Yaguchi

発表 2013


  • 堆積と熱酸化による4H-SiC MOS構造の作製(II)
    大谷 篤志, 八木 修平, 土方 泰斗, 矢口 裕之
    SiC及び関連半導体研究 第22回講演会 (C-33) (さいたま) 2013. 12. 9
  • In-situ分光エリプソメーターによるSiC酸化過程の面方位依存性測定
    後藤 大祐, 八木 修平, 土方 泰斗, 矢口 裕之
    SiC及び関連半導体研究 第22回講演会 (L-19) (さいたま) 2013. 12. 9
  • 薄膜作製展望：成膜過程における核生成過程の解明と制御の展開/総論
    矢口 裕之
    第42回薄膜・表面物理基礎講座 (東京) 2013. 11. 25
  • GaAs中窒素δドープ超格子の光学特性と中間バンド型太陽電池への応用
    八木 修平, 矢口 裕之
    第9回量子ナノ材料セミナー(阿南) 2013. 11. 6
  • Fabrication and Characterization of Intermediate Band Solar Cells Using GaAs:N Delta-Doped Superlattice
    Shuhei Yagi, Shunsuke Noguchi, Yasuto Hijikata, Shigeyuki Kuboya, Kentaro Onabe, Yoshitaka Okada, Hiroyuki Yaguchi
    23rd International Photovoltaic Science and Engineering Conference (4-O-7) (Taipei, Taiwan) 2013. 10. 30
  • First-Principles Study of an Intermediate Band of GaPN Alloys
    Makoto Saito, Kei Sakamoto, Shuhei Yagi, Hiroyuki Yaguchi
    23rd International Photovoltaic Science and Engineering Conference (4-P-6) (Taipei, Taiwan) 2013. 11. 1
  • Intermediate band solar cells based on GaAs:N δ-doped superlattices
    Shuhei Yagi, Shunsuke Noguchi, Yasuto Hijikata, Shigeyuki Kuboya, Kentaro Onabe, Yoshitaka Okada, and Hiroyuki Yaguchi
    4th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures (I-35) (Lake Arrowhead, USA) 2013. 10. 3
  • Excitation power dependence of the emission from various N-N pairs in N δ-doped GaAs
    Kengo Takamiya, Shuhei Yagi, Yasuto Hijikata, Toshimitsu Mochizuki, Masahiro Yoshita, Hidefumi Akiyama, Shigeyuki Kuboya, Ryuji Katayama, Kentaro Onabe, and Hiroyuki Yaguchi
    4th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures (C-18) (Lake Arrowhead, USA) 2013. 10. 3
  • Si Emission into the Oxide Layer during Oxidation of Silicon Carbide
    Yasuto Hijikata, Y. Akasaka, Shuhei Yagi, and Hiroyuki Yaguchi
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2013 (Th-2B-4) (Miyazaki) 2013.10. 3
  • Ge/SiGe多重量子井戸への室温光スピン注入
    安武 裕輔, 矢口 裕之, 深津 晋
    第74回応用物理学会秋季学術講演会 (16p-C15-3) (京田辺) 2013. 9. 16
  • GaAs:N δドープ超格子を用いた中間バンド型太陽電池の特性評価
    八木 修平, 野口 駿介, 土方 泰斗, 窪谷 茂幸, 尾鍋 研太郎, 岡田 至崇, 矢口 裕之
    第74回応用物理学会秋季学術講演会 (17p-D6-14) (京田辺) 2013. 9. 17
  • InN/GaNドット多重積層構造に向けたGaNキャップ層成長条件の検討
    徳田 英俊, 折原 操, 八木 修平, 土方 泰斗, 矢口 裕之
    第74回応用物理学会秋季学術講演会 (17p-P7-15) (京田辺) 2013. 9. 17
  • 第一原理計算によるGaAsN混晶の伝導帯の解析に関する研究
    坂本 圭, 矢口 裕之
    第74回応用物理学会秋季学術講演会 (19a-P8-9) (京田辺) 2013. 9. 19
