発表 2005

• 赤外反射分光法を用いたSiC エピ膜の電気的特性の評価
  大石 慎吾, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
  SiC 及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第14 回講演会(P-21) (京都) 2005. 11.
• 分光エリプソメータによるSiO₂/SiC 界面の光学的評価 −紫外領域への拡張—
  窪木 亮一, 覚張 光一, 橋本 英樹, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
  SiC 及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第14 回講演会(P-24) (京都) 2005. 11.
• In-situ エリプソメータによるSiC の酸化の実時間観察
  覚張 光一, 窪木 亮一, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
  SiC 及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第14 回講演会(P-25) (京都) 2005. 11.
• Off-Angle Dependence of Characteristics of 4H-SiC-Oxide Interfaces
  Y. Hijikata, H. Yaguchi, S. Yoshida, Y. Takata, K. Kobayashi, H. Nohira, T. Hattori
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2005 (TPP1 (20)) Final Technical Progam p. 36 (Pittsburgh, USA) 2005. 9. 20
• Real Time Observation of SiC Oxidation Using In-Situ Spectroscopic Ellipsometer
  K. Kakubari, R. Kuboki, Y. Hijikata, H. Yaguchi, S. Yoshida
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2005 (RPM6 (46)) Final Technical Program p. 78 (Pittsburgh, USA) 2005. 9. 22
• ラマン分光を用いたGaAsN混晶の光照射による構造変化の評価
  矢口 裕之, 清水 博史, 森桶 利和, 青木 貴嗣, 土方 泰斗, 吉田 貞史, 宇佐美 徳隆, 吉田 正裕, 秋山 英文, 青木 大一郎, 尾鍋 研太郎
  第66回応用物理学会学術講演会 (9p-ZA-18) (徳島) 2005. 9. 9
• RF-MBE法を用いた4H-SiC基板上へのInN/InGaN量子井戸構造の作製（II）
  折原 操, 岩橋 洋平, 平野 茂, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
  第66回応用物理学会学術講演会 (10a-R-7) (徳島) 2005. 9. 10
• RF-MBE法を用いた中間組成InGaN膜上へのInN/InGaN量子井戸構造の作製
  平野 茂, 岩橋 洋平, 折原 操, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
  第66回応用物理学会学術講演会 (10a-R-8) (徳島) 2005. 9. 10
• 赤外反射分光法を用いたSiCエピ膜の電気的特性の評価
  大石 慎吾, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
  第66回応用物理学会学術講演会 (8a-ZB-6) (徳島) 2005. 9. 8
• 低オフ角C面SiC基板上の酸化膜の評価
  土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史, 高田 恭孝, 小林 啓介, 野平 博司, 服部 健雄
  第66回応用物理学会学術講演会 (8p-ZB-17) (徳島) 2005. 9. 8
• 分光エリプソメータによるSiO₂/SiC界面の光学的評価 -紫外領域への拡張-
  窪木 亮一, 覚張 光一, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
  第66回応用物理学会学術講演会 (8p-ZB-18) (徳島) 2005. 9. 8
• Photo-induced improvement of radiative efficiency and structural changes in GaAsN alloys
  H. Yaguchi, T. Morioke, T. Aoki, H. Shimizu, Y. Hijikata, S. Yoshida, M. Yoshita, H. Akiyama, N. Usami, D. Aoki, and K. Onabe
  6th International Conference on Nitride Semiconductors (Mo-P-097) (Bremen, Germany) 2005. 8.
• RF-MBE growth of cubic InN films on MgO (001) substrates
  Y. Iwahashi, A. Nishimoto, M. Orihara, Y. Hijikata, H. Yaguchi, and S. Yoshida
  6th International Conference on Nitride Semiconductors (Tu-P-075)(Bremen, Germany) 2005. 8.
• In situエリプソメータによるSiCの酸化膜の実時間観察
  覚張 光一, 窪木 亮一, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
  第52回応用物理学関係連合講演会 (1a-YK-1) (さいたま) 2005. 4. 1
• 様々な傾斜角を有するSiC基板上の酸化膜の評価
  土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史, 高田 恭孝, 小林 啓介, 野平 博司, 服部 健雄
  第52回応用物理学関係連合講演会 (1a-YK-4) (さいたま) 2005. 4. 1
• 赤外反射分光法を用いたSiCエピ膜の電気的特性の評価
  大石 慎吾, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
  第52回応用物理学関係連合講演会 (30p-YK-21) (さいたま) 2005. 3. 30
• RF-MBE法を用いた4H-SiC基板上へのInN/InGaN量子井戸構造の作製
  折原 操, 北村 芳広, 岩橋 洋平, 平野 茂, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
  第52回応用物理学関係連合講演会 (29a-N-33) (さいたま) 2005. 3. 29
• 窒素をδドープしたGaAsの顕微フォトルミネッセンス
  花島 君俊, 森桶 利和, 青木 貴嗣, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史, 吉田 正裕, 秋山 英文, 平山 琢, 片山 竜二, 尾鍋 研太郎
  第52回応用物理学関係連合講演会 (30a-L-11) (さいたま) 2005. 3. 30