発表 2010
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In-situ 分光エリプソメ−タによるSiC 酸化過程の酸素分圧依存性測定
Oxygen Partial Pressure Dependence of SiC Oxidation Process Observed by In-situ
Spectroscopic Ellipsometry
甲田 景子, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
SiC 及び関連ワイドギャップ半導体研究会
第19回講演会 (P-47) (つくば) 2010. 10. 21
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極低窒素濃度GaAsNのフォトリフレクタンススペクトル
大久保 航, 石川 輝, 八木 修平, 土方 泰斗, 吉田 貞史, 片山 竜二, 尾鍋 研太郎, 矢口 裕之
第71回応用物理学会学術講演会 (14p-ZV-1) (長崎) 2010. 9. 14
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極低窒素濃度GaAsN中の等電子トラップからの発光に対する一軸応力の影響
新井 佑也, 遠藤 雄太, 八木 修平, 土方 泰斗, 窪谷 茂幸, 尾鍋 研太郎, 片山 竜二, 矢口 裕之
第71回応用物理学会学術講演会 (14p-ZV-2) (長崎) 2010. 9. 14
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極低窒素濃度GaAsNにおける窒素ペアからの発光の窒素濃度依存性
石川 輝, 八木 修平, 土方 泰斗, 吉田 貞史, 岡野 真人, 望月 敏光, 吉田 正裕, 秋山 英文, 窪谷 茂幸, 尾鍋 研太郎, 片山 竜二, 矢口 裕之
第71回応用物理学会学術講演会 (14p-ZV-3) (長崎) 2010. 9. 14
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窒素δドープGaAs中の等電子トラップを形成する窒素原子対配列に関する研究
星野 真也, 遠藤 雄太, 福島 俊之, 高宮 健吾, 八木 修平, 土方 泰斗, 望月 敏光, 吉田 正裕, 秋山 英文, 窪谷 茂幸, 尾鍋 研太郎, 片山 竜二, 矢口 裕之
第71回応用物理学会学術講演会 (14p-ZV-5) (長崎) 2010. 9. 14
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窒素δドープGaAs/AlGaAsヘテロ構造における等電子トラップからの発光特性評価
高宮 健吾, 遠藤 雄太, 福島 俊之, 星野 真也, 八木 修平, 土方 泰斗, 望月 敏光, 吉田 正裕, 秋山 英文, 窪谷 茂幸, 尾鍋 研太郎, 片山 竜二, サノーピン サクンタム, 矢口 裕之
第71回応用物理学会学術講演会 (14p-ZV-6) (長崎) 2010. 9. 14
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酸化中のSiC層へのSiおよびC原子放出についての理論的検討
土方 泰斗, 八木 修平, 矢口 裕之, 吉田 貞史
第71回応用物理学会学術講演会 (15a-ZS-10) (長崎) 2010. 9. 15
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Theoretical studies for Si and C emission into SiC layer during oxidation
Yasuto Hijikata, Hiroyuki Yaguchi, and Sadafumi Yoshida
8th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (Mo3-6)
(Oslo, Norway) 2010. 8. 30
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High cubic-phase purity InN on MgO (001) using cubic-phase GaN
as buffer layer
S. Sanorpim, S. Kuntharin, Hiroyuki Yaguchi, Yohei Iwahashi, Misao Orihara, Yasuto Hijikata, Sadafumi Yoshida
30th International Conference on the Physics of Semiconductors (ThE3-5)
(Seoul, Korea) 2010. 7. 29
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様々な面方位基板上に作製した窒素δドープGaAs中の等電子トラップからの発光(III)
福島 俊之, 高宮 健吾, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史, 岡野 真人, 吉田 正裕, 秋山 英文, 窪谷 茂幸, 尾鍋 研太郎, 片山 竜二
第57回応用物理学関係連合講演会(18p-TW-7)(平塚)2010. 3. 18