Yaguchi

発表 2001


  • 赤外反射分光によるSiC基板のキャリヤ濃度及び移動度の分布測定
    成田 勝俊, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史, 中島 信一, 小柳 直樹
    SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第10回講演会, P34（京都） 2001. 12.
  • 分光エリプソメータによるSiO2/SiC界面の評価
    富岡 雄一, 緑川 正彦, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉川 正人, 伊藤 久義, 石田 夕起, 小杉 亮治, 吉田 貞史
    SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第10回講演会, P50（京都） 2001. 12.
  • 酸化膜/SiC界面における酸化後処理効果のXPS評価
    土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉川 正人, 伊藤 久義, 吉田 貞史
    SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第10回講演会, P51（京都） 2001. 12.
  • Depth Profiling of the Refractive Indices in Oxide Films on SiC by Spectroscopic Ellipsometry
    Sadafumi Yoshida, Takeshi Iida, Yuichi Tomioka, Yasuto Hijikata, Misao Orihara, and Hiroyuki Yaguchi
    6th China-Japan Symposium on Thin Films (Kunming, China) 2001. 11.
  • Characterization of the Interfaces between SiC and Oxide Films by Spectroscopic Ellipsometry
    Yuichi Tomioka, Takeshi Iida, Masahiko Midorikawa, Hiroyuki Tukada, Kazuo Yoshimoto, Yasuto Hijikata, Hiroyuki Yaguchi, M. Yoshikawa, Y. Ishida, R. Kosugi and S. Yoshida
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 (ICSCRM2001) (ThB2-6) (Tsukuba) 2001. 11.
  • X-ray Photoelectron Spectroscopy Studies of Post Oxidation Process Effects on Oxide/SiC Interfaces
    Yasuto Hijikata, Hiroyuki Yaguchi, Masahito Yoshikawa and Sadafumi Yoshida
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 (ICSCRM2001) (WeP-66) (Tsukuba) 2001. 10.
  • Spatial Mapping of the Carrier Concentration and Mobility in SiC Wafers by Micro Fourier-Transform Infrared Spectroscopy
    Hiroyuki Yaguchi, Katsutoshi Narita, Yasuto Hijikata, Sadafumi Yoshida, Shinichi Nakashima and N. Oyanagi
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 (ICSCRM2001) (WeP-80) (Tsukuba) 2001. 10.
  • Electronic Structure of III-V-N Alloys Studied Using Spectroscopic Ellipsometry
    Hiroyuki Yaguchi
    International Narrow Gap Nitride Workshop (INGNW-01) (Singapore) 2001. 10. 9
  • SiGe多結晶の凝固組織および光学特性
    高橋 達也, 藤原 航三, 宇佐美 徳隆, 宇治原 徹, 佐崎 元, 村上 芳弘, 矢口 裕之, 小原 和夫, 宍戸 統悦, 中嶋 一雄
    日本金属学会 (福岡) 2001. 9. 24
  • NH3を窒素源とした3C-SiC (001)基板上への立方晶GaNのMBE成長(IV)
    渡邊 英之, 佐々木 哲哉, 中田 智成, 小川 大輔, 折原 操, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
    第62回応用物理学会学術講演会 (11a-Q-9) (豊田) 2001. 9. 11
  • ミクロ分散的組成分布によるSiGe多結晶のマクロ物性制御
    宇佐美 徳隆, 藤原 航三, 宇治原 徹, 佐崎 元, 矢口 裕之, 中嶋 一雄
    第62回応用物理学会学術講演会 (12a-S-11) (豊田) 2001. 9. 12
  • 分光エリプソメータによるSiO2/SiC界面の光学的評価
    富岡 雄一, 緑川 正彦, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉川 正人, 石田 夕起, 吉田 貞史
    第62回応用物理学会学術講演会 (14a-S-8) (豊田) 2001. 9. 14
  • 電子分光法によるSiO2/SiC界面層の組成分析
    土方 泰斗, 富岡 雄一, 矢口 裕之, 吉川 正人, 吉田 貞史
    第62回応用物理学会学術講演会 (14a-S-9) (豊田) 2001. 9. 14
  • Growth simulation of GaAs/AlGaAs quantum dot grown in tetrahedral-shaped recesses on GaAs (111)B substrate
    Tomoko Tsujikawa, M. Ogura and Hiroyuki Yaguchi
    10th International Conference on Modulated Semiconductor Structures (MSS10) (ThP1) (Linz, Austria) 2001. 7.
