Yaguchi

発表 2007


  • In-situ 分光エリプソメータによるSiC の極薄膜厚領域における酸化過程の観察
    高久 英之, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
    SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第16回講演会 P-42 (名古屋) 2007. 11. 29
  • 分光エリプソメータによるSiO2/SiC界面の光学的評価 -酸化法, 面方位依存性-(2)
    橋本 英樹, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
    SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第16回講演会 P-43 (名古屋) 2007. 11. 29
  • In-situ 分光エリプソメータによるSiC 酸化速度の酸素分圧依存性測定
    山本 健史, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
    SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第16回講演会 P-44 (名古屋) 2007. 11. 29
  • SiC 酸化速度の極薄膜厚領域におけるモデル計算
    土方 泰斗, 山本 健史, 矢口 裕之, 吉田 貞史
    SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第16回講演会 P-45 (名古屋) 2007. 11. 29
  • Model Calculation of SiC Oxidation Rates in the Thin Oxide Regime
    Yasuto Hijikata, Takeshi Yamamoto, Hiroyuki Yaguchi, and Sadafumi Yoshida
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2007, Mo-P-63 (Otsu, Japan) 2007. 10. 15
  • Oxygen-Partial-Pressure Dependence of SiC Oxidation Rate Studied by In-situ Spectroscopic Ellipsometry
    Takeshi Yamamoto, Yasuto Hijikata, Hiroyuki Yaguchi, and Sadafumi Yoshida
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2007, Mo-P-64 (Otsu, Japan) 2007. 10. 15
  • Improvement of the Surface Morphology of a-Plane InN Using Low-Temperature InN Buffer Layers
    Go Shikata, Shigeru Hirano, Takeru Inoue, Misao Orihara, Yasuto Hijikata, Hiroyuki Yaguchi, Sadafumi Yoshida
    7th International Conference on Nitride Semiconductors, BB3 (Las Vegas, USA) 2007. 9. 20
  • Lattice Polarity Determination for GaN by Modulation Spectroscopy
    Ryuji Katayama, Hiroyuki Yaguchi, Kentaro Onabe
    7th International Conference on Nitride Semiconductors, JJ3 (Las Vegas, USA) 2007. 9. 20
  • Photoluminescence of Cubic InN Films on MgO(001) Substrates
    Takeru Inoue, Yohei Iwahashi, Shingo Oishi, Misao Orihara, Yasuto Hijikata, Hiroyuki Yaguchi, Sadafumi Yoshida
    7th International Conference on Nitride Semiconductors, WP59 (Las Vegas, USA) 2007. 9. 19
  • Photoluminescence Study of Hexagonal InN/InGaN Quantum Well Structures Grown on 3C-SiC (001) Substrates by Molecular Beam Epitaxy
    Shigeru Hirano, Takeru Inoue, Go Shikata, Misao Orihara, Yasuto Hijikata, Hiroyuki Yaguchi, Sadafumi Yoshida
    7th International Conference on Nitride Semiconductors, WP60 (Las Vegas, USA) 2007. 9. 19
  • 分光エリプソメトリによるInGaN混晶の光学的特性評価
    塚越 裕介, 折原 操, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史, 崔 成伯, 石谷 善博, 吉川 明彦
    第68回応用物理学会学術講演会 (5a-ZR-3)（札幌）2007. 9. 5
  • RF-MBE法を用いた4H-SiC基板(0001)面および(000-1)面上へのInGaN成長
    折原 操, 四方 剛, 井上 赳, 塚越 裕介, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
    第68回応用物理学会学術講演会 (6a-ZS-11)（札幌）2007. 9. 6
  • 分光エリプソメータによるSiO2/SiC界面の光学的評価〜酸化法, 面方位依存性〜
    橋本 英樹, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
    第68回応用物理学会学術講演会 (6p-ZN-2)（札幌）2007. 9. 6
  • In-situ分光エリプソメ-タによるSiC酸化速度の酸素分圧依存性測定
    山本 健史, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
    第68回応用物理学会学術講演会 (6p-ZN-3)（札幌）2007. 9. 6
  • SiC酸化速度の極薄膜厚領域におけるモデル計算
    土方 泰斗, 山本 健史, 矢口 裕之, 吉田 貞史
    第68回応用物理学会学術講演会 (6p-ZN-4)（札幌）2007. 9. 6
  • 窒素をデルタドープしたGaAsにおける単一の等電子トラップからの発光の偏光特性
    遠藤 雄太, 伊藤 正俊, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史, 吉田 正裕, 秋山 英文, 中島 史博, 片山 竜二, 尾鍋 研太郎
    第68回応用物理学会学術講演会 (7a-E-6)（札幌）2007. 9. 7
  • 窒素をデルタドープしたGaP中の等電子トラップからの発光
    伊藤 正俊, 遠藤 雄太, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史, 吉田 正裕, 秋山 英文, 中島 史博, 片山 竜二, 尾鍋 研太郎
    第68回応用物理学会学術講演会 (7a-E-7)（札幌）2007. 9. 7
  • 光照射によるGaInAsN混晶の発光効率向上に関する研究
    谷岡 健太郎, 遠藤 雄太, 伊藤 正俊, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史, 片山 竜二, 尾鍋 研太郎, 吉田 正裕, 秋山 英文
    第68回応用物理学会学術講演会 (7p-E-2)（札幌）2007. 9. 7
  • 変調分光法によるGaNの極性評価
    片山 竜二, 矢口 裕之, 尾鍋 研太郎
    第68回応用物理学会学術講演会 (8a-ZQ-8)（札幌）2007. 9. 8
  • Twin photoluminescence peaks from single isoelectronic traps in nitrogen delta-doped GaAs
    Yuta Endo, Yasuto Hijikata, Hiroyuki Yaguchi, Sadafumi Yoshida, Mashiro Yoshita, Hidefumi Akiyama, Fumihiro Nakajima, Ryuji Katayama and Kentaro Onabe
    13th International Conference on Modulated Semiconductor Structures (PM11) (Genova, Italy) 2007. 7. 17
  • Modulation spectroscopic investigation on lattice polarity of GaN
    Ryuji Katayama, Hiroyuki Yaguchi, and Kentaro Onabe
    26th Electronic Materials Symposium (E9) (Moriyama) 2007. 7. 5
  • 窒素をデルタドープしたGaAsにおける等電子トラップからの発光
    遠藤 雄太, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史, 吉田 正裕, 秋山 英文, 中島 史博, 片山 竜二, 尾鍋 研太郎
    第54回応用物理学連合学術講演会(29p-Q-14) p. 358（相模原）2007. 3. 29
  • RF-MBE法によるGaNバッファー層を用いたサファイアR面基板上へのA面InNの成長
    四方 剛, 平野 茂, ファリズ・アブドウルラーシッド, 平山 秀樹, 折原 操, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
    第54回応用物理学連合学術講演会(30a-ZG-5) p. 408（相模原）2007.3.30
  • RF-MBE法を用いた3C-SiC基板上へのInN/InGaN量子井戸構造の作製
    平野 茂, 四方 剛, 井上 赳, 塚越 裕介, 折原 操, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
    第54回応用物理学連合学術講演会(30p-ZG-2) p. 411（相模原）2007. 3. 30
  • RF-MBE法を用いた4H-SiC基板上へのInN/InGaN量子井戸構造の作製(III)
    折原 操, 平野 茂, 四方 剛, 井上 赳, 塚越 裕介, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
    第54回応用物理学連合学術講演会(30p-ZG-3) p. 412（相模原）2007. 3. 30