Yaguchi

発表 2018


  • Evaluation of DC sputtered AlN template by wet KOH etching
    Yosuke Mogami, Shogo Motegi, A. Ogawa, Kazuto Osaki, Y. Tanioka, Atsushi Maeoka, Masafumi Jo, Noritoshi Maeda, Hiroyuki Yaguchi, and Hideki Hirayama
    International Workshop on Nitride Semiconductors (GR11-4) (Kanazawa)
    2018. 11. 15
  • Carrier recombination processes via intermediate band in GaPN revealed by two-wavelength escited photoluminescence
    C. Negishi, Md Dulal Haque, Norihiko Kamata, Zentaro Honda, and Hiroyuki Yaguchi
    International Workshop on Nitride Semiconductors (MoP-CR-10) (Kanazawa)
    2018. 11. 12
  • Growth temperature depencence of cubic GaN step structures and cubic InN dot arrays grown on MgO (001) vicinal substrates
    Kazumasa Okura, Kengo Takamiya, Shuhei Yagi, and Hiroyuki Yaguchi
    International Workshop on Nitride Semiconductors (TuP-GR-11) (Kanazawa)
    2018. 11. 13
  • ルブレン単結晶上の有機鉛ペロブスカイト結晶成長
    阿内 悠人, 宮寺 哲彦, 小金澤 智之, 近松 真之, 吉田 郵司, 矢口 裕之
    AIST 太陽光発電研究 成果報告会 2018 (つくば)
    2018. 11. 14
  • DCスパッタ法AlNの高温アニール処理とUVCLEDへのアプローチ
    茂手木 省吾, 最上 耀介, 大澤 篤史, 尾﨑 一人, 谷岡 千丈, 前岡 淳史, 定 昌史, 前田 哲利, 矢口 裕之, 平山　秀樹
    日本学術振興会ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会 第110回研究会・特別公開シンポジウム (東京)
    2018. 9. 27
  • 二波⻑励起PL測定によるGaPN混晶のアップコンバージョン発光特性評価
    高橋 渉, 高宮 健吾, 八木 修平, 狭間 優治, 秋山 英文, 矢口 裕之, 鎌田 憲彦
    第79回応用物理学会秋季講演会 (18p-234B-4) (名古屋)
    2018. 9. 18
  • 第一原理計算によるGaAsN混晶中のN原子配置のバンド構造への影響の検討
    塚原 悠太, 八木 修平, 矢口 裕之
    第79回応用物理学会秋季講演会 (18p-234B-6) (名古屋)
    2018. 9. 18
  • RF-MBE法による4H-SiC(000\overline{1})基板上へのN極性GaNの作製
    杉浦 亮, 高宮 健吾, 八木 修平, 矢口 裕之
    第79回応用物理学会秋季講演会 (19p-PA4-14) (名古屋)
    2018. 9. 19
  • 規則配列化InNドットの作製に向けた立方晶GaN表面ステップ構造の成⻑条件依存性
    大倉 一将, 高宮 健吾, 八木 修平, 矢口 裕之
    第79回応用物理学会秋季講演会 (19p-PA4-25) (名古屋)
    2018. 9. 19
  • DCスパッタAlN膜の高温アニールによる表面状態の変化
    茂手木 省吾, 最上 耀介, 大澤 篤史, 尾﨑 一人, 谷岡 千丈, 前岡 淳史, 定 昌史, 前田 哲利, 矢口 裕之, 平山 秀樹
    第79回応用物理学会秋季講演会 (21p-146-10) (名古屋)
    2018. 9. 21
  • 高温アニール処理DCスパッタAlNを用いたAlNテンプレートの評価
    最上 耀介, 茂手木 省吾, 大澤 篤史, 尾崎 一人, 谷岡 千丈, 前岡 淳史, 定 昌史, 前田 哲利, 矢口 裕之, 平山 秀樹
    第79回応用物理学会秋季講演会 (21p-146-11) (名古屋)
    2018. 9. 21
  • Epitaxial growth of organolead-halide perovskite on rubrene single crystals
    Yuto Auchi, Tetsuhiko Miyadera, Tomoyuki Koganezawa, Hiroyuki Yaguchi, Masayuki Chikamatsu, Yuji Yoshida
    2018 International Conference on Solid State Devices and Materiials (F4-04) (Tokyo)
    2018. 9. 12
  • 真空プロセスによる有機鉛ペロブスカイトの結晶成長制御
    宮寺 哲彦, 阿内 悠人, 小金澤 智之, 矢口 裕之, 吉田 郵司, 近松 真之
    第67回高分子討論会 (2W13) (札幌)　
    2018. 9. 13
  • Evolution of morphology and crystalline quality of sputtered AlN films with high-temperature annealing
    Yosuke Mogami, Shogo Motegi, Atushi Osawa, Kazuto Osaki, Y. Tanioka, Atsushi Maeoka, Masafumi Jo, Noritoshi Maeda, Hiroyuki Yaguchi and Hideki Hirayama
    7th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-7) (Th5.3) (Warsaw, Poland)
    2018. 8. 9
  • Growth of InGaAs:N δ-doped superlattices for multi-junction solar cells
    Shumpei Umeda, Shuhei Yagi, N. Miyashita, Yoshitaka Okada, Hiroyuki Yaguchi
    7th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC-7) (B19 595) (Waikoloa, Hawaii, USA)
    2018. 6. 13
  • MBE成長したErドープGaAsの発光特性に対するアニーリングの影響
    五十嵐 大輔，高宮 健吾，伊藤 隆，八木 修平，秋山 英文，矢口 裕之
    第65回応用物理学会春季学術講演会 (18p-P8-12) (東京)
    2018. 3. 18