  • Photoluminescence Study on Temperature Dependence of Band Gap Energy of GaAsN Alloys
    Hiroyuki Yaguchi, Shinya Kikuchi, Yasuto Hijikata, Sadafumi Yoshida, Daiichiro Aoki and Kentaro Onabe
    The Fourth International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-4) (Denver, USA) 2001. 7.
  • Spectroscopic Ellipsometry Study on the Electronic Structure Near the Absorption Edge of GaAsN Alloys
    Hiroyuki Yaguchi, Shigeru Matsumoto, Yasuto Hijikata, Sadafumi Yoshida, T. Maeda, M. Ogura, Daiichiro Aoki and Kentaro Onabe
    The Fourth International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-4) (Denver, USA) 2001. 7.
  • Persistent Photoconductivity in Si-Doped n-Type GaN
    Hiroyuki Yaguchi, Tatsuhito Nakamura, Yasuto Hijikata, Sadafumi Yoshida, K. Kojima, X. Shen and Hajime Okumura
    The Fourth International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-4) (Denver, USA) 2001. 7.
  • Temperature dependence of photoluminescence of GaAsN alloys
    Hiroyuki Yaguchi, Shinya Kikuchi, Yasuto Hijikata, Sadafumi Yoshida, Daiichiro Aoki and Kentaro Onabe
    20th Electronic Materials Symposium (C4) (Nara) 2001. 6.
  • Composition Analysis of SiO2/SiC Interfaces by Electron Spectroscopic Measurements Using Slope Shaped Oxide Films
    Yasuto Hijikata, Hiroyuki Yaguchi, Masahito Yoshikawa and Sadafumi Yoshida
    The European Materials Research Society (E-MRS) 2001 Spring Meeting (F-II.7) (Strasbourg, France) 2001. 6.
  • Siドープn型GaNにおける永続光伝導
    中村 達人, 矢口 裕之, 児島 一聡, 沈 旭強, 奥村 元, 吉田 貞史
    第48回応用物理学関係連合講演会 (29a-M-11)（東京）2001. 3. 29
  • 走査オージェ電子分光法によるSiO2/SiC界面層の組成分析
    土方 泰斗, 富岡 雄一, 飯田 健, 矢口 裕之, 吉川 正人, 吉田 貞史
    第48回応用物理学関係連合講演会 (30a-E-2)（東京）2001. 3. 30
  • 分光エリプソメーターによるSiC酸化膜の屈折率の評価
    飯田 健, 富岡 雄一, 塚田 浩之, 緑川 正彦, 吉本 和生, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉川 正人, 石田 夕起, 吉田 貞史
    第48回応用物理学関係連合講演会 (30a-E-4)（東京）2001. 3. 30
  • 分光エリプソメータによるSiC上のLTO膜の評価
    富岡 雄一, 飯田 健, 緑川 正彦, 塚田 浩之, 吉本 和生, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉川 正人, 石田 夕起, 小杉 亮治, 吉田 貞史
    第48回応用物理学関係連合講演会 (30a-E-5)（東京）2001. 3. 30
  • GaAsN混晶のフォトルミネッセンスの温度依存性
    矢口 裕之, 菊池 真也, 松本 繁, 土方 泰斗, 吉田 貞史, 青木 大一郎, 尾鍋 研太郎
    第48回応用物理学関係連合講演会 (31a-G-2)（東京）2001. 3. 31
  • 分光偏光解析法を用いたGaAsN混晶の光学的評価(II)
    松本 繁, 矢口 裕之, 土方 泰斗, 青木 大一郎, 尾鍋 研太郎, 前田 辰郎, 小倉 睦郎, 吉田 貞史
    第48回応用物理学関係連合講演会 (31a-G-3)（東京）2001. 3. 31
  • NH3を窒素源とした3C-SiC (001)基板上への立方晶GaNのMBE成長(III)
    渡邊 英之, 小川 大輔, 岡本 隆幸, 佐々木 哲哉, 中田 智成, 折原 操, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
    第48回応用物理学関係連合講演会 (31a-M-7)（東京）2001. 3. 31
  • 立方晶AlGaN混晶の低温分光エリプソメトリ測定
    鈴木 隆信, 西原 信, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 折原 操, 石田 夕起, 奥村 元, 吉田 貞史
    第48回応用物理学関係連合講演会 (31a-M-9)（東京）2001. 3. 31