発表 2000
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分光エリプソメーターによるSiC酸化膜の屈折率の評価
飯田 健, 富岡 雄一, 塚田 浩之, 緑川 正彦, 吉本 和生, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉川 正人, 石田 夕起, 吉田 貞史
SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第9回講演会 (名古屋) 2000. 12.
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走査オージェ分光法によるSiO2/SiC界面の組成分析
土方 泰斗, 飯田 健, 矢口 裕之, 吉川 正人, 吉田 貞史
SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第9回講演会 (名古屋) 2000. 12.
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Siドープn型GaNにおける永続光伝導
中村 達人, 児島 一聡, 沈 旭強, 奥村 元, 矢口 裕之, 吉田 貞史
SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第9回講演会 (名古屋) 2000. 12.
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NH3を窒素源とした3C-SiC(001)基板上への立方晶GaNのMBE成長 (II)
小川 大輔, 渡邊 英之, 折原 操, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
第61回応用物理学会学術講演会 (4aY19) (札幌) 2000. 9. 4
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立方晶AlGaNのフォトルミネッセンス
鈴木 隆信, 矢口 裕之, 折原 操, 吉田 貞史, 石田 夕起, 奥村 元
第61回応用物理学会学術講演会 (4aY20) (札幌) 2000. 9. 4
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X線光電子分光法によるSiO2/SiC界面層の組成分析
土方 泰斗, 飯田 健, 矢口 裕之, 吉川 正人, 吉田 貞史
第61回応用物理学会学術講演会 (4pZB1) (札幌) 2000. 9. 4
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分光エリプソメーターによるSiC酸化膜の評価 (II)
飯田 健, 富岡 雄一, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉川 正人, 石田 夕起, 吉田 貞史
第61回応用物理学会学術講演会 (5aZB6) (札幌) 2000. 9. 5
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GaAsN混晶の時間分解フォトルミネッセンス
矢口 裕之, 秋山 英文, 馬場 基芳, 青木 大一郎, 尾鍋 研太郎, 土方 泰斗, 吉田 貞史
第61回応用物理学会学術講演会 (5pZA9) (札幌) 2000. 9. 5
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分光偏光解析法を用いたGaPN混晶の光学的評価
松本 繁, 矢口 裕之, 三吉 靖郎, 尾鍋 研太郎, 土方 泰斗, 吉田 貞史
第61回応用物理学会学術講演会 (5pZA12) (札幌) 2000. 9. 5
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Dielectric Functions of GaAsN Alloys
Hiroyuki Yaguchi, Shigeru Matsumoto, Shinichi Kashiwase, Takashi Hashimoto, Sadafumi Yoshida, Daiichiro
Aoki and Kentaro Onabe
19th Electronic Symposium (Izu-Nagaoka) 2000. 6.
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Optical characterization of metalorganic vapor phase epitaxy-grown GaAs1-xNx
alloys using spectroscopic ellipsometry
Shigeru Matsumoto, Shinichi Kashiwase, Takashi Hashimoto, Hiroyuki Yaguchi, Sadafumi Yoshida, Daiichiro
Aoki and Kentaro Onabe
The Tenth International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
(Tu-P30) (Sapporo) 2000. 6. 6
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Optical Study of GaAsN Alloys Using Spectroscopic Ellipsometry
Hiroyuki Yaguchi
Research Institute for Electronic Science International Workshop (Sapporo)
2000. 3.10
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Optical Properties of GaAsN and GaPN Alloys Grown by Metalorganic Vapor
Phase Epitaxy
Hiroyuki Yaguchi
The Third SANKEN International Symposium (Osaka) 2000. 3. 15
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分光偏光解析法を用いたGaAsN混晶の光学的評価
松本 繁, 柏瀬 真一, 橋本 崇, 矢口 裕之, 吉田 貞史, 青木 大一郎, 尾鍋 研太郎
第47回応用物理学関係連合講演会 (30a-P13-16) (東京) 2000. 3. 30
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GaNにおける永続光伝導の温度依存性
中村 達人, 神永 雄大, 矢口 裕之, 吉田 貞史, 奥村 元
第47回応用物理学関係連合講演会(30a-YQ-1) (東京) 2000. 3. 30
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分光エリプソメーターによるSiC酸化膜の評価
飯田 健, 富岡 雄一, 松中 健太郎, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉川 正人, 石田 夕起, 奥村 元, 吉田 貞史
第47回応用物理学関係連合講演会(30p-YF-13) (東京) 2000. 3. 30
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NH3を窒素源とした3C-SiC(001)基板上への立方晶GaNのMBE成長
小川 大輔, 水戸瀬 佳史, 山本 洋仁, 實末 武士, 折原 操, 矢口 裕之, 吉田 貞史
第47回応用物理学関係連合講演会(31a-YN-9) (東京) 2000. 3. 31
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立方晶AlGaN混晶の光学定数
鈴木 隆信, 横田 勉, 矢口 裕之, 折原 操, 吉田 貞史, 奥村 元
第47回応用物理学関係連合講演会(31a-YN-10)(東京) 2000. 3. 31
