発表 2015
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円偏光PLEによるGe直接遷移端への光スピン注入
安武 裕輔, 太野垣 健, 大川 洋平, 矢口 裕之, 金光 義彦, 深津 晋
第76回応用物理学会秋季学術講演会 (14a-2N-8) (名古屋) 2015. 9. 14
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第一原理計算によるInAsN混晶の伝導帯の解析
宮崎 貴史, 八木 修平, 矢口 裕之
第76回応用物理学会秋季学術講演会 (13p-PB2-1) (名古屋) 2015. 9. 13
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第一原理計算によるGaAs:N δドープ超格子における光学遷移に関する研究
吉川 洋生, 八木 修平, 矢口 裕之
第76回応用物理学会秋季学術講演会 (13p-PB2-2) (名古屋) 2015. 9. 13
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GaAs MBE成長におけるEr原子の表面偏析の温度依存性
金 日国, 高宮 健吾, 八木 修平, 土方 泰斗, 矢口 裕之
第76回応用物理学会秋季学術講演会 (13p-PB2-3) (名古屋) 2015. 9. 13
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Er ドープGaAsからの発光に対する低温成長の影響
飯村 啓泰, 金 日国, 高宮 健吾, 八木 修平, 矢口 裕之
第76回応用物理学会秋季学術講演会 (13p-PB2-4) (名古屋) 2015. 9. 13
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AlAs/GaAs分布ブラッグ反射鏡を有するEr δ ドープGaAsの発光特性
須藤 真樹, 金 日国, 高宮 健吾, 八木 修平, 矢口 裕之
第76回応用物理学会秋季学術講演会 (13p-PB2-5) (名古屋) 2015. 9. 13
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微傾斜基板を用いたシングルドメイン立方晶GaNの成長と立方晶InNドット配列の形成
石井 健一, 折原 操, 八木 修平, 矢口 裕之
第76回応用物理学会秋季学術講演会 (14p-PB12-19) (名古屋) 2015. 9. 14
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フォトルミネッセンス法による4H-SiCエピ層中の酸化誘因欠陥の観察
浅藤 亮祐, 八木 修平, 土方 泰斗, 矢口 裕之
第76回応用物理学会秋季学術講演会 (15a-1A-11) (名古屋) 2015. 9. 15
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Optical and Structural Characterization of GaAs:N δ-Doped Superlattices Grown by Molecular Beam Epitaxy
Shuhei Yagi, Y. Sato, N. Ueyama, T. Suzuki,
Kazuki Osada, Yoshitaka Okada, and Hiroyuki Yaguchi
5th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of
Semiconductor Nanostructures
(I-20) (Hsinchu, Taiwan) 2015. 9. 8
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Epitaxial relationship of GaN grown on GaAs (110) by RF-molecular beam
epitaxy
T. Ikarashi, Misao Orihara, Shuhei Yagi, Shigeyuki Kuboya, Ryuji Katayama, and
Hiroyuki Yaguchi
11th International Conference on Nitride Semiconductors
(TuGP25) (Beijing, China) 2015. 9. 1
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Lateral alignment of InN nano-scale dots grown on 4H-SiC (0001) vicinal
substrates
Seiya Mori, Shuhei Yagi, Misao Orihara, Kengo Takamiya and Hiroyuki Yaguchi
11th International Conference on Nitride Semiconductors
(TuGP27) (Beijing, China) 2015. 9. 1
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Nonradiative recombination pathway via the intermediate band in GaP1-xNx studied by below-gap excitation
Makiko Suetsugu, M. Eriksson, K. F. Karlsson, P. O. Holtz, Norihiko Kamata, Shuhei Yagi and Hiroyuki Yaguchi
28th International Conference on Defects in Semiconductors (Espoo, Finland) 2015. 7. 31
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添加剤導入によるP3HT:PCBM混合膜の結晶成長過程のその場観察評価
新井 康司, 柴田 陽生, 伊藤 英輔, 小金澤 智之, 宮寺 哲彦, 近松 真之, 矢口 裕之
第62回応用物理学会春季学術講演会 (11a-D2-9) (平塚) 2015. 3. 11
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4H-SiC(0001)微傾斜基板を用いたInNドット配列の自己形成
森 誠也, 高宮 健吾, 折原 操, 八木 修平, 土方 泰斗, 矢口 裕之
第62回応用物理学会春季学術講演会 (12p-P16-9) (平塚) 2015. 3. 12
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第一原理計算によるInAsN混晶のバンド構造に関する研究
宮崎 貴史, 八木 修平, 土方 泰斗, 矢口 裕之
第62回応用物理学会春季学術講演会 (13a-P15-2) (平塚) 2015. 3. 13
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GaAs:N δドープ超格子を有する太陽電池の二段階吸収
鈴木 智也, 八木 修平, 土方 泰斗, 岡田 至崇, 矢口 裕之
第62回応用物理学会春季学術講演会 (13p-P19-17) (平塚) 2015. 3. 13
