • RF-MBE法を用いたSiC基板上へのInN/InGaN量子井戸構造の作製
    折原 操, 岩橋 洋平, 平野 茂, 井上 赴, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
    第53回応用物理学関係連合講演会 (22p-ZF-8)（東京）2006. 3. 22
  • In-situ分光エリプソメータによるSiCの酸化の実時間観察
    覚張 光一, 窪木 亮一, 山本 健史, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
    第53回応用物理学関係連合講演会 (24a-ZP-9)（東京）2006. 3. 24
  • ラマン分光を用いたGaAsN混晶の発光効率向上に関する研究
    谷岡 健太郎, 遠藤 雄太, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史, 青木 大一郎, 尾鍋 研太郎
    第53回応用物理学関係連合講演会 (24a-P-7)（東京）2006. 3. 24
  • RF-MBE法を用いた立方晶InNの結晶成長(IV)
    岩橋 洋平, 折原 操, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
    第53回応用物理学関係連合講演会 (26p-ZE-2)（東京）2006. 3. 26