発表 1995
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3C-SiC(001)上立方晶GaNのMOVPE成長
橋本 茂樹, 矢口 裕之, 秋山 傑, 長澤 弘幸, 山口 洋一, 尾鍋 研太郎, 白木 靖寛, 伊藤 良一
SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第4回講演会 (東京) 1995. 12.
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Temperature dependent excitonic absorption in ZnCdSe/ZnSe single quantum wells
Baoping Zhang, T. Yasui, Yakashi Yasuda, Yusaburo Segawa, Hiroyuki Yaguchi, and Yasuhiro Shiraki
Asia Symposium on Solid State Photophysics (Nara) 1995. 11.
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Nitrogen Concentration Dependence of Photoluminescene Decay Time in
GaP1-xNx Alloys
Hiroyuki Yaguchi, Seiro Miyoshi, Hideo Arimoto, Shiro Saito, Hidefumi Akiyama, Kentaro Onabe,
Yasuhiro Shiraki, Ryoichi Ito
Topical Workshop on III-V Nitrides (Nagoya) 1995. 9.
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MOVPE Growth of Cubic GaN on 3C-SiC (001) Substrates Using 1,1-Dimethylhydrazine
Shigeki Hashimoto, Hiroyuki Yaguchi, Suguru Akiyama, Kentaro Onabe,
Yasuhiro Shiraki, Ryoichi Ito, Hiroyuki Nagasawa, Yoichi Yamaguchi
Topical Workshop on III-V Nitrides (Nagoya) 1995. 9.
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MOVPE Growth and Characterization of Cubic GaN on GaAs
Kentaro Onabe, Seiro Miyoshi, Masaki Nagahara, Hiroyuki Yaguchi, Yasuhiro Shiraki, Ryoichi Ito, Noriyuki Kuwano, Y. Nagatomo,
Kenki Kobayashi and Kensuke Oki
Topical Workshop on III-V Nitrides (Nagoya) 1995. 9.
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The in Situ Growth of Lateral Confinement Enhanced Rectangular AlGaAs/AlAs Quantum Wires
by Utilizing the Spontaneous Vertical Quantum Wells
Wugen Pan, Hiroyuki Yaguchi, Kentaro Onabe, Ryoichi Ito, Noritaka Usami and Ryoichi Ito
1995 International Conference on Solid State Devices and Materials (PD-3-6) (Osaka) 1995. 8.
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Time-Resolved Photoluminescence Study of Radiative Transition Processes
in GaP1-xNx Alloys
Hiroyuki Yaguchi, Seiro Miyoshi, Hideo Arimoto, Shiro Saito, Hidefumi Akiyama, Kentaro Onabe,
Yasuhiro Shiraki, Ryoichi Ito
22nd International Symposium on Compound Semiconductors (WeA1-2) (Cheju Island, Korea) 1995. 8. 30
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Strain Effect on Direct and Indirect-Gap Band Lineups of GaAsP/GaP Quantum Wells
Akio Shima, Hiroyuki Yaguchi, Kentaro Onabe, Yasuhiro Shiraki, Ryoichi Ito
22nd International Symposium on Compound Semiconductors (FrA1-2) (Cheju Island, Korea) 1995. 9. 2
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Polarization Properties of GaAsP/AlGaAs Tensilely Strained Quantum Wire Structures
on V-Grooved GaAs Substrates
Wugen Pan, Hiroyuki Yaguchi, Kentaro Onabe, Ryoichi Ito, Noritaka Usami and Yasuhiro Shiraki
22nd International Symposium on Compound Semiconductors (WeA3-4) (Cheju Island, Korea) 1995. 8. 30
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GaP1-xNx混晶の時間分解フォトルミネッセンス
