発表 2012
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堆積と熱酸化による4H-SiC MOS 構造の作製
大谷 篤志, 八木 修平, 土方 泰斗, 矢口 裕之
第21回SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 (P-48) (大阪) 2012. 11. 19
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Enhancement of High Energy Band Optical Transition in GaAs:N Delta-Doped Superlattices for Intermediate Band Solar Cells
Shuhei Yagi, Shunsuke Noguchi, Yasuto Hijikata, Shigeyuki Kuboya, Kentaro Onabe and Hiroyuki Yaguchi
International Union of Materials Research Societies - International Conference on Electronic Materials 2012
(A-1-P26-014) (Yokohama) 2012. 9. 26
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Molecular beam epitaxy of ErGaAs alloys on GaAs (001) substrates
R. G. Jin, Shuhei Yagi, Yasuto Hijikata, Shigeyuki Kuboya, Kentaro Onabe, Ryuji Katayama and Hiroyuki Yaguchi
17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MoP-21) (Nara) 2012. 9. 24
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RF-MBE growth of cubic InN quantum dots on cubic GaN
Junichiro Suzuki, Misao Orihara, Shuhei Yagi, Yasuto Hijikata and Hiroyuki Yaguchi
17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MoP-24) (Nara) 2012. 9. 24
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MBE法によるGaAs(001)基板上へのErGaAs混晶の成長
金 日国, 八木 修平, 土方 泰斗, 窪谷 茂幸, 尾鍋 研太郎, 片山 竜二, 矢口 裕之
第73回応用物理学会学術講演会 (12p-PB11-16) (松山) 2012. 9. 12
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窒素δドープGaAs中の単一等電子トラップからの発光のフォトルミネッセ
ンス励起分光測定
高宮 健吾, 八木 修平, 土方 泰斗, 望月 敏光, 吉田 正裕, 秋山 英文,
窪谷 茂幸, 尾鍋 研太郎, 片山 竜二, 矢口 裕之
第73回応用物理学会学術講演会 (12p-PB11-20) (松山) 2012. 9. 12
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InN成長におけるInN高温バッファ層の効果に関する検討
増田 篤, 折原 操, 八木 修平, 土方 泰斗, 矢口 裕之
第73回応用物理学会学術講演会 (12a-PB4 -11) (松山) 2012. 9. 12
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RF-MBE法によるGaAs(110)基板上への半極性InN成長に対する窒化の影響
五十嵐 健, 折原 操, 八木 修平, 土方 泰斗, 矢口 裕之
第73回応用物理学会学術講演会 (12a-PB4-12) (松山) 2012. 9. 12
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第一原理計算によるGaAsNの電子構造に対する原子配置の影響に関する研究
坂本 圭, 八木 修平, 土方 泰斗, 矢口 裕之
第73回応用物理学会学術講演会 (12a-PB4-22) (松山) 2012. 9. 12
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RF-MBE 法によるTiO2(001)基板上への立方晶GaNの成長
折原 操, 八木 修平, 土方 泰斗, 矢口 裕之
第73回応用物理学会学術講演会 (13p-H9 -17) (松山) 2012. 9. 13
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堆積と熱酸化による4H-SiC MOS 構造の作製
大谷 篤志, 八木 修平, 土方 泰斗, 矢口 裕之
第73回応用物理学会学術講演会 (11p-PB2-4) (松山) 2012. 9. 11
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スパッタ薄膜成長による4H-SiC 基板中の非発光再結合中心生成
加藤 寿悠, 八木 修平, 土方 泰斗, 矢口 裕之
第73回応用物理学会学術講演会 (11p-PB2-12) (松山) 2012. 9. 11
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逆構造型有機薄膜太陽電池による高性能化への検討
小江 宏幸, 河津 浩典, 金子 哲也,
松井 卓矢, 増田 淳, 矢口 裕之, 吉田 郵司
第73回応用物理学会学術講演会 (11p-PB1-7) (松山) 2012. 9. 11
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Model calculations of SiC oxide growth rates at sub-atmospheric pressures using the Si and C emission model
Yasuto Hijikata, Shuhei Yagi, Hiroyuki Yaguchi, Sadafumi Yoshida