  • 窒素δドープGaAs中の単一等電子トラップによる励起子分子発光の時間分解フォトルミネッセンス測定
    高宮 健吾, 八木 修平, 土方 泰斗, 望月 敏光, 吉田 正裕, 秋山 英文, 窪谷 茂幸, 片山 竜二, 尾鍋 研太郎, 矢口 裕之
    第74回応用物理学会秋季学術講演会 (19a-P8-11) (京田辺) 2013. 9. 19
  • GaInNAs量子井戸の発光効率へのレーザー照射の影響
    岩崎 卓也, 八木 修平, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 上田 修
    第74回応用物理学会秋季学術講演会 (19a-P8-13) (京田辺) 2013. 9. 19
  • GaAsN/GaAs量子井戸構造からの発光の励起強度依存性
    山崎 泰由, 八木 修平, 土方 泰斗, 尾鍋 研太郎, 矢口 裕之
    第74回応用物理学会秋季学術講演会 (19a-P8-14) (京田辺) 2013. 9. 19
  • 六方晶SiC無極性面の酸化過程の実時間観察
    後藤 大祐, 八木 修平, 土方 泰斗, 矢口 裕之
    第74回応用物理学会秋季学術講演会 (19a-P9-4) (京田辺) 2013. 9. 19
  • First Principles Study on the Conduction Band Electron States of GaAsN Alloys
    Kei Sakamoto and Hiroyki Yaguchi
    10th International Conference on Nitride Semiconductors 2013 (DP2.21) (Washington, DC, USA) 2013. 8. 27
  • Photoreflectance Study of the Temperature Dependence of Excitonic Transitions in Dilute GaAsN Alloys
    Wataru Okubo, Shuhei Yagi, Yasuto Hijikata, Kentaro Onabe and Hiroyuki Yaguchi
    10th International Conference on Nitride Semiconductors 2013 (B10.05) (Washington, DC, USA) 2013. 8. 28
  • Optical Absorption by E+ Miniband of GaAs:N Delta-Doped Superlattices
    Shuhei Yagi, S. Noguchi, Yasuto Hijikata, Shigeyuki Kuboya, Kentaro Onabe, Yoshitaka Okada, Hiroyuki Yaguchi
    39th IEEE Photovoltaic Specialsits Conference (Tampa, USA) 2013. 6. 20
  • SiC酸化メカニズム解明への試み　〜 Si酸化との共通点/異なる点 〜
    土方 泰斗, 八木 修平, 矢口 裕之
    電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会(SDM2013-62) (東京) 2013. 6. 18
  • Stacked Structure of Self-Organized Cubic InN Nano-Scale Dots Grown by Molecular Beam Epitaxy
    Shuhei Yagi, Junichiro Suzuki, Misao Orihara, Yasuto Hijikata, and Hiroyuki Yaguchi
    The 40th International Symposium on Compound Semiconductors (MoPC-06-02) (Kobe) 2013. 5. 20
  • RF-MBE法による立方晶InNドット積層構造の作製
    鈴木 潤一郎, 折原 操, 八木 修平, 土方 泰斗, 矢口 裕之
    第60回応用物理学会春季学術講演会 (28p-PA1-1) (厚木) 2013. 3. 28
  • 立方晶AlNおよび高Al濃度立方晶AlGaNのRF-MBE成長
    角田 雅弘, 森川 生, 窪谷 茂幸, 片山 竜二, 矢口 裕之, 尾鍋 研太郎
    第60回応用物理学会春季学術講演会 (28p-PA1-27) (厚木) 2013. 3. 28
  • 中間バンド型太陽電池へ向けたGaAs中窒素δドープ超格子のE+バンド光吸収の観測
    野口 駿介, 八木 修平, 土方 泰斗, 窪谷 茂幸, 岡田 至崇, 尾鍋 研太郎, 矢口 裕之
    第60回応用物理学会春季学術講演会 (29a-PB7-19) (厚木) 2013. 3. 29
  • 第一原理計算によるGaPN混晶の電子構造解析
    齋藤 誠, 坂本 圭, 矢口 裕之
    第60回応用物理学会春季学術講演会 (29a-PB7-20) (厚木) 2013. 3. 29
  • 4H-SiCエピ膜中積層欠陥への熱酸化の影響について
    宮野 祐太郎, 矢口 裕之, 土方 泰斗, 八木 修平
    第60回応用物理学会春季学術講演会 (29p-PB4-9) (厚木) 2013. 3. 29