発表 2009
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In-situ分光エリプソメータによる低酸素分圧下におけるSiC酸化過程の観察
甲田 景子, 土方 泰斗, 矢口 裕之 吉田 貞史
SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第18回講演会(P-26) (神戸) 2009. 12. 17
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4H-SiC/酸化膜界面の光学的および電気的評価
若林 敬浩, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第18回講演会(P-32) (神戸) 2009. 12. 17
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SiおよびC原子放出モデルに基づく様々な酸化温度におけるSiC 酸化速度のモデル計算
土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第18回講演会(P-74) (神戸) 2009. 12. 17
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RF-MBE Growth of InN on 4H-SiC(0001) with Off-angles
Misao Orihara, Shin Takizawa, Takanori Sato, Yuuki Ishida, Sadafumi Yoshida, Yasuto Hijikata, Hiroyuki Yaguchi
8th International Conference on Nitride Semiconductors (ThP13) (Jeju, Korea) 2009. 10. 22
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In-situ Spectroscopic Ellipsometry Study of SiC Oxidation at Low Oxygen-Partial-Pressures
Keiko Kouda, Yasuto Hijikata, Hiroyuki Yaguchi, Sadafumi Yoshida
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2009 (Tu-P-40) (Nurnberg, Germany) 2009. 10. 13
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Model calculation of SiC oxide growth rate at various oxidation temperatures based on the silicon and carbon emission model
Yasuto Hijikata, Hiroyuki Yaguchi, Sadafumi Yoshida
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2009 (Th-3B-5) (Nurnberg, Germany) 2009. 10. 15
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1H,1H,2H,2H-ヘンイコサフルオロ-1-ドデカノールと1-ヘキサデカノールの固体からの自発的展開による単分子膜形成についての研究
藤田 やすか, ヴィレヌーヴ 真澄美, 矢口 裕之, 中原 弘雄
第62回コロイドおよび界面化学討論会 (P065) (岡山) 2009. 9. 19
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フォトリフレクタンスによるGaAsNの電子構造に関する研究
大久保 航, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史, 片山 竜二, 尾鍋 研太郎
第70回応用物理学会学術講演会 (9p-C-6) (富山) 2009. 9. 9
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極低窒素濃度GaAsNのフォトルミネッセンス励起分光測定
石川 輝, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史, 岡野 真人, 吉田 正裕, 秋山 英文, 窪谷 茂幸, 尾鍋 研太郎, 片山 竜二
第70回応用物理学会学術講演会 (9p-C-11) (富山) 2009. 9. 9
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窒素δドープGaAs/AlGaAsヘテロ構造における等電子トラップからの発光
高宮 健吾, 遠藤 雄太, 福島 俊之, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史, 岡野 真人, 秋山 英文, 窪谷 茂幸, 尾鍋 研太郎, 片山 竜二
第70回応用物理学会学術講演会 (9p-C-12) (富山) 2009. 9. 9
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RF-MBE法による4H-SiC(0001)オフ基板上へのInN直接成長
折原 操, 瀧澤 伸, 佐藤 貴紀, 石田 夕起, 吉田 貞史, 土方 泰斗, 矢口 裕之
第70回応用物理学会学術講演会 (10p-E-2) (富山) 2009. 9. 10
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In-situ分光エリプソメ−タによる低酸素分圧下におけるSiC酸化過程の観察
甲田 景子, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
第70回応用物理学会学術講演会 (10p-M-11) (富山) 2009. 9. 10
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Polarization properties of photoluminescence from individual isoelectronic traps in nitrogen delta-doped
semiconductors: effect of host crystals
Hiroyuki Yaguchi
The Second International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures
(O-16) (Anan) 2009. 8. 11
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GaAs(001)および(111)面基板上に作製した窒素δドープGaAs中の等電子トラップからの発光
福島 俊之, 矢口 裕之
第５回量子ナノ材料セミナー（さいたま）2009. 7. 29
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Photoluminescence from single isoelectronic traps in nitrogen delta-doped GaAs
grown on GaAs(111)A
Toshiyuki Fukushima, Masatoshi Ito, Yasuto Hijikata, Hiroyuki Yaguchi, Sadafumi Yoshida, Makoto Okano, Masahiro Yoshita,
Hidefumi Akiyama, Shigeyuki Kuboya, Ryuji Katayama, Kentaro Onabe
The 14th International Conference on Modulated Semiconductor Structures
(Tu-mP5) (Kobe) 2009. 7. 21
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厚い酸化膜領域におけるSiCの酸化速度の測定
若林 敬浩, 柴崎 俊哉, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
第56回応用物理学関係連合講演会 (30p-F-1) (つくば) 2009. 3. 30
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界面Si及びC原子放出現象に基づくSiC酸化モデル
土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
第56回応用物理学関係連合講演会 (30p-F-2) (つくば) 2009. 3. 30
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In-situ 分光エリプソメ−タによるSiC 酸化速度の酸素分圧依存性測定(II)
甲田 景子, 高久 英之, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
第56回応用物理学関係連合講演会 (30p-F-3) (つくば) 2009. 3. 30
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InP(001)基板上へのInPN薄膜のMOVPE成長
関 裕紀, 窪谷 茂幸, クァントゥ ティユ, 片山 竜二, 矢口 裕之, 尾鍋 研太郎
第56回応用物理学関係連合講演会 (31p-J-6) (つくば) 2009. 3. 31
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様々な面方位基板上に作製した窒素δドープGaAs中の等電子トラップからの発光(II)
福島 俊之, 伊藤 正俊, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史, 岡野 真人, 吉田 正裕, 秋山 英文, 窪谷 茂幸, 片山 竜二, 尾鍋 研太郎
第56回応用物理学関係連合講演会 (31p-J-16) (つくば) 2009. 3. 31
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窒素をδドープしたGaP中の等電子トラップからの発光（III）
伊藤 正俊, 福島 俊之, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史, 岡野 真人, 吉田 正裕, 秋山 英文, 窪谷 茂幸, 片山 竜二, 尾鍋 研太郎
第56回応用物理学関係連合講演会 (31p-J-17) (つくば) 2009. 3. 31
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Photoluminescence study of hexagonal InN/InGaN multiple quantum well structures
grown on 3C-SiC (001) substrates by RF-MBE
Hiroyuki Yaguchi, Shigeru Hirano, Misao Orihara, Yasuto Hijikata, and Sadafumi Yoshida
The 1st International Forum on Frontier Photonics (O-2) (Saitama) 2009. 3. 5
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Characterization of 4H-SiC/SiO2 interfaces using a deep ultraviolet spectroscopic
ellipsometer
Takahiro Wakabayashi, Hideyasu Seki, Yasuto Hijikata, Hiroyuki Yaguchi and Sadafumi Yoshida
The 1st International Forum on Frontier Photonics (P-14) (Saitama) 2009. 3. 6
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Photoluminescence from isoelectronic traps in nitrogen delta-doped GaAs grown on
variously oriented GaAs surfaces
Toshiyuki Fukushima, Masatoshi Ito, Yasuto Hijikata, Hiroyuki Yaguchi, Sadafumi Yoshida, Makoto Okano,
Masahiro Yoshita, Hidefumi Akiyama, Shigeyuki Kuboya, Ryuji Katayama and Kentaro Onabe
The 1st International Forum on Frontier Photonics (P-15) (Saitama) 2009. 3. 6