矢口 裕之, 三吉 靖郎, 有本 英生, 斎藤 志郎, 秋山 英文, 尾鍋 研太郎, 白木 靖寛,
伊藤 良一
応用物理学会第56回講演会 (28pZE8) (金沢) 1995. 8. 28
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GaAs1-xPx/GaP歪量子井戸におけるバンドラインアップの
P組成依存性
島 明生, 矢口 裕之, 尾鍋 研太郎, 白木 靖寛, 伊藤 良一
応用物理学会第56回講演会 (26pZM4) (金沢) 1995. 8. 26
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AlGaAs/GaAsPヘテロ構造のバンドラインアップの
Al組成依存性
武政 敬三, 太田 和伸, 矢口 裕之, 尾鍋 研太郎, 白木 靖寛, 伊藤 良一
応用物理学会第56回講演会 (26pZM3) (金沢) 1995. 8. 26
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3C-SiC(001)上立方晶GaNのMOVPE成長
橋本 茂樹, 矢口 裕之, 秋山 傑, 長澤 弘幸, 山口 洋一, 尾鍋 研太郎, 白木 靖寛, 伊藤 良一
応用物理学会第56回講演会 (27pZE12) (金沢) 1995. 8. 27
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V溝基板上へのAlGaAs自然量子井戸のMOVPE成長
潘 伍根, 石川 光映, 矢口 裕之, 尾鍋 研太郎, 白木 靖寛, 伊藤 良一
応用物理学会第56回講演会 (26pZE1) (金沢) 1995. 8. 26
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自然量子井戸を用いた矩形AlGaAs/AlAs量子細線
潘 伍根, 矢口 裕之, 尾鍋 研太郎, 白木 靖寛, 伊藤 良一
応用物理学会第56回講演会 (26pZM6) (金沢) 1995. 8. 26
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Time-resolved photoluminescence study of GaP1-xNx
alloys
Hiroyuki Yaguchi, Seiro Miyoshi, Hideo Arimoto, Shiro Saito, Hidefumi Akiyama, Kentaro Onabe,
Yasuhiro Shiraki and Ryoichi Ito
14th Electronic Materials Symposium (B17) (Izu-Nagaoka) 1995. 7. 5
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Strain effect on direct- and indirect-gap band lineups of GaAs1-xPx/GaP
quantum wells
Akio Shima, Hiroyuki Yaguchi, Kentaro Onabe, Yasuhiro Shiraki and Ryoichi Ito
14th Electronic Materials Symposium (D2) (Izu-Nagaoka) 1995. 7. 6
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Aluminum Composition Dependence of the Band Lineup of AlGaAs/GaAsP Heterostructures
Keizo Takemasa, Kazunobu Ota, Hiroyuki Yaguchi, Kentaro Onabe, Yasuhiro Shiraki and Ryoichi Ito
14th Electronic Materials Symposium (D6) (Izu-Nagaoka) 1995. 7. 6
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Metalorganic vapor phase epitaxial growth and polarization properties
of tensile-strained GaAsP/AlGaAs quantum wires
Wugen Pan, Mitsuteru Ishikawa, Takashi Hasegawa, Hiroyuki Yaguchi, Kentaro Onabe, Ryoichi Ito and
Yasuhiro Shiraki
14th Electronic Materials Symposium (F13) (Izu-Nagaoka) 1995. 7. 6
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The in situ growth of lateral confinement enhanced rectangular AlGaAs/AlAs
quantum wires by utilizing the spontaneous vertical quantum wells
Wugen Pan, Hiroyuki Yaguchi, Kentaro Onabe, Ryoichi Ito, Noritaka Usami and Yasuhiro Shiraki
14th Electronic Materials Symposium (S7) (Izu-Nagaoka) 1995. 7. 7
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光反射法によるZnCdSe/ZnSe単一量子井戸の光学評価
張 保平, 安田 隆, 安井 隆成, 矢口 裕之, 瀬川 勇三郎, 白木 靖寛
応用物理学会第42回連合講演会(28aZM10) (伊勢原) 1995. 3. 28
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Tight-Binding 法によるGaP1-xNx (x=0.25, 0.5, 0.75)
のバンド構造
三吉 靖郎, 矢口 裕之, 尾鍋 研太郎, 白木 靖寛, 伊藤 良一
応用物理学会第42回連合講演会 (30pZH16) (伊勢原) 1995. 3. 30
