発表 1998

Photoluminescence Study of InP/GaP Highly Strained Quantum Wells
Tokuharu Kimura, Hiroyuki Yaguchi, Noritaka Usami, Kentaro Onabe, Yasuhiro Shiraki
25th International Symposium on Compound Semiconductors (Nara) (Th2A-3) 1998. 10. 15
Metalorganic vapor phase epitaxy of high quality cubic GaN, AlGaN and their application to optical devices
Jun Wu, Hiroyuki Yaguchi, Kentaro Onabe and Yasuhiro Shiraki
2nd International Symposium on Blue Laser and Light Emitting Diodes (Chiba) 1998. 10.
カソードルミネッセンスによる半導体低次元構造の評価
矢口裕之, 辻川智子, 尾鍋研太郎
日本電子顕微鏡学会第43回シンポジウム (千葉) 1998. 10.
GaPAsN/GaP多重量子井戸における発光に対する熱処理の効果
矢口裕之, 琵琶剛志, 秋山英文, 馬場基芳, 尾鍋研太郎, 白木靖寛
第59回応用物理学会学術講演会(15aYA7) (広島) 1998. 9. 15
MOVPE成長した立方晶GaNの時間分解フォトルミネッセンス
矢口裕之, 呉軍, 秋山英文, 馬場基芳, 尾鍋研太郎, 白木靖寛
第59回応用物理学会学術講演会(17aYA2) (広島)1998. 9. 17
Al組成の大きなAlGaNのMOVPE成長
呉軍, 矢口裕之, 尾鍋研太郎, 白木靖寛
第59回応用物理学会学術講演会(17aYA1) (広島)1998. 9. 17
InP/GaP高歪量子井戸のフォトルミネッセンス特性
木村徳治, 矢口裕之, 宇佐美徳隆, 尾鍋研太郎, 白木靖寛
第59回応用物理学会学術講演会(17aYA1) (広島)1998. 9. 17
正四面体型リセス内にMOVPE成長したGaAs低次元構造：リセス底部の構造評価
辻川智子, 森誠一郎, 渡辺宙志, 矢口裕之, 尾鍋研太郎, 白木靖寛, 伊藤良一
第59回応用物理学会学術講演会(15aYA3) (広島)1998. 9. 15
Metalorganic vapor phase epitaxy of cubic GaN, AlGaN on GaAs (100) substrates and their optical properties
Jun Wu, Hiroyuki Yaguchi, Kentaro Onabe and Yasuhiro Shiraki
International Topical Meeting on III-V Nitride Materials and Devices (ITMND'98) 1998. 8.
Luminescence properties of GaPAsN/GaP lattice-matched multiple quantum wells
Goshi Biwa, Hiroyuki Yaguchi, Kentaro Onabe and Yasuhiro Shiraki
17th Electronic Materials Symposium (Izu-Nagaoka) 1998. 7.
Micro Optical Spectroscopy of Cubic GaN Grown on 3C-SiC (001) Substrates by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
Hiroyuki Yaguchi, Jun Wu, Baoping Zhang, Yusburo Segawa, Hiroyuki Nagawasa, Kentaro Onabe and Yasuhiro Shiraki
17th Electronic Materials Symposium (Izu-Nagaoka) 1998. 7.
Observation of stimulated emission from optically pumped cubic GaN/AlGaN heterostructures grown on GaAs (100) substrates
Jun Wu, Hiroyuki Yaguchi, G. Mohs, T. Aoki, Makoto Kuwata-Gonokami, Kentaro Onabe and Yasuhiro Shiraki
17th Electronic Materials Symposium (Izu-Nagaoka) 1998. 7.
Photoluminescence study of InP/GaP highly strained quantum wells
Tokuharu Kimura, Hiroyuki Yaguchi, Noritaka Usami, Kentaro Onabe and Yasuhiro Shiraki
17th Electronic Materials Symposium (Izu-Nagaoka) 1998. 7.
High-temperature MOVPE growth of GaAs/AlGaAs quantum structures in tetrahedral-shaped recesses on GaAs (111)B substrates
Tomoko Tsujikawa, Toshifumi Irisawa, Hiroyuki Yaguchi, Kentaro Onabe, Yasuhiro Shiraki and Ryoichi Ito
1998 International Symposium on Formation, Physics and Device Application of Quantum Dot Structures (Mo5-5) (Sapporo) 1998. 6.
立方晶ナイトライドのMOVPE成長と評価
矢口裕之, 呉軍, 尾鍋研太郎
電子情報通信学会(LQE98-27) (東京) 1998. 6. 16
Micro Raman and micro photoluminescence study of cubic GaN grown on 3C-SiC (001) substrates by metalorganic vapor phase epitaxy
Hiroyuki Yaguchi, Jun Wu, Baoping Zhang, Yusaburo Segawa, Hiroyuki Nagasawa, Kentaro Onabe and Yasuhiro Shiraki
9th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (La Jolla, USA) 1998. 5.
Stimulated emission from optically pumped cubic GaN/AlGaN double heterostructures
Jun Wu, Hiroyuki Yaguchi, Kentaro Onabe and Yasuhiro Shiraki
9th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (La Jolla, USA) 1998. 5.
Photoluminescence and photoluminescence excitation spectroscopy of GaPAsN/GaP lattice-matched multiple quantum well structures
Goshi Biwa, Hiroyuki Yaguchi, Kentaro Onabe and Yasuhiro Shiraki
9th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (La Jolla, USA) 1998. 5.
GaPAsN/GaP多重量子井戸のフォトルミネッセンス励起分光
琵琶剛志, 矢口裕之, 尾鍋研太郎, 白木靖寛
第45回応用物理学関係連合講演会(28pZM16) (東京) 1998. 3. 28
3C-SiC基板上に成長した立方晶GaNの顕微フォトルミネッセンス
矢口裕之, 呉軍, 張保平, 瀬川勇三郎, 長沢広幸, 山口洋一, 尾鍋研太郎, 白木靖寛
第45回応用物理学関係連合講演会(29pZP3) (東京) 1998. 3. 29
立方晶AlGaNのMOVPE成長とフォトルミネッセンス特性
呉軍, 矢口裕之, 尾鍋研太郎, 白木靖寛
第45回応用物理学関係連合講演会(29pZP4) (東京) 1998. 3. 29
立方晶GaN/AlGaNヘテロ構造における誘導放出
呉軍, 矢口裕之, G. Mohs, 青木隆朗, 五神真, 尾鍋研太郎, 白木靖寛
第45回応用物理学関係連合講演会(29pZP5) (東京) 1998. 3. 29
化合物半導体を用いた定在波疑似位相整合SHG素子
佐藤基之, 矢口裕之, 尾鍋研太郎, 白木靖寛, 中川茂, 山田範秀
第45回応用物理学関係連合講演会(30aSYD18) (東京) 1998. 3 30.
正四面体型リセス内にMOVPE成長したGaAs低次元構造III. 800°C以上で高温成長した時の効果
辻川智子, 入沢寿史, 矢口裕之, 尾鍋研太郎, 白木靖寛, 伊藤良一
第45回応用物理学関係連合講演会(30pB4) (東京) 1998. 3. 30
GaAs/Ge/GaAs副格子交換エピタキシー
黄晋二, 近藤高志, 森田馨, 矢口裕之, 宇佐美徳隆, 白木靖寛, 伊藤良一
第45回応用物理学関係連合講演会(30aZM6) (東京) 1998. 3. 30