発表 2008

• 分光エリプソメトリによるSiC/酸化膜界面の光学的評価
  若林 敬浩, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
  SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第17回講演会 (P-61) (東京) 2008. 12. 8
• 分光エリプソメータによるSiO₂/SiC界面の光学的評価 　-紫外領域への拡張-
  関 秀康, 若林 敬浩, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
  SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第17回講演会 (P-63) (東京) 2008. 12. 8
• in-situ分光エリプソメータによるSiCの極薄膜厚領域における酸化過程の観察
  高久 英之, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
  SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第17回講演会 (P-65) (東京) 2008. 12. 8
• 界面Si及びC原子放出現象に基づくSiC酸化速度のモデル計算
  土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
  SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第17回講演会 (P-66) (東京) 2008. 12. 8
• 第一原理計算を用いた立方晶 GaN の電気的特性解析
  中島 洋, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
  SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第17回講演会 (P-72) (東京) 2008. 12. 8
• SiC酸化膜界面の分光エリプソメトリによる評価
  吉田 貞史, 矢口 裕之, 土方 泰斗
  SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第17回講演会 (V-1) (東京) 2008. 12. 9
• Model Calculation of SiC Oxide Growth Rate based on the Silicon and Carbon Emission Model
  Yasuto Hijikata, Hiroyuki Yaguchi, and Sadafumi Yoshida
  7th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (WeP-18) (Barcelona, Spain) 2008. 9. 10
• Characterization of 4H-SiC-SiO₂ Interfaces by a Deep Ultraviolet Spectroscopic Ellipsometer
  Hideyasu Seki, Takahiro Wakabayashi, Yasuhiro Hijikata, Hiroyuki Yaguchi, and Sadafumi Yoshida
  7th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (WeP-19) (Barcelona, Spain) 2008. 9. 10
• Observation of SiC Oxidation in Ultra-Thin Oxide Regime by In-Situ Spectroscopic Ellipsometry
  Hideyuki Takaku, Yasuto Hijikata, Hiroyuki Yaguchi, and Sadafumi Yoshida
  7th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (WeP-20) (Barcelona, Spain) 2008. 9. 10
• 分光エリプソメータを用いたGaAsN混晶の電子構造に関する研究
  鈴木 直也, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史, 片山 竜二, 尾鍋 研太郎
  第69回応用物理学会学術講演会 (4a-CF-11)（春日井） 2008. 9. 4
• 窒素をδドープしたGaP中の等電子トラップからの発光(II)
  伊藤 正俊, 福島 俊之, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史, 吉田 正裕, 秋山 英文, 窪谷 茂幸, 片山 竜二, 尾鍋 研太郎
  第69回応用物理学会学術講演会 (4a-CF-15)（春日井） 2008. 9. 4
• 様々な面方位基板上に作製した窒素δドープGaAs中の等電子トラップからの発光
  福島 俊之, 伊藤 正俊, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史, 吉田 正裕, 秋山 英文, 窪谷 茂幸, 片山 竜二, 尾鍋 研太郎
  第69回応用物理学会学術講演会 (4a-CF-16)（春日井） 2008. 9. 4
• RF-MBE法を用いた4H-SiC(0001)基板上へのInN結晶の直接成長
  折原 操, 富田 康浩, 瀧澤 伸, 佐藤 貴紀, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
  第69回応用物理学会学術講演会 (4p-CG-3)（春日井） 2008. 9. 4
• III-V-N混晶のバンドギャップナローイングと光物性
  矢口 裕之
  第69回応用物理学会学術講演会 (3p-ZV-7)（春日井） 2008. 9. 3
• 多入射角分光エリプソメトリによるSiC/酸化膜界面の光学的評価II
  若林 敬浩, 関 秀康, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
  第69回応用物理学会学術講演会 (2p-CE-12)（春日井） 2008. 9. 2
• 窒素をδドープしたGaAsにおける単一の等電子トラップからの発光
  矢口 裕之
  第4回量子材料セミナー（調布） 2008. 7. 23
• 局所ドーピング半導体による単一光子発生に関する研究
  矢口 裕之
  2008旭硝子財団助成研究発表会（東京） 2008. 7. 15
• High Resolution X-ray Diffraction and Raman Scattering Studies of Cubic-Phase InN Films Grown by MBE
  S. Kuntharin, S. Sanorpim, Y. Iwahashi, H. Yaguchi, A. Nishimoto, M. Orihara, Y. Hijikata, S. Yoshida
  Smart/Intelligent Materials and Nano Technology 2008 & 2nd Internatinal Workshop on Functional Materials and Nanomaterials (SmartMat-'08 & IWOFM-2) (Chiang Mai, Thailand) 2008. 4. 24
• RF-MBE法を用いた3C-SiC基板上への立方晶InNの結晶成長およびその物性評価
  富田 康浩, 井上 赳, 折原 操, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史, 平林 康男
  第55回応用物理学関係連合講演会 (27p-B-6)（船橋） 2008. 3. 27
• RF-MBE法により成長した立方晶InNのPL測定（II）
  井上 赳, 四方 剛, 塚越 裕介, 富田 康浩, 中島 洋, 折原 操, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
  第55回応用物理学関係連合講演会 (27p-B-7)（船橋） 2008. 3. 27
• RF-MBE法により成長させたA面InN膜のフォトルミネッセンス特性
  四方 剛, 井上 赳, 佐藤 貴紀, 平山 秀樹, 折原 操, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
  第55回応用物理学関係連合講演会 (27p-B-16)（船橋） 2008. 3. 27
• In-situ分光エリプソメータによるSiCの極薄領域における酸化過程の観察
  高久 英之, 山本 健史, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
  第55回応用物理学関係連合講演会 (28p-A-1)（船橋） 2008. 3. 28
• 多入射角分光エリプソメトリによるSiC/酸化膜界面の光学的評価
  若林 敬浩, 関 秀康, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
  第55回応用物理学関係連合講演会 (28p-A-2)（船橋） 2008. 3. 28
• 分光エリプソメータによるSiO₂/SiC界面の光学的評価　-酸化膜厚依存性-
  関 秀康, 若林 敬浩, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
  第55回応用物理学関係連合講演会 (28p-A-3)（船橋） 2008. 3. 28
• 極低濃度窒素をドーピングしたGaAs中の等電子トラップからの発光
  福島 俊之, 遠藤 雄太, 伊藤 正俊, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史, 吉田 正裕, 秋山 英文, 窪谷 茂幸, 片山 竜二, 尾鍋 研太郎
  第55回応用物理学関係連合講演会 (29p-ZT-13)（船橋） 2008. 3. 29
• ラマン分光を用いたGaInAsN混晶の発光効率の変化に関する研究
  谷岡 健太郎, 堀口 歩, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史, 片山 竜二, 尾鍋 研太郎, 吉田 正裕, 秋山 英文
  第55回応用物理学関係連合講演会(29p-ZT-18)（船橋） 2008. 3. 29