European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (TuP-63) (Saint-Petersburg, Russia) 2012. 9. 4
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Investigation of organic-inorganic hybrid solar cell using inverted-type organic photovoltaics
Hiroyuki Ogo, Hironori Kawatsu, Tetsuya Kaneko, Takuya Matsui, Atsushi Masuda, Hiroyuki Yaguchi, and Yuji Yoshida
KJF International Conference on Organic Materials for Electronics and Photonics 2012
(PB14) (Sendai) 2012. 8.31
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Characterization of Structural Defects in InN Film on 4H-SiC (0001) Grown by RF-MBE
P. Jantawongrit, Sakuntum Sanorpim, Hiroyuki Yaguchi, Misao Orihara, and P. Limsuwan
International Union of Materials Research Society
- International Conference in Asia 2012
(WeM2-2) (Busan, Korea) 2012. 8. 29
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Biexciton Emission from Single Isoelectronic Traps Formed by Nitrogen-Nitrogen Pairs in GaAs
Kengo Takamiya, T. Fukushima, Shuhei Yagi, Yasuto Hijikata, Toshimitsu Mochizuki, Masahiro Yoshita, Hidefumi Akiyama, Shigeyuki Kuboya, Kentaro Onabe,
Ryuji Katayama, and Hiroyuki Yaguchi
31st International Conference on the Physics of Semiconductors (69.7) (Zurich, Switzerland) 2012. 8. 2
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First Principles Study on the Effect of the Position of Nitrogen Atoms on the Electronic Structure of GaAsN
Kei Sakamoto and Hiroyuki Yaguchi
31st International Conference on the Physics of Semiconductors (30.17) (Zurich, Switzerland) 2012. 7. 31
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Analysis of the Energy Structure of Nitrogen Delta-Doped GaAs Superlattices for High-Efficiency Intermediate-Band Solar Cells
Shunsuke Noguchi, Shuhei Yagi, Yasuto Hijikata, Shigeyuki Kuboya, Kentaro Onabe, and Hiroyuki Yaguchi
38th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (Austin, USA) 2012. 6. 4
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RF-MBE法によるInN量子ドットの結晶構造制御
徳田 英俊, 鈴木 潤一郎, 折原 操, 八木 修平, 土方 泰斗, 矢口 裕之
第4回窒化物半導体結晶成長講演会 (FR-26) (東京) 2012. 4. 27
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窒素δドープGaAsにおける単一等電子トラップからの励起子分子発光
高宮 健吾, 福島 俊之, 星野 真也, 八木 修平, 土方 泰斗, 望月 敏光, 吉田 正裕, 秋山 英文, 窪谷 茂幸, 片山 竜二, 尾鍋 研太郎, 矢口 裕之
第59回応用物理学関係連合講演会 (17a-A8-9) (東京) 2012. 3. 17
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GaAs中窒素δドープ超格子のエネルギー構造評価
野口 駿介, 八木 修平, 土方 泰斗, 窪谷 茂幸, 尾鍋 研太郎, 矢口 裕之
第59回応用物理学関係連合講演会 (17p-DP3-12) (東京) 2012. 3. 17
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窒素δドープGaAs中の窒素原子対が形成する単一の等電子トラップからの発光に対する一軸応力の影響
新井 佑也, 星野 真也, 高宮 健吾, 八木 修平, 土方 泰斗, 望月 敏光, 吉田 正裕, 秋山 英文, 窪谷 茂幸, 尾鍋 研太郎, 矢口 裕之
第59回応用物理学関係連合講演会 (17p-DP3-13) (東京) 2012. 3. 17
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分光エリプソメトリによる立方晶InNの光学的特性評価
吉田 倫大, 折原 操, 八木 修平, 土方 泰斗, 矢口 裕之
第59回応用物理学関係連合講演会 (16a-DP1-27) (東京) 2012. 3. 16
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熱酸化が4H-SiCエピ膜中積層欠陥に及ぼす影響の顕微フォトルミネッセンスによる観察
山形 光, 八木 修平, 土方 泰斗, 矢口 裕之
第59回応用物理学関係連合講演会 (17p-A8-11) (東京) 2012. 3. 17
