発表 2005
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赤外反射分光法を用いたSiCエピ膜の電気的特性の評価
大石 慎吾, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
SiC 及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第14回講演会 (P-21) (京都)
2005. 11.
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分光エリプソメータによるSiO2/SiC 界面の光学的評価 −紫外領域への拡張—
窪木 亮一, 覚張 光一, 橋本 英樹, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
SiC 及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第14回講演会 (P-24) (京都)
2005. 11.
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In-situ エリプソメータによるSiC の酸化の実時間観察
覚張 光一, 窪木 亮一, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
SiC 及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第14回講演会 (P-25) (京都)
2005. 11.
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Off-Angle Dependence of Characteristics of 4H-SiC-Oxide
Interfaces
Yasuto Hijikata, Hiroyuki Yaguchi, Sadafumi Yoshida, Yasutaka Takata, Keisuke Kobayashi, Hiroshi Nohira, Takeo Hattori
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2005 (TPP1 (20))
Final Technical Progam p. 36 (Pittsburgh, USA)
2005. 9. 20
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Real Time Observation of SiC Oxidation Using In-Situ Spectroscopic Ellipsometer
Koichi Kakubari, Ryoichi Kuboki,
Yasuto Hijikata, Hiroyuki Yaguchi, Sadafumi Yoshida
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2005 (RPM6 (46))
Final Technical Program p. 78 (Pittsburgh, USA)
2005. 9. 22
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ラマン分光を用いたGaAsN混晶の光照射による構造変化の評価
矢口 裕之, 清水 博史, 森桶 利和, 青木 貴嗣, 土方 泰斗, 吉田 貞史, 宇佐美 徳隆, 吉田 正裕, 秋山 英文, 青木 大一郎, 尾鍋 研太郎
第66回応用物理学会学術講演会 (9p-ZA-18) (徳島)
2005. 9. 9
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RF-MBE法を用いた4H-SiC基板上へのInN/InGaN量子井戸構造の作製（II）
折原 操, 岩橋 洋平, 平野 茂, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
第66回応用物理学会学術講演会 (10a-R-7) (徳島)
2005. 9. 10
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RF-MBE法を用いた中間組成InGaN膜上へのInN/InGaN量子井戸構造の作製
平野 茂, 岩橋 洋平, 折原 操, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
第66回応用物理学会学術講演会 (10a-R-8) (徳島)
2005. 9. 10
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赤外反射分光法を用いたSiCエピ膜の電気的特性の評価
大石 慎吾, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
第66回応用物理学会学術講演会 (8a-ZB-6) (徳島)
2005. 9. 8
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低オフ角C面SiC基板上の酸化膜の評価
土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史, 高田 恭孝, 小林 啓介, 野平 博司, 服部 健雄
第66回応用物理学会学術講演会 (8p-ZB-17) (徳島)
2005. 9. 8
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分光エリプソメータによるSiO2/SiC界面の光学的評価 -紫外領域への拡張-
窪木 亮一, 覚張 光一, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
第66回応用物理学会学術講演会 (8p-ZB-18) (徳島)
2005. 9. 8
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Photo-induced improvement of radiative efficiency and structural changes in GaAsN
alloys
Hiroyuki Yaguchi, Toshikazu Morioke, Takashi Aoki, Hiroshi Shimizu, Yasuto Hijikata, Sadafumi Yoshida,
Masahiro Yoshita, Hidefumo Akiyama, Noritaka Usami, Daiichiro Aoki, and Kentaro Onabe
6th International Conference on Nitride Semiconductors (Mo-P-097) (Bremen, Germany)
2005. 8. 29
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RF-MBE growth of cubic InN films on MgO (001) substrates
Yohei Iwahashi, Akemi Nishimoto, Misao Orihara, Yasuto Hijikata, Hiroyuki Yaguchi, and Sadafumi Yoshida
6th International Conference on Nitride Semiconductors (Tu-P-075) (Bremen, Germany)
2005. 8. 30
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In situエリプソメータによるSiCの酸化膜の実時間観察
覚張 光一, 窪木 亮一, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
第52回応用物理学関係連合講演会 (1a-YK-1) (さいたま)
2005. 4. 1
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様々な傾斜角を有するSiC基板上の酸化膜の評価
土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史, 高田 恭孝, 小林 啓介, 野平 博司, 服部 健雄
第52回応用物理学関係連合講演会 (1a-YK-4) (さいたま)
2005. 4. 1
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赤外反射分光法を用いたSiCエピ膜の電気的特性の評価
大石 慎吾, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
第52回応用物理学関係連合講演会 (30p-YK-21) (さいたま)
2005. 3. 30
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RF-MBE法を用いた4H-SiC基板上へのInN/InGaN量子井戸構造の作製
折原 操, 北村 芳広, 岩橋 洋平, 平野 茂, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
第52回応用物理学関係連合講演会 (29a-N-33) (さいたま)
2005. 3. 29
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窒素をδドープしたGaAsの顕微フォトルミネッセンス
花島 君俊, 森桶 利和, 青木 貴嗣, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史, 吉田 正裕, 秋山 英文, 平山 琢, 片山 竜二, 尾鍋 研太郎
第52回応用物理学関係連合講演会 (30a-L-11) (さいたま)
2005. 3. 30
