Yaguchi

発表 2002


  • 分光エリプソメータによるSiO2/SiC界面の光学的評価(II)
    緑川 正彦, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉川 正人, 神谷 富裕, 吉田 貞史
    応用物理学会SiCおよび関連ワイドギャップ半導体研究会第11回講演会 (東京) 2002. 11.
  • 分光エリプソメータによるSiC上酸化膜の酸化初期過程観察
    関口 聡, 川戸 郷史, 吉田 聡, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
    応用物理学会SiCおよび関連ワイドギャップ半導体研究会第11回講演会 (東京) 2002. 11.
  • 紫外線光電子分光法によるドライ酸化膜/SiC界面層の評価
    土方 泰斗, 矢口 裕之, 石田 夕起, 吉川 正人, 神谷 富裕, 吉田 貞史
    応用物理学会SiCおよび関連ワイドギャップ半導体研究会第11回講演会 (東京) 2002. 11.
  • 赤外反射分光による6H-SiCウエハのキャリヤ濃度及び移動度の評価
    成田 勝俊, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史, 中島 信一
    応用物理学会SiCおよび関連ワイドギャップ半導体研究会第11回講演会 (東京) 2002. 11.
  • 分光手法によるSiC結晶の伝導性評価
    中島 信一, 播磨 弘, 成田 勝俊, 吉田 貞史, 矢口 裕之
    応用物理学会SiCおよび関連ワイドギャップ半導体研究会第11回講演会 (東京) 2002. 11.
  • NH3を窒素源とした3C-SiC(001)基板上への立方晶GaNのMBE成長(VI)
    佐々木 哲哉, 三浦 輝人, 中田 智成, 西田 謙二, 折原 操, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
    第63回応用物理学会学術講演会 (25p-YG-5) (新潟) 2002. 9. 25
  • 赤外反射分光によるSiCウエハのキャリヤ濃度および移動度の評価(II)
    成田 勝俊, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史, 中島 信一
    第63回応用物理学会学術講演会 (24p-P3-7) (新潟) 2002. 9. 24
  • 分光エリプソメータによるSiC上酸化膜の酸化初期過程観察
    土方 泰斗, 関口 聡, 成田 勝俊, 矢口 裕之, 吉田 貞史
    第63回応用物理学会学術講演会 (25a-P7-22) (新潟) 2002. 9. 25
  • 分光エリプソメータによるSiO2/SiC界面の光学的評価(III)
    緑川 正彦, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉川 正人, 伊藤 久義, 吉田 貞史
    第63回応用物理学会学術講演会 (25a-P7-23) (新潟) 2002. 9. 25
  • 酸化膜/SiC界面層に対する酸化後処理のXPS評価 (II)
    土方 泰斗, 矢口 裕之, 石田 夕起, 吉川 正人, 伊藤 久義, 吉田 貞史
    第63回応用物理学会学術講演会 (25a-p7-24) (新潟) 2002. 9. 25
  • 分光偏光解析によるGaP1-xNx混晶半導体の光学定数の評価
    金谷 大, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史, 三吉 靖郎, 尾鍋 研太郎
    第63回応用物理学会学術講演会 (24a-YD-11) (新潟) 2002. 9. 24
  • GaAsN混晶のラマン測定
    西原 信, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史, 青木 大一郎, 飛田 聡, 尾鍋 研太郎
    第63回応用物理学会学術講演会 (24p-YD-3) (新潟) 2002. 9. 24
  • Time-Resolved Photoluminescence Study of GaAsN Alloys
    Hiroyuki Yaguchi, Motoyoshi Baba, Hidefumi Akiyama, Daiichiro Aoki, Kentaro Onabe, Yasuto Hijikata and Sadafumi Yoshida
    International Workshop on Nitride Semiconductors (Aachen, Germany) 2002. 7.
  • Microstructure and absorption coefficient of Si-rich multicrystalline-SiGe bulk crystal with microscopic compositional distribution for solar cell applications
    Tatsuya Takahashi, Kozo Fujiwara, Noritaka Usami, Toru Ujihara, Ggen Sazaki, Yoshihiro Murakami, Hiroyuki Yaguchi, Kazuo Obara, T. Shishido and Kazuo Nakajima
    21st Electronic Materials Symposium (H10) (Izu-Nagaoka) 2002. 6.
  • Time-resolved photoluminescence of GaAsN alloys grown by metalorganic vapor phase epitaxy
    Hiroyuki Yaguchi, Yasuto Hijikata, Sadafumi Yoshida, Motoyoshi Baba, Hidefumi Akiyama, Daiichiro Aoki and Kentaro Onabe
    21st Electronic Materials Symposium (I6) (Izu-Nagaoka) 2002. 6.
  • ミクロ分散的組成分布を有するSiGe多結晶の光学特性
    高橋 達也, 藤原 航三, 宇佐美 徳隆, 宇治原 徹, 佐崎 元, 村上 義弘, 矢口 裕之, 小原 和夫, 宍戸 統悦, 中嶋 一雄
    第49回応用物理学関係連合講演会 (27a-ZR-4)（平塚） 2002. 3. 27
  • GaAsN混晶のフォトリフレクタンス
    西原 信, 松本 一男, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史, 青木 大一郎, 片山 竜二, 尾鍋 研太郎
    第49回応用物理学関係連合講演会 (28p-ZQ-6)（平塚） 2002. 3. 28
  • GaAsN混晶の時間分解フォトルミネッセンス(II)
    矢口 裕之, 秋山 英文, 馬場 基芳, 青木 大一郎, 尾鍋 研太郎, 土方 泰斗, 吉田 貞史
    第49回応用物理学関係連合講演会 (28p-ZQ-13)（平塚） 2002. 3. 28
  • NH3を窒素源とした3C-SiC(001)基板上への立方晶GaNのMBE成長(V)
    佐々木 哲哉, 渡邊 英之, 中田 智成, 小川 大輔, 折原 操, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
    第49回応用物理学関係連合講演会 (28p-ZM-26)（平塚） 2002. 3. 28
  • 赤外反射分光によるSiCウエハのキャリア濃度および移動度の評価
    成田 勝俊, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史, 中島 信一, 中武 泰啓
    第49回応用物理学関係連合講演会 (29a-ZR-4)（平塚） 2002. 3. 29
  • 酸化膜/SiC界面層に対する酸化後処理の影響についてのXPS評価
    土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉川 正人, 伊藤 久義, 吉田 貞史
    第49回応用物理学関係連合講演会 (29a-ZR-9)（平塚） 2002. 3. 29
  • 分光エリプソメータによるSi02/SiC界面の光学的評価(II)
    緑川 正彦, 富岡 雄一, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉川 正人, 伊藤 久義, 石田 夕起, 吉田 貞史
    第49回応用物理学関係連合講演会 (29a-ZR-10)（平塚） 2002. 3. 29
  • ガスソースMBE法によるSi (111)基板上へのGaN膜の成長
    中田 智成, 松原 弘高, 佐々木 哲哉, 渡邊 英之, 折原 操, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
    第49回応用物理学関係連合講演会 (30a-ZM-16)（平塚） 2002. 3. 30
  • Characterization of Oxide/SiC Interfaces by Spectroscopic Ellipsometry and XPS
    Sadafumi Yoshida, Yuichi Tomioka, Masahiko Midorikawa, Yasuto Hijikata, and Hiroyuki Yaguchi
    Japanese-Spanish-German Workshop 2002 on Recent Progress in Advanced Materials, Devices, Processing and Characterization (Cordoba, Spain) 2002. 